ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性, 真空薄膜形成技術，ドライエッチング、薄膜・表面界面物性

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器, 化学気相成長法，真空工学、デバイス関連化学

プラズマ応用

微細加工

化学気相成長法

表面科学

薄膜技術

真空工学

トコトンやさしい真空技術の本
関口敦, 単著, 関口 敦
日刊工業新聞社, 2019年09月30日
9784526080074

ドライプロセスによる表面処理・薄膜形成の応用
関口敦,杉村博之,小田明紀,中村圭二,井上泰志,大工原茂樹,渡部修一,梅村茂,坂本幸弘,川名淳雄,黒田聖治,尾形聡,矢嶋龍彦,節原裕一,光田好孝,馬場恒明,國次真輔,三浦健一,田中一平,石原正統,亀山哲也,稲垣雅彦,堀勝,田中宏昌, 共著, 第１章および第２章, 関口 敦
コロナ社, 2016年12月28日, ［査読有り］
9784339046502

Microchemistry Spectroscopy and Chemistry in Small Domains
H. Masuhara; N. Kitamura; A. Sekiguchi; H. Sugimura; T. Uchida; et al., 共著, Atsushi SEKIGUCHI
North-Holland, 1994年, ［査読有り］
0444815139

Mist Chemical Vapor Deposition Growth of alpha-In2O3 Films Using Indium Oxide Powder as Source Precursor
A. Taguchi; S. Takahashi; A. Sekiguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
physica status solidi (b), 2021年10月20日, ［査読有り］

Impact of hydrochloric acid on the epitaxial growth of In2O3 films on (0001)α-Al2O3 substrates by mist CVD
Tomohiro Yamaguchi; Subaru Takahashi; Takanori Kiguchi; Atsushi Sekiguchi; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Hiroki Nagai; Mitsunobu Sato; Takeyoshi Onuma and Tohru Honda
Applied Physics Express, 2020年06月18日, ［査読有り］

ガラスナノピペットのガスフローコンダクタンスの研究
高見知秀,関口敦
工学院大学 総合研究所年報 第26号 2018 年度, 2019年07月, ［査読有り］

小学生および保護者のための真空体験教室開催報告―第26回工学院大学わくわくサイエンス祭科学教室―
関口敦,佐々木美桜,佐藤杏佳,新谷駿,及川実那子,遠藤和佳奈,佐藤天大
表面と真空, 2019年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

小学生および保護者のための真空体験教室開催報告―第25回工学院大学わくわくサイエンス祭科学教室―
関口敦,鈴木美由菜,関根智七海,川口功太郎,鈴木有里沙,土屋沙織
表面と真空, 2018年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

小学生および保護者のための真空体験教室開催報告―第24回工学院大学わくわくサイエンス祭科学教室―
関口敦,塚越朱璃,蓮見俊亮,鈴木有里紗,鈴木美由菜
J. Vac. Soc. Jpn., 2017年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

化学気相成長（Chemical Vapor Deposition: CVD）法の基礎
関口敦
真空, 2016年, ［査読有り］, ［招待有り］
筆頭著者, 責任著者

Application of 60nm-diameter Superconducting Bulk Magnet to Magnetron Suputtering
U. Mizutani; H. Hazama; T. Matsuda; Y. Yanagi; Y. Itoh; H. Ikuta; A. Imai; A. Sekiguchi; and K. Sakurai
Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 2004年, ［査読有り］

Bottom Coverage of Cu Deposit for 200-nm-Class Circular Vias with High Aspect Ratios Investigated by Magnetron Sputtering Activated Using Superconducting Bulk Magnet
Hirofumi Hazama; Takashi Matsuda; Uichiro Mizutani; Hiroshi Ikuta; Yousuke Yanagi; Yashitaka Itoh; Kazuo Sakurai; Atsushi Sekiguchi; and Atsuo Imai
Jpn. J. Appl. Phys., 2004年, ［査読有り］

