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山口　智広

先進工学部　応用物理学科教授

経歴

  • 2021年04月 - 現在
    工学院大学, 先進工学部 応用物理学科, 教授
  • 2015年04月 - 2021年03月
    工学院大学, 先進工学部 応用物理学科, 准教授
  • 2019年07月 - 2019年09月
    Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Berlin, Germany
  • 2011年04月 - 2015年03月
    工学院大学, 工学部 情報通信工学科, 准教授
  • 2011年04月 - 2012年03月
    立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 客員研究員
  • 2010年04月 - 2011年03月
    立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構（R-GIRO), ポストドクトラルフェロー
  • 2007年04月 - 2010年03月
    立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー
  • 2004年01月 - 2007年03月
    University of Bremen（Germany)

所属学協会

  • 2009年07月 - 現在
    応用物理学会 結晶工学分科会
  • 2001年09月 - 現在
    応用物理学会
  • 2000年05月 - 現在
    日本結晶成長学会

ID各種

  • ID各種

    研究者番号：50454517
    researchmap会員ID：6000028444
    J-Global ID：201101019043058621

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学, 電子・電気材料工学
  • ナノテク・材料, 結晶工学, 結晶工学

研究キーワード

  • 化合物半導体の結晶成長とデバイス応用

研究テーマ

  • 2017年08月01日 - 現在
    可視光給電・可視光通信
  • 2012年04月01日 - 現在
    酸化物半導体結晶成長
  • 2011年04月01日 - 現在
    窒化物半導体結晶成長

書籍等出版物

  • Indium Nitride and Related alloys (eds. T. D. Veal,C. F. McConville and W. J. Schaff) Chap. 1
    Y. Nanishi; T. Araki and T. Yamaguchi, 共著
    CRC Press Taylor & Francis Group, 2009年08月
  • Indium Nitride and Related alloys (eds. T. D. Veal,C. F. McConville and W. J. Schaff) Chap. 1
    CRC Press Taylor & Francis Group, 2009年
  • Vacuum Science and Technology: Nitrides as seen by the technology 2002 (Eds.: T. Paskova and B. Monema) Chap. 17
    Research Sigpost, 2003年
  • Vacuum Science and Technology: Nitrides as seen by the technology 2002 (Eds.: T. Paskova and B. Monema) Chap. 17
    Y. Nanishi; Y. Saito and T. Yamaguchi, 共著
    Research Sigpost, 2003年01月

