笹瀬 雅人

大学院工学研究科 電気・電子工学専攻教授

経歴

  • 2014年04月 - 2026年03月
    東京科学大学, 元素戦略MDX研究センター, 特任准教授
  • 若狭湾エネルギー研究センター, 研究開発部, 主査研究員

学歴

  • 1996年
    工学院大学, 電気工学科, 電気工学専攻
  • 1987年
    工学院大学, 電気工学科

学位

  • 博士(工学), 工学院大学

ID各種

  • ID各種

    研究者番号:60359239
    researchmap会員ID:5000041317
    J-Global ID:200901020425822674

研究分野

  • ナノテク・材料, ナノ材料科学

MISC

  • Defect structure of High-Tc superconductor by high-enelgy heavy ion irrodiation
    Journal of Electron Microscopy, 2002年
  • Formatron of envitonmentally triendly semiconductor (β-Fesiz) thin tilms prepored by ion beam sputtering deposition method
    Thin Solid Films, 2002年

Works(作品等)

  • イオンビームを用いた新物質創製の研究
    2002年 - 2004年

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 粒子線と物質との相互作用に関する研究