Low Pressure Magnetron Sputtering by Using Extremely Strong Magnetic Field and Coverage Properties of Copper Films Grown as Advanced Seed Layer
H. Hazama; T. Matsuda; Y. Yanagi; A. Sekiguchi; U. Mizutani; K. Sakurai; Y. Itoh; H. Ikuta; T. Yamazaki; M. Hori; and A. Imai
in Proceedings of Advanced Metallization Conference 2003, 2004年, ［査読有り］

Integration of CVD Cu seed with CVD Cu barrier for Dual Damascene Cu Metallization", in Proceedings of Advanced Metallization Conference 2002
Sangkyun Park; K. Pfeifer; R. Augur; Masami Shibagaki; Atsushi Sekiguchi; Tomoaki Koide; Takafumi Kuninobu; and Susumu Akiyama
in Proceedings of Advanced Metallization Conference 2002, 2003年, ［査読有り］

Initial growth of CVD-Cu films for thin seed layer
Takafumi Kuninobu; Atsushi Sekiguchi; and Osamu Okada
in Proceedings of Advanced Metallization Conference 2001, 2002年, ［査読有り］

Chemical Vapor Deposition of Copper Thin Film Using a Novel Precursor of Allyloxytrimethylsilyl Hexafluoroacetylacetonate Copper (I)
Minjuan Zhang; Atsushi Sekiguchi; Osamu Okada; Atsushi Itsuki; and Katsumi Ogi
Jpn. J. Appl. Phys., 2001年, ［査読有り］

CVD 法による Cu めっき用下地膜の真空一貫 Barrier / Cu Seed 積層成膜
関口敦,小出知昭,張敏娟,國信隆史,砂山英樹,小林明子,鈴木薫,肖石琴,岡田修
信学技報, 2001年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

銅 ECD の下地用バリア膜／銅シード膜の真空一貫形成プロセス
関口敦
表面技術, 2001年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Reaction of Copper Oxide and β-Diketone for In Situ Cleaning of Metal Copper in a Copper Chemical Vapor Deposition Reactor
A. Sekiguchi; A. Kobayashi; T. Koide; O. Okada and N. Hosokawa
Jpn. J. Appl. Phys., 2000年, ［査読有り］
筆頭著者

Dependence of Deposition Characteristics by Copper Chemical Vapor Deposition on Gas Flow Shape
A. Kobayashi; A. Sekiguchi; K. Ikeda; O. Okada and T. Koide
Electronics and Communications in Japan, Part 2, 2000年, ［査読有り］

Conformal MOCVD-TiN Films Deposited from TDEAT and Ammonia
S. Q. Xiao; R. Tobe; K. Suzuki; X. B. Xu; A. Sekiguchi; H. Doi; O. Okada and N. Hosokawa
in Proceedings of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1999, 2000年, ［査読有り］

ＣＶＤ法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
小林明子,関口敦,池田圭,岡田修,小出知昭
電子情報通信学会論文誌, 1999年, ［査読有り］

Optimization of Copper CVD Film Properties Using precursor of Cu(hfac)(tmvs) with Variations of Additives Content
M. Zhang; A. Kobayashi; T. Koide; A. Sekiguchi; O. Okada and N. Hosokawa
Proc. of the International Interconnect Technology Conference 1999, 1999年, ［査読有り］

Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
A. Kobayashi; A. Sekiguchi; T. Koide; O. Okada; M. Zhung; A. Egami and H. Sunayama
J. Vac. Sci. Technol. B, 1998年, ［査読有り］

Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinylsilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper (I)
Akiko Kobayashi; Atsushi Sekiguchi and Osamu Okada
Jpn. J. Appl. Phys., 1998年, ［査読有り］

CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION CHANGE WITH LINE WIDTH FOR CVD Cu DAMASCENE INTERCONNECTION
Kazuyoshi Ueno; Yasuaki Tsuchiya; Nobukazu Itoh; Takamaro Kikkawa and Atsushi Sekiguchi
in Proceedings of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997, 1998年, ［査読有り］