論文

MISC

講演・口頭発表等

  • Deposition of transparent conducting oxide thin films using pressed powder targets
    M. R. Vasquez Jr.; R. G. B. Madera; T. Yamaguchi
    7th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics, 2023年11月13日
  • ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術
    進藤隆太、赤川広海、山口智広、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、富樫理恵、岸野克巳
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日
  • (10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光
    赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長－GaInNの成長温度依存性－
    竹内丈、佐々木拓生、大熊豪、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • 各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
    山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • 高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
    小川広太郎、高坂亘、日下皓也、三富俊希、山口智広、本田徹、太田優一、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討
    山田魁、山田琴乃、山田梨詠、山本拓実、櫻井辰大、尾沼猛儀、山口智広、青木徹、中野貴之、本田徹
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化
    山田琴乃、山本拓実、山田梨詠、山田魁、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日
  • III族不純物ドープMgO薄膜の正孔捕獲中心
    三富俊希、高坂亘、松田真樹、小川広太郎、日下皓也、太田優一、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日
  • Growth of AZO thin films from pressed-sintered powder targets under subatmospheric conditions
    R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr.
    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20), 2023年08月03日
  • Growth of GaInN/GaInN MQWs on nanocolumns with thick GaInN buffer layer using RF-MBE
    H. Akagawa; J. Yamada; T. Yamaguchi; R. Togashi; T. Onuma; I. Nomura; T. Honda; K. Kishino
    20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20), 2023年07月31日
  • Far UV optical properties of MgO homoepitaxial and Zn doped MgO films prepared by mist chemical vapor deposition method
    T. Onuma; W. Kosaka; H. Kusaka; K. Ogawa; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
    The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD2023), 2023年06月06日, ［招待有り］
  • Sub-bandgap Transition in β-Ga2O3 Crystals Measured by Photoluminescence Excitation Spectroscopy
    T. Onuma; R. Adachi; K. Shoji; T. Yamaguchi; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Honda; M. Higashiwaki
    Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023), 2023年06月01日
  • 発光径Φ5μmのナノコラム発光デバイスの作製
    山田純平、水野愛、赤川広海、吉村賢哉、高橋昂司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日
  • N2 および Ar/H2 アニールによる SnOx 薄膜の還元状態の比較
    渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日
  • Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積したSnOx薄膜におけるN2濃度の影響
    川口拓真、渡辺幸太郎、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日
  • Mist CVD法による各種In系粉末を出発原料に用いたα-In2O3の成長機構に関する検討
    山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  • Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作
    田口義士、山寺真理、山本拓実、林佑哉、村山衛、小川広太郎、本田徹、尾沼猛儀、金子健太郎、相川真也、藤田静雄、山口智広
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  • 窒素RFパワー変化によるナノコラム結晶のGaInNバッファ層形状均一化の検討
    赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  • その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察
    竹内丈、佐々木拓生、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  • 岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル（II）
    日下皓也、高坂亘、小川広太郎、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  • ミストCVD法によるIII族ドープ岩塩構造MgZnO薄膜成長
    松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
    第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  • Crystal growth of Cu3N by mist CVD with ethylenediamine
    S. Yoshida; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Growth of ZnO thin films via magnetron sputtering using a custom-made sintered target
    R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Study for composition control in mist CVD growth of α-GIO alloys
    K. Yamada; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Investigation on the stability of source solution for the α-In2O3 growth by mist CVD
    T. Yamamoto; A. Taguchi; R. Yamada; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Roles of In doping in rocksalt-structured MgZnO films grown by mist CVD method
    M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Realization of high mobility in α-In2O3 film grown by mist CVD with different concentration of In2O3 powder as source precursor
    A. Taguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • TEM evaluation of in-situ nitrogen plasma irradiated GaInN
    A. Tokushige; S. Ohno; Y. Hayakawa; T. Honda; T. Onuma; T. Yamaguchi
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Electrical property and valence band offset in conductive MgNiO on sapphire substrates
    M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Growth and characterization of AlGaN and multiple quantum wells with varying III/V ratios by RF-MBE
    M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Structural analysis in epitaxial growth of GaInN by RF-MBE using XRD-RSM
    J. Takeuchi; T. Sasaki; H. Yokoyama; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日
  • Twin-free α-Ga2O3 films grown by mist CVD on (0001) α-Al2O3 substrates
    R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
    The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月24日
  • Fabrication of monolithic blue micro-LED pixels and investigation of full colorization
    H. Chikui; S. Takeda; T Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月17日
  • Roles of In doped in MgZnO films grown by mist CVD method
    M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日
  • Photocurrent spectra of rocksalt-structured MgZnO films in vacuum UV spectral range
    H. Kusaka; W. Kosaka; K. Ogawa; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日
  • Realization of near-band-edge cathodoluminescence in 190 nm wavelength range by rocksalt-structured MgZnO epitaxial films
    T. Onuma; K. Ogawa; W. Kosaka; H. Kusaka; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日
  • Impact of gas type on formation of twin structure in the growth of a-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition
    R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日
  • Growth and optical characteristics of high-Al content AlGaN on AlN templates by RF-MBE,under metal-rich conditions
    M. Hayasaki; N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日
  • Local composition distribution in high Al content AlGaN/AlN quantum wells grown by RF-MBE
    M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
    The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日
  • Mist CVD 法により成長した酸化インジウムの高移動度化に伴う新機能開拓
    田口義士、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Mist CVD 法 α-Ga2O3成長時に形成される双晶抑制に関する研究
    山田梨詠、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Mist CVD 法 α-In2O3 成長における原料溶液中の反応に関する検討
    山本拓実、永井裕己、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • RF-MBE による GaInN 成長における歪み緩和制御
    竹内丈、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • 岩塩構造 MgZnO/MgO ヘテロ接合の製作とバンドアライメント解析
    松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • RF-MBE による β-Ga2O3(-201)基板上への AlN 及び GaN 成長において成長前処理が成長層に及ぼす影響
    山口朋也、早崎真洸、山口智広、本田徹、桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Mist CVD 法を用いた Cu3N 成長における原料溶液の検討
    吉田将吾、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • 顕微フォトルミネッセンス分光による β-Ga2O3 結晶の微細構造の可視化検討
    庄司昂平、嘉数誠、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • in-situ 窒素プラズマ照射された MBE 成長 GaInN の TEM 評価
    徳重明人、大野颯一朗、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Fabrication of Nitrogen-doped TiO2 thin films
    M. Martinez; M. R. Vasquez Jr.; T. Yamaguchi
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Growth of ZnO thin films via magnetron sputtering using isostatically pressed-sintered powder targets
    R. G. Madera; M. R. Vasquez Jr.; T. Yamaguchi
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • RF-MBE 成長した Ga 極性及び N 極性 GaN 薄膜の比較検討
    板橋大樹、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • ナノコラム成長における GaInN/GaInN MQWs のⅤ-Ⅲ族比依存性
    赤川広海、山口智広、岸野克巳
    第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日
  • Experimental investigation of the local bonding states of nitrogen-doped SnOx thin-film
    K. Watanabe; T. Kawaguchi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; S. Aikawa
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022), 2022年11月10日
  • Optimization of N2 concentration in Ar/N2 sputtering deposition for p-type N-doped SnOx thin-film
    T. Kawaguchi; T. Kawaguchi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; S. Aikawa
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022), 2022年11月10日
  • Microstructural characterization of β-Ga2O3,crystals by photoluminescence mapping measurements
    K. Shoji; M. Nakanishi; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日
  • Impact of RF power on electrical property of NiO films grown by RF magnetron spattering
    Akito Ishikawa; M. Murayama; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日
  • RF-MBE growth of Mg doped GaN on β-Ga2O3,(-201) substrates
    T. Yamaguchi; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日
  • P-type conductivity in MgxNi1-xO films deposited on sapphire substrates by RF magnetron sputtering
    M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日
  • Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist CVD