Ultra-low resistance Direct Contact Cu Via Technology Using In-situ Chemical Vapor Cleaning
Y. Tsuchiya; K. Ueno; V. M. Donelly; T. Kikkawa; Y. Hayashi; A. Kobayashi and A. Sekiguchi
in Digest of Technical Papers of Symp. on VLSI Technology, 1997年, ［査読有り］

The deposition rates for Cu-CVD with Cu(hfac)(tmvs)
A. Kobayashi; A. Sekiguchi; K. Ikeda; O. Okada; K. Ueno and Y. Tsuchiya
in Proceedings of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996, 1997年, ［査読有り］

Low pressure MOCVD of TiN thin films
So Won Kim; Hitoshi Jimba; Atsushi Sekiguchi; Osamu Okada and Naokichi Hosokawa
Applied Surface Science, 1996年, ［査読有り］

Plasma-enhanced CVD of TiN and Ti using low-pressure and high-density helicon plasma
Ryoki Tobe; Atsushi Sekiguchi; Masao Sasaki; Osamu Okada and Naokichi Hosokawa
Thin Solid Films, 1996年, ［査読有り］

LOW TEMPERATURE AND LOW PRESSURE PROCESS METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) OF SUPERIOR BARRIER LAYER IN ADVANCED ULSI DEVICES
A. Sekiguchi; H. Jimba; S. W. Kim; T. Yoshimura; K. Watanabe; S. Mizuno; S. Hasegawa; O. Okada; N. Takahashi and N. Hosokawa
in Proceedings of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995, 1996年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Growth Process of Thin Chemical Vapor Deposition-Aluminum Films and Its Underlayer Dependence-Real-Time monitoring of Reflected Light Intensity at the Depositing Surface
A. Kobayashi; A. Sekiguchi; O. Okada; N. Hosokawa; K. Sugai; T. Kishida; H. Okabayashi; T. Shinnzawa; T. Yako; and H. Kadokura
Electronics and Communications in Japan Part 2, 1995年, ［査読有り］

CVD-Al 薄膜の成長過程とその下地依存性－堆積表面からの反射光強度モニターによる観察
小林明子,菅井和己,関口敦,岸田俊二,岡林秀和,八子忠明,新澤勉,岡田修,細川直吉
電子情報通信学会論文誌, 1995年, ［査読有り］

高密度プラズマを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法によるチタン系薄膜の作製と評価
関口敦,戸部了己,佐々木雅夫,岡田修,細川直吉
真空, 1995年, ［査読有り］
筆頭著者

Directional growth of copper pthalocyanine crystal by selective chemical vapor deposition method
A. Sekiguchi; T. Uchida; H. Sugimura; N. Shimo and H. Masuhara
Appl. Phys. Lett., 1994年, ［査読有り］
筆頭著者

Control of a Dye formation reaction in a Single micrometer-Sized Oil-Droplet by Laser Trapping and Microelectrochemical Methods
K. Nakatani; T. Uchida; S. Funakura; A. Sekiguchi; H. Misawa; N. Kitamura and H. Masuhara
Chem. Lett., 1993年, ［査読有り］

Electrochemically-depositrd RuO2 Films as pH sensors
Kalman Pasztor; Atsushi Sekiguchi; Nobuo Shimo; Noboru Kitamura and Hiroshi Masuhara
Sensors and Actuators B; Chemistry, 1993年, ［査読有り］

Iridium oxide Based Microelectrochemical Transistors for pH-sensing
Kalman Pasztor; Atsushi Sekiguchi; Nobuo Shimo
Sensors and Actuators B; Chemistry, 1993年, ［査読有り］

Photoelectrolysis of Water on a Titanium Dioxide/Platinum Microelectrode Array
T. Uchida; H. Sugimura; A. Sekiguchi; N. Kitamura; N. Shimo and H. Masuhara
J. Electroanal. Chem., 1993年, ［査読有り］