    A. Taguchi; K. Kaneko; K. Goto; T. Onuma; T. Honda; Y. Kumagai; S. Fujita; T. Yamaguchi
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日
  • Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown by mist CVD method
    A. Taguchi; T. Onuma; K. Goto; K. Kaneko; Y. Kumagai; T. Honda; S. Fujita; T. Yamaguchi
    41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日
  • Analyses of Band Alignment in Rocksalt-structured MgZnO/MgO Interface Grown by Mist CVD
    M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
    41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日
  • Importance of dissolving source precursor of Ga(C5H7O2)3 with HCl in mist CVD for α-Ga2O3 growth
    R. Yamada; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM202), 2022年09月27日
  • ナノコラム形状制御技術を用いた赤色発光ナノコラムμ-LED構造の成長と作製
    山田純平、水野愛、赤川広海、吉村賢哉、高橋昂司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日
  • ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響
    山田梨詠、小林篤、上野耕平、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、藤岡洋、山口智広
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日
  • ミストCVD法によるInドープMgZnO薄膜の成長
    松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日
  • 岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル
    日下皓也、高坂亘、小川広太郎、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日
  • InドープMgO薄膜の発光特性
    高坂亘、小川広太郎、松田真樹、日下皓也、太田優一、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日
  • その場XRD-RSM を用いたRF-MBE GaInNヘテロエピタキシャル成長における緩和過程観察
    竹内丈、佐々木拓生、藤川誠司、横山晴香、尾沼 猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日
  • RF-MBEによるInN緩衝層を用いたGaInNの格子緩和制御
    板橋大樹、吉田 涼介、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日
  • THVPE法におけるInGaN薄膜成長の膜厚制御性とヘテロ構造の検討
    小林伊織、江間研太郎、山田千帆、山口智広、村上尚
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  • Mist CVD法を用いたCu3N成長における安定した原料供給の検討
    吉田将吾、山田魁、山口智広、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  • 窒素アニール還元反応によるSnOx薄膜の局所結合状態
    渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛義、本田徹、相川慎也
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  • Ar/N2混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化SnOx­­­の特性評価
    川口拓真、渡辺幸太郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  • Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
    田口義士、尾沼猛儀、後藤健、金子健太郎、熊谷義直、本田徹、藤田静雄、山口智広
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  • RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果
    山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西憓之、岸野克巳
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日
  • 赤色ナノコラム成長におけるGaInNバッファ層のⅤ/Ⅲ族比依存性
    赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日
  • Mist CVD法による(Ga1-xInx)2O3混晶成長の組成制御に向けた検討
    山田魁、山田梨詠、田口義士、高橋昴、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日
  • Mist CVD 法における原料溶液中の反応がα-In2O3成長に与える影響
    山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日
  • 岩塩構造MgZnOの結晶成長とサブ200 nmの発光特性評価
    尾沼猛儀、山口智広、本田徹、小川広太郎、太田優一、金子健太郎、藤田静雄
    第387回蛍光体同学会講演会, 2022年06月03日, ［招待有り］
  • Vacuum UV emission property of Zn-doped MgO films grown by mist chemical vapor deposition method
    W. Kosaka; K. Ogawa; K. Kusaka; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
    The 5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD5), 2022年06月03日
  • Vacuum UV Emission Property of Zn-doped MgO films
    W. Kosaka; K. Ogawa; H. Kusaka; 1 K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’22 (LEDIA ’22), 2022年04月21日
  • Electrical Property and Band-offset in MgxNi1-xO Films Deposited on Sapphire Substrates by RF Magnetron Sputtering
    M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’22 (LEDIA ’22), 2022年04月21日
  • ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO薄膜の室温真空紫外線発光
    小川 広太郎、高坂 亘、日下 皓也、芹澤 和泉、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、本田 徹、尾沼 猛儀
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日
  • 時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価
    高坂 亘、小川 広太郎、日下 皓也、金子 健太郎、山口 智広、嶋 紘平、藤田 静雄、本田 徹、秩父 重英、尾沼 猛儀
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日
  • 岩塩構造MgZnO/MgO界面におけるバンドアライメント解析
    松田 真樹、小川 広太郎、太田 優一、山口 智広、金子 健太郎、藤田 静雄、本田 徹、尾沼 猛儀
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日
  • 出発原料にIn2O3パウダーおよびIn(acac)3を用いたMist CVD法によるα-In2O3成長と電気的特性評価
    田口 義士、金子 健太郎、藤田 静雄、尾沼 猛儀、本田 徹、山口 智広
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  • β-Ga2O3(-201)基板へのAlNとGaNのRF-MBE成長.
    山口 朋也、早崎 真洸、橋本 真理、山口 智広、本田 徹、尾沼 猛儀、桝谷 聡士、佐々木 公平、倉又 朗人
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  • RF-MBE法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸成長と発光特性の評価
    早崎 真洸、橋本 真里、山口 朋也、山口 智広、本田 徹、尾沼 猛儀
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  • RF-MBEによる多層膜緩衝層を用いた低転位密度GaInNの製作
    板橋 大樹、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  • TEMによるMist CVD法α-Al2O3基板上α-In2O3の結晶構造解析
    早川 優香、大野 颯一朗、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、今野 豊彦
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  • 赤色発光MQWsを有するInGaN系ナノコラムにおけるAlGaN障壁層のAl組成依存性
    山田 純平、本田 達也、水野 愛、富樫 理恵、野村 一郎、山口 智広、本田 徹、岸野 克巳
    第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月23日
  • Impact of Ga1-xInxN underlayer for growth of Ga1-yInyN/Ga1-xInxN MQW,structure
    T. Yamaguchi; K. Tahara; J. Yamada; T. Sasaki; H. Yokoyama; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi; and K. Kishino
    The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST), 2022年03月05日, ［招待有り］
  • Fabrication of far-UV emitter around 200 nm ,using ultrawide bandgap semiconductor,structure
    T. Onuma; W. Kosaka; M. Hashimoto; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST), 2022年03月05日, ［招待有り］
  • Spatially resolved cathodoluminescence studies on alpha-In2O3 films,grown by mist CVD method
    A. Taguchi; K. Shima; M. Matsuda; T. Onuma; T. Honda; S. F. Chichibu; and T. Yamaguchi
    The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST), 2022年03月05日, ［招待有り］
  • Far-UV emission around 200 nm in rocksalt-structured MgZnO
    T. Onuma; W. Kosaka; S. Hoshi; K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Ota; K. Ogawa; I. Serizawa; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) and The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022), 2022年01月13日
  • RFマグネトロンスパッタ中の酸素プラズマの状態が酸化ニッケルの抵抗率に与える影響
    村山衛、石川明人、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
    第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日
  • RF-MBEによる格子緩和制御層上高In組成GaInN MQWの成長と評価
    松田 真樹、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日
  • Mist CVD成長a-In2O3薄膜の電気的特性評価
    田口義士、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日
  • 真空紫外域で発光する岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
    小川 広太郎、高坂 亘、工藤 幹太、芹澤 和泉、山口 智広、本田 徹、金子 健太郎、藤田 静雄、尾沼 猛儀
    第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日
  • ミストCVD法により成長したRS-MgZnOにおける深紫外PL寿命の評価
    高坂亘、工藤幹太、石井恭平、小野瑞生、金子健太郎、山口智広、嶋紘平、小島一信、藤田静雄、本田徹、秩父重英、尾沼猛儀
    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会, 2021年12月09日
  • Growth and optical characteristics of high-AlN content AlGaN on AlN templates by RF-MBE under metal-rich conditions
    M. Hayasaki; N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
    2021 MRS Fall Meeting, 2021年12月08日
  • Al flux control in growth of AlN on AlN templates by RF-MBE under metal-rich conditions
    T. Yamaguchi; N. Tachibana; M. Hashimoto; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
    2021 MRS Fall Meeting, 2021年12月08日
  • 出発原料に酸化インジウムパウダーを用いたMist CVD法による酸化インジウム薄膜成長
    田口 義士、高橋 昴、尾沼 猛儀、本田 徹、山口 智広
    第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2021年12月04日
  • ミストCVDにおけるGa2O3薄膜の成長特性
    山田 梨詠、高橋 昴、尾沼 猛儀、本田 徹、山口 智広
    第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2021年12月04日
  • Mist CVD法によるalpha-In2O3成長に及ぼす 原料溶液混合経過時間の影響
    山本 拓実、田口 義士、永井 裕己、関口 敦、尾沼 猛儀、本田 徹、佐藤 光史、山口 智広
    第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2021年12月04日
  • 石英ガラス基板上岩塩構造MgZnOにおける殺菌用UVC発光
    高坂 亘、工藤 幹太、山口 智広、本田 徹、尾沼 猛儀
    第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2021年12月04日
  • 赤色発光LEDの製作に向けた RF-MBEによる緩和制御層上GaInN周期構造の成長と評価
    松田 真樹、吉田 涼介、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    第13回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2021年12月04日
  • Mist CVDを用いたGTO薄膜成長におけるSnドープ量変化の影響
    山田琴乃、山田梨詠、尾沼猛儀、本田徹、永井裕己、山口智広
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • Mist CVDβ型酸化ガリウム成長に塩酸が与える影響
    杉谷諒、田口義士、山田梨詠、山本拓実、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • RF-MBE法によるAlGaN/AlNヘテロ構造と量子井戸構造の成長と評価
    早崎真洸、山口朋也、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • ミストCVD法により成膜したInドープMgO薄膜の発光特性
    高坂亘、小川広太郎、松田真樹、日下皓也、太田優一、金子健太郎、藤田静雄、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • RF-MBEによるβ-Ga2O3(-201)基板へのMgドープGaNヘテロ構造の製作
    山口朋也、早崎真洸、橋本真理、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • InドープMgZnO薄膜のミストCVD成長
    松田 真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、本田徹
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • micro-LED集積化における側面の制御による電極の形成
    山崎大和、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • 岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛MSM型真空紫外センサーの受光感度の温度依存性
    日下皓也、小川広太郎、金子健太郎、藤田静雄、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日
  • Carrier gas type dependence of Ga2O3 thin film grown by mist Chemical Vapor Deposition
    R. Yamada; S. Takahashi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月24日