ヘリコン波併用バケットプラズマ源の特徴と評価
関口敦,戸部了己,細川直吉,スニル ウィクラマナヤカ,畑中義式
信学技報, 1993年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Micrometer patterning of phthalocyanine derivatives by selective chemical vapor deposition method
A. Sekiguchi; K. Pasztor; N. Shimo and H. Masuhara
J. Vac. Sci. Technol. A, 1992年, ［査読有り］
筆頭著者

Growth of Al films by gas-temperature-controlled chemical vapor deposition
Tsukasa Kobayashi; Atsushi Sekiguchi; Naoto Akiyama; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
J. Vac. Sci. Technol. A, 1992年, ［査読有り］

Characterization of thermodynamically non-equilibrium high-temperature oxygen plasma downstream region
S. Wickramanayaka; S. Meikle; A. Sekiguchi; M. Hosokawa and Y. Hatanaka
J. Appl. Phys., 1991年, ［査読有り］

Micrometer patterning of phthalocyanines by selective chemical vapor deposition
A. Sekiguchi; K. Pasztor; N. Shimo and H. Masuhara
Appl. Phys. Lett., 1991年, ［査読有り］
筆頭著者

Epitaxial growth of Al(100) on Si(100) by gas-temperature-controlled chemical vapor deposition
A. Sekiguchi; T. Kobayashi; N. Hosokawa and T. Asamaki
J. Vac. Sci. Technol. A, 1990年, ［査読有り］
筆頭著者

Effect of oxygen plasma annealing on superconducting properties of Bi2(Sr,Ca)3Cu2Ox and YBa2Cu3O7- thin films
T. Yoshitake; S. Miura; J. Fujita; N. Shohata; H. Igarashi; T. Satoh; A. Sekiguchi and K. Katoh
Appl. Phys. Lett., 1990年, ［査読有り］

Ba2Y1Cu3O7-y Oxidation by Thermodynamic Nonequilibrium High-Temperature (TNH) Plasma
Shinji Takagi; Atsushi Sekiguchi; Naokichi Hosokawa; Norio Terada; Masatoshi Jo; and Hideo Ihara
Jpn. J. Appl. Phys., 1989年, ［査読有り］

Epitaxial growth of Al(100) on Si(100) by Gas-Temperature-Controlled Chemical Vapor deposition
Atsushi Sekiguchi; Tsukasa Kobayashi; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
Extended Abstracts of the 21st Conference on Solid State Devices and Materials, 1989年, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

EPITAXIAL GROWTH OF Al ON Si BY GAS-TEMPERATURE-CONTROLLED CVD
Tsukasa Kobayashi; Atsushi Sekiguchi; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1989年, ［査読有り］

Gas-Temperature-Controlled (GTC) CVD of Aluminum and Aluminum-Silicon Alloy Film for VLSI Processing
Atsushi Sekiguchi; Tsukasa Kobayashi; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
Jpn. J. Appl. Phys., 1988年, ［査読有り］
筆頭著者

In Situ IR Spectroscopic Study of a-Si:H Films Growing under Photo-Chemical Vapor Deposition Condition
Toshimasa Wadayama; Wataru Suetaka and Atsushi Sekiguchi
Jpn. J. Appl. Phys., 1988年, ［査読有り］

Epitaxial Growth of Al on Si by Gas-Temperature-Controlled Chemical Vapor Deposition
Tsukasa Kobayashi; Atsushi Sekiguchi; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
Jpn. J. Appl. Phys., 1988年, ［査読有り］

高温非平衡プラズマによる SiO2 膜の作製
高城信二,関口敦,三戸英夫
真空, 1988年, ［査読有り］

Induction heated plasma assisted chemical vapor deposition of SiN
Hideo Mito; Atsushi Sekiguchi
J. Vac. Sci. Technol. A, 1986年, ［査読有り］