  • Growth of GaInN multi quantum well on strain-controlled layer by RF-MBE toward realization of light emitting diodes operating in red spectral region
    M. Matsuda; R. Yoshida; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月24日
  • Improvement of Electrical Property of α-In2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Using In2O3 Powder as Source Precursor
    A. Taguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Residual strain in GaN nanocolumns grown on Si(111)
    N. Goto; Y. Hosoya; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Identification of Killer Defects in β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes by Raman Mapping Measurements
    M. Nakanishi; K. Shoji; S. Masuya; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Relationship between resistivity of NiO thin films and oxygen plasma condition at different deposition pressures
    M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Well width dependence on residual strain in high In composition GaInN/GaInN MQW by RF-MBE
    K. Tahara; J. Yamada; T. Yamaguchi; Y. Nanishi; T. Onuma; T. Honda; and K. Kishino
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Emission Properties of Rocksalt-structured MgZnO Microcrystals for VUV Light Emitter
    W. Kosaka; S. Hoshi; K. Kanta; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Impact on InN Buffer Layer Inserted into GaInN/GaN Interfaces By RF-MBE
    D. Itabashi; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日
  • Impacts of hydrochloric acid concentration and growth temperature on mist chemical vapor deposition growth of Ga2O3
    R. Yamada; S. Takahashi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
    The 6th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2021), 2021年11月11日
  • Role of Ca in CaF2 incorporated In2O3 transparent conductive films
    K. Oe; S. Mori; K. Watanabe; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda and S. Aikawa
    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月29日
  • Demonstration of flexible transparent conductive film using B-doped In2O3
    S. Mori; Y. Ichinoseki; K. Watanabe; K. Murano; K. Oe; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda and S. Aikawa
    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月29日
  • Charge transfer and conduction type conversion in n-type SnO2 thin films by nitrogen annealing
    K. Watanabe; T. Kawaguchi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda and S. Aikawa
    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月26日
  • Evaluation of radiation detection characteristics by α-Ga2O3
    H. Nakagawa; R. Yamada; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Nakano; T. Aoki
    The 19th International Conference on Global Research and Education inter-Academia 2021, 2021年10月21日
  • Impact of oxygen plasma condition on resistivity of RF magnetron sputtered NiO thin films
    M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
    40th Electronic Materials Symposium, 2021年10月11日
  • Evaluation of Microstructures in β-Ga2O3 Crystals Using Raman Mapping
    M. Nakanishi; K. Shoji; S. Masuya; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
    40th Electronic Materials Symposium, 2021年10月11日
  • 緩和制御層上GaInN周期構造のRF-MBE成長と評価
    松田 真樹、吉田 涼介、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月23日
  • 緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価
    庄司 昂平、中西 雅彦、桝谷 聡士、佐々木 公平、倉又 朗人、嘉数 誠、本田 徹、山口 智広、尾沼 猛儀
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月21日
  • ミスト化学気相成長法における塩酸と成長温度が酸化ガリウム成長に与える影響
    山田 梨詠、髙橋 昴、関口 敦、尾沼 猛儀、本田 徹、山口 智広
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  • Mist CVD法による酸化インジウムパウダーを用いたα-In2O3成長
    田口 義士、金子 健太郎、藤田 静雄、尾沼 猛儀、本田 徹、山口 智広
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  • (0001)および（10-11）面 InGaN/GaN ナノコラム上 InGaN/AlGaN MQWs の発光特性
    山田 純平、本田 達也、水野 愛、富樫 理恵、野村 一郎、山口 智広、本田 徹、岸野 克巳
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  • ZnドープMgO薄膜の発光特性
    高坂 亘、小川 広太郎、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、本田 徹、尾沼 猛儀
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • MgO単結晶の真空紫外励起子スペクトル
    尾沼 猛儀、高坂 亘、工藤 幹太、太田 優一、山口 智広、金子 健太郎、藤田 静雄、本田 徹
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • 窒素アニールによるn型SnO2薄膜の電荷移動と伝導型変換
    渡辺 幸太郎、川口 拓真、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • 195 nmで発光する岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
    小川 広太郎、高坂 亘、工藤 幹太、芹澤 和泉、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、本田 徹、尾沼 猛儀
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • BドープIn2O3透明導電膜における微量不純物濃度での移動度向上
    森 峻、一関 夢希也、渡辺 幸太郎、大榮 海斗、永井 裕己、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • CaF2ドープIn2O3透明導電膜における表面ラフネスおよび導電率のドーパント濃度依存性
    大榮 海斗、森 峻、渡辺 幸太郎、永井 裕己、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • ハニカム配列GaInN/GaNナノコラムLEDの製作プロセス
    上野 彰大、今村 暁、山田 純平、本田 達也、大音 隆男、山口 智広、冨樫 理恵、野村 一郎、本田 徹、岸野 克巳
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  • RF-MBE法によるGaInN/GaInN多重量子井戸成長と評価
    田原 開悟、山田 純平、山口 智広、名西 憓之、尾沼 猛儀、本田 徹、岸野 克巳
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  • CaF2ドープ In2O3透明導電膜における Ca と F の効果
    大榮 海斗、渡辺 幸太郎、永井 裕己、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月03日
  • 窒素アニールによる n 型 SnOx薄膜の伝導型変換
    渡辺 幸太郎、川口 拓真、若林 那旺、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月03日
  • B ドープ In2O3透明導電膜におけるドーパント濃度の依存性
    森 峻、渡辺 幸太郎、大榮 海斗、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹、相川 慎也
    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月02日
  • VUV Emission Properties Of Rocksalt-structured MgZnO Microcrystals Prepared On Quartz Glass Substrates
    W. Kosaka; S. Hoshi; K. Kudo; Y. Igari; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
    Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日
  • Growth of AlGaN on AlN template by RF-MBE and deep UV sensor characteristics
    M. Hashimoto; N. Tachibana; M. Nakanishi; J. Cho; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
    Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日
  • Mist CVD growth of alpha-In2O3 films using indium oxide powder as source precursor
    A. Taguchi; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; K. Kaneko; and S. Fujita
    Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日
  • Energy conversion efficiency under different input electrical power conditions in visible-LED-based OWPT system
    H. Yokoyama; N. Yosuke; T. Yamaguchi; T. Miyamoto; T. Onuma; and T. Honda
    The 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2021), 2021年04月20日
  • Deep UV optical properties of high-Mg-content rocksalt-structured MgZnO
    T. Onuma; K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
    Materials Research Society, 2021 Spring Meeting, 2021年04月18日, ［招待有り］
  • 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価
    中西 雅彦、飯塚 万友、庄司 昂平、桝谷 聡士、嘉数 誠、山口 智広、本田 徹、佐々木 公平、倉又 朗人、尾沼 猛儀
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月19日
  • 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討
    熊谷 義直、後藤 健、富樫 理恵、山口 智広、村上 尚
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  • GaN系ナノコラムにおけるn-GaN平坦層がInGaN/AlGaN MQWs発光層に与える影響
    山田 純平、本田 達也、吉田 圭吾、富樫 理恵、野村 一郎、山口 智広、本田 徹、岸野 克巳
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  • GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化
    横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  • 合成石英基板上に成長した岩塩構造 MgZnO 微結晶の真空紫外域での発光特性
    高坂 亘、星 翔馬、工藤 幹太、猪狩 有生、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、尾沼 猛儀
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  • モノリシック青色マイクロLEDピクセルの製作とフルカラー化の検討
    筑井 大義、武田 翔馬、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日
  • TEMによるMist CVD法 (0001)α-Al2O3基板上α-In2O3の欠陥解析
    早川 優香、大野 颯一朗、山口 智広、木口 賢紀、高橋 昴、横尾 浩和、尾沼 猛儀、本田 徹
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月16日
  • Developments of Semiconductor-based UVC Emitters and Sensors for Sterilization
    T. Onuma; T. Yamaguchi; and Tohru Honda
    The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日, ［招待有り］
  • Impact of indium oxide powder as source precursor on α-In2O3 films grown by mist CVD
    A. Taguchi; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日
  • Impact of hydrochloric acid on the Mist CVD growth of Ga2O3
    R. Yamada; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日
  • Characterization of GaInN multi-layers grown on strain-controlled layer by RF-MBE
    M. Matsuda; R. Yoshida; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日
  • In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low‐temperature GaInN buffer layer
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; T. Kiguchi; S. Ohno; H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Onuma; T. Honda; and M. Takahasi; T. Araki; and Y. Nanishi
    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021年03月02日
  • Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of α-In2O3 films on α-Al2O3 substrates
    T. Yamaguchi; T. Nagata; S. Takahashi; T. Kiguchi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; K. Goto; Y. Kumagai; K. Kaneko; and S. Fujita
    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021年03月02日
  • 殺菌応用を目指した真空・深紫外線半導体発光材料の開発
    尾沼猛儀、工藤幹太、小野瑞生、橘直純、橋本真里、石井恭平、太田優一、金子健太郎、山口智広、藤田静雄、本田徹
    応用物理学会関西支部2020年度第1回＋第2回合同講演会「工業的空間殺菌技術の最前線」, 2021年01月27日, ［招待有り］
  • Fabrication of monolithic blue μ-LED pixels and their color conversion