Interactions of Excited Lithium Atom with Molecular Hydrogen. II. Properties of Wave Functions in the Potential Crossing Region
Kiniko Mizutani; Takakazu Yano; Atsushi Sekiguchi; Kazuko Hayashi and Shiro Matsumoto
Bull. Chem. Soc. Jpn., 1984年, ［査読有り］

DEPOSITION AND PROPERTIES OF a-Si:H BY CYLINDRICAL DIODE GLOW DISCHARGE
K. Tsuji; S. Minomura; T. Hiraga; A. Sekiguchi and M. Nagasaka
J. of Non-Crystalline Solids, 1983年, ［査読有り］

貫通電極形成
松橋亮,小出知昭,関口敦
電子材料, 2006年
ラスト(シニア)オーサー

MEMS 用金属膜の CVD による貫通配線
関口敦,小出知昭
電子材料, 2006年
筆頭著者, 責任著者

メタルＣＶＤ装置における液体流量制御の使用事例
関口敦
計測技術, 1997年, ［招待有り］
筆頭著者, 責任著者

Impact of gas type on formation of twin structure in the growth of a-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition
R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Importance of dissolving source precursor of Ga(C5H7O2)3 with HCl in mist CVD for α-Ga2O3 growth
R. Yamada; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM202), 2022年09月27日

ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響
山田梨詠、小林篤、上野耕平、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、藤岡洋、山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

Carrier gas type dependence of Ga2O3 thin film grown by mist Chemical Vapor Deposition
Rie Yamada; S. Takahashi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日, 工学院大学

Impacts of hydrochloric acid concentration and ,growth temperature on mist chemical vapor deposition ,growth of Ga2O3
Rie Yamada; Subaru Takahashi; Atsushi Sekiguchi; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda; and Tomohiro Yamaguchi
6th International Conference on Advanced Electromaterials, 2021年11月11日

ミスト化学気相成長法における塩酸と成長温度が酸化ガリウム成長に与える影響
山田梨詠,高橋昴,関口敦,尾沼猛儀,本田徹,山口智広
第82回応用物理学秋季学術講演会, 2021年09月13日, 公益社団法人 応用物理学会

銅−，バリア−ＣＶＤと高密度実装
関口敦,松橋亮
化学工学会 第４０回秋季大会, 2008年09月25日, 化学工学会, ［招待有り］

高速シリコンエッチングにおける形状異常の改善
真下公子,江上明宏,関口敦
第５２回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月31日, 応用物理学会

ポイントカスプ磁場(PCM)プラズマを使用したドライエッチング技術と半導体・MEMS 実装への応用
関口敦,真下公子,松橋亮
第１９回九州・山口プラズマ研究会, 2003年11月17日, 州・山口プラズマ研究会

化学気相成長法を用いたチップ貫通電極用銅配線の形成
小出知昭,関口敦
MES 2003第１３回マイクロエレクトロニクスシンポジウム, 2003年10月17日, エレクトロニック実装学会

Low Pressure Magnetron Sputtering by Using Extremely Strong Magnetic Field and Coverage Properties of Copper Films Grown as Advanced Seed Layer
H. Hazama; T. Matsuda; Y. Yanagi; A. Sekiguchi; U. Mizutani; K. Sakurai; Y. Itoh; H. Ikuta; T. Yamazaki; M. Hori; and A. Imai
Advanced Metallization Conference 2003, 13th Asian Session, 2003年09月30日, Advanced Metallization Conference Organization

強磁場マグネトロンによる極低圧長距離スパッタと高アスペクト穴への銅のカバレッジ特性
間広文,今井淳夫,松田隆,水谷宇一郎,生田博志,柳陽介,伊藤佳孝,櫻井和雄,関口敦,山崎登志成,堀勝
第６４回応用物理学会学術講演会, 2003年09月01日, 応用物理学会

Initial growth of CVD-Cu films for thin seed layer
Takafumi Kuninobu; Atsushi Sekiguchi; and Osamu Okada
Advanced Metallization Conference 2001 Asian Session, 2002年10月31日, Advanced Metallization Conference Organization

Integration of CVD Cu seed with CVD Cu barrier for Dual Damascene Cu Metallization
Sangkyun Park; K. Pfeifer; R. Augur; Masami Shibagaki; Atsushi Sekiguchi; Tomoaki Koide; Takafumi Kuninobu; and Susumu Akiyama
Advanced Metallization Conference 2002, 2002年10月02日, Advanced Metallization Conference Organization

バリア膜のシラン処理による改質とビア底への影響
関口敦,國信隆史,小出知昭,鈴木薫,若柳俊一,大塚喜隆
第４９回応用物理学関係連合講演会, 2002年03月28日, 応用物理学会

Vaporization Characteristics for Liquid Precursor of Cu-CVD
S. Akiyama; A. Sekiguchi; K. Yamada; K. Sekiya; T. Sasaki
American Vacuum Society 48th International Symposium, 2001年08月30日, American Vacuum Society

Conformal MOCVD-TiN Films Deposited from TDEAT and Ammonia
S. Q. Xiao; R. Tobe; K. Suzuki; X. B. Xu; A. Sekiguchi; H. Doi; O. Okada and N. Hosokawa
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1999 Asian Session, 1999年10月15日, Advanced Metallization Conference Organization

Conformal MOCVD-TiN Films Deposited from TDEAT and Ammonia
S. Q. Xiao; R. Tobe; K. Suzuki; X. B. Xu; A. Sekiguchi; H. Doi; O. Okada and N. Hosokawa
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1999 US Session, 1999年09月28日, Advanced Metallization Conference Organization

Optimization of Copper CVD Film Properties Using the Precursor of Cu(hfac)(tmvs) with Variations of Additive Content
M. Zhang; A. Kobayashi; T. Koide; A. Sekiguchi; O. Okada; N. Hosokawa
International Interconnect Technology Conference 1999, 1999年05月24日, the IEEE Electron Devices Society

CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION CHANGE WITH LINE WIDTH FOR CVD Cu DAMASCENE INTERCONNECTION
Kazuyoshi Ueno; Yasuaki Tsuchiya; Nobukazu Itoh; Takamaro Kikkawa and Atsushi Sekiguchi
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997 US Session, 1997年10月01日, Advanced Metallization Conference Organization

Ultra-Low Resistance Direct Contact Cu Via Technology Using In-situ Chemical Vapor Cleaning
Y. Tsuchiya; K. Ueno; V. M. Donnelly; T. Kikkawa; Y. Hayashi; A. Kobayashi; A. Sekiguchi
1997 Symposium on VLSI Technology, 1997年06月11日, the IEEE Electron Devices Society and Solid-State Circuits Society, and the Japan Society of Applied Physics in cooperation with the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

The deposition rates for Cu-CVD with Cu(hfac)(tmvs)
A. Kobayashi; A. Sekiguchi; K. Ikeda; O. Okada; K. Ueno and Y. Tsuchiya
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996, 1996年10月01日, Advanced Metallization Conference Organization

LOW TEMPERATURE AND LOW PRESSURE PROCESS METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) OF SUPERIOR BARRIER LAYER IN ADVANCED ULSI DEVICES
A. Sekiguchi; H. Jimba; S. W. Kim; T. Yoshimura; K. Watanabe; S. Mizuno; S. Hasegawa; O. Okada; N. Takahashi and N. Hosokawa
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995 Japan Session, 1995年10月25日, Advanced Metallization Conference Organization

Micrometer Patternning of Phthalocyanine Derivatives by Selective Chemical Vapor Deposition Method
A. Sekiguchi; K. Pasztor; N. Shimo; H. Masuhara
American Vacuum Society 38th National Symposium, 1991年11月12日, American Vacuum Society

Epitaxial growth of Al(100) on Si(100) by Gas-Temperature-Controlled Chemical Vapor Deposition
Atsushi Sekiguchi; Tsukasa Kobayashi; Naokichi Hosokawa and Tatsuo Asamaki
The 21st Conference on Solid State Devices and Materials, 1989年08月29日, The Japan Society of Applied Physics

特許第4634572号, 特開2001-355069, 特願2000-178706, 銅薄膜形成方法
張 敏娟,秋山 進,関口 敦

特許第4435388号, 特開2002-38267, 特願2000-224482, 銅薄膜形成方法
張 敏娟,小林 明子,関口 敦

特許第4338246号, 特開2000-219968, 特願平11-13095, Ｃｕ－ＣＶＤプロセス用原料とＣｕ－ＣＶＤ装置
小林 明子,小出 知昭,張 敏娟,関口 敦,岡田 修

特許第4327407号, 特開2003-282572, 特願2002-85757, 銅配線膜形成方法
若柳 俊一,鈴木 薫,國信 隆史,小出 知昭,大塚 喜隆,関口 敦

特許第4317275号, 特開平11-131233, 特願平10-241138, 窒化チタン薄膜の作製方法及びＣＶＤ装置
金 瑞元,神馬 仁志,関口 敦,戸部 了己

特許第4304547号, 特開平11-274106, 特願平10-92399, 枚葉式ＣＶＤ装置および枚葉式ＣＶＤ方法
岡田 修,関口 敦

特許第4300259号, 特開2002-217202, 特願2001-13621, 銅配線膜形成方法
関口 敦,小林 明子,小出 知昭,張 敏娟,砂山 英樹,肖 石琴,鈴木 薫

特許第4260283号, 特開2000-332020, 特願平11-135591, Ｃｕ配線膜形成方法
戸部 了己,土井 浩志,関口 敦

特許第4248056号, 特開2000-96243, 特願平10-287321, ＣＶＤ法による金属銅薄膜作製方法およびＣＶＤ装置
小林 明子,小出 知昭,関口 敦

特許第4180864号, 特開2004-107785, 特願2002-276150, 導電性膜の選択成長法及びプリント配線基板
関口 敦,小出 知昭,國信 隆史

特許第4162779号, 特開2000-144420, 特願平10-313489, ＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法
張 敏娟,小林 明子,小出 知昭,関口 敦,岡田 修

特許第4049423号, 特開平11-140652, 特願平9-320429, 成膜処理装置内の付着金属膜のクリーニング方法
小出 知昭,小林 明子,高 尚台,関口 敦,岡田 修

特許第3950774号, 特開2004-111877, 特願2002-276151, 導電性膜の製造方法
関口 敦,小出 知昭,國信 隆史,高井 治,杉村 博之

特許第3950494号, 特開平9-320991, 特願平8-159142, 窒化チタン薄膜の作製方法
戸部 了己,関口 敦

特許第3718297号, 特開平10-64849, 特願平8-229392, 薄膜作製方法および薄膜作製装置
神馬 仁志,金 瑞元,関口 敦

特許第3685216号, 特開平9-55360, 特願平7-227324, 窒化チタン薄膜の作成方法及び薄膜デバイス
金 瑞元,神馬 仁志,関口 敦

特許第3563819号, 特開平8-269720, 特願平7-96167, 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置
神馬 仁志,金 瑞元,関口 敦

特許第3418478号, 特開平8-264517, 特願平7-96168, 薄膜作製装置
神馬 仁志,金 瑞元,関口 敦

特許第3356871号, 特開平7-273051, 特願平6-82616, 薄膜作製方法および装置
関口 敦,小林 司,沼尻 憲二,小林 明子

特許第3327618号, 特開平6-280027, 特願平5-91812, プラズマ処理装置
関口 敦,戸部 了己

特許第3296863号, 特開平6-158321, 特願平4-334888, チタン系薄膜の作製方法
関口 敦,戸部 了己

特許第3255981号, 特開平6-192000, 特願平4-244543, 有機物ウィスカー結晶の成長方法
関口 敦,下 紳郎,増原 宏

特許第2969596号, 特開平3-122281, 特願平1-261394, ＣＶＤ装置
小林 司,関口 敦,神馬 仁志

特許第2879568号, 特開平2-248302, 特願平1-67437, 酸化物超電導体の作製方法および装置
伊原 英雄,寺田 教男,城 昌利,高城 信二,関口 敦,石橋 啓次,平田 和男

特許第2795868号, 特開平3-17271, 特願平1-13567, ＣＶＤ装置
小林 司,関口 敦,高城 信二

特許第2786224号, 特開平2-194177, 特願平1-13569, 薄膜作製装置および方法
関口 敦,高城 信二,小林 司

特許第2775648号, 特開平3-177576, 特願平1-332890, ＣＶＤ方法
細川 直吉,小林 司,関口 敦,高城 信二

特許第2762367号, 特開平3-72077, 特願平1-205605, ＣＶＤ方法
小林 司,関口 敦,高城 信二

特許第2631650号, 特開昭63-142636, 特願昭61-289920, 真空装置
麻蒔 立男,三戸 英夫,中川 行人,関口 敦

特許第2614676号, 特開平4-333568, 特願平3-105496, 薄膜製造方法と薄膜デバイス
関口 敦,下 紳郎

特許第2544185号, 特開平2-47263, 特願昭63-198553, 薄膜作製装置および方法
高城 信二,関口 敦,小林 司

特許第2516040号, 特開平1-212777, 特願昭63-36265, 薄膜形成方法および装置
高城 信二,関口 敦

特公平8-26460, 特開平1-119674, 特願昭62-254268, 成膜装置および方法
関口 敦,高城 信二,小林 司

特公平7-91655, 特開平4-88174, 特願平2-202478, 表面処理方法および装置
関口 敦,神馬 仁志,荒川 浩

特公平7-74450, 特開平1-165774, 特願昭62-324527, 表面処理装置
関口 敦,高城 信二

特公平7-47830, 特開昭63-45386, 特願昭61-190058, 表面処理装置
野間 弘二,関口 敦,高城 信二

特公平6-90131, 特開昭60-196651, 特願昭59-53893, 成膜モニター方法
関口 敦

特公平6-82666, 特開平1-243547, 特願昭63-71160, 電子デバイス
関口 敦,小林 司,高城 信二

特公平6-63095, 特開平2-104667, 特願昭63-258015, ＣＶＤ装置
小林 司,関口 敦,高城 信二

特公平6-60408, 特開平2-163379, 特願昭63-318147, 薄膜作製方法および装置
関口 敦,高城 信二,小林 司,中村 昇

特公平6-35663, 特開昭63-166971, 特願昭61-310682, 表面処理方法および装置
関口 敦,三戸 英夫,麻蒔 立男,森 澄雄,金 京植,野間 弘二,高城 信二

特公平6-23429, 特開平2-38569, 特願昭63-189177, シリコン基板上にアルミニウムの平滑な薄膜を作製する方法とそれを用いた光学的反射鏡
細川 直吉,小林 司,関口 敦,高城 信二,麻蒔 立男

2024年05月
CVD成膜装置の開発とCVD技術普及への貢献
公益社団法人 日本表面真空学会, 真空と表面の匠
関口 敦, CVD成膜装置の開発とCVD技術普及への貢献, その他の賞, 日本国

2022年05月
真空ウォーキングコース開催に関する協力に関して
一般社団法人 日本真空工業会, 感謝賞
関口 敦,鷹野 一朗,桑折 仁, 真空ウォーキングコース開催に関する協力に関して, 出版社・新聞社・財団等の賞, 日本国

2013年02月
社内実験設備に関する電力モニターシステムの構築と消費電力削減活動
川崎市, かわさき環境ショーウインドウ大賞 2012
関口 敦,他, 社内実験設備に関する電力モニターシステムの構築と消費電力削減活動, その他の賞, 日本国

2019年04月01日 - 2022年03月31日
ナノ空間の表面効果による真空コンダクタンスの気体依存性
基盤研究(C), 工学院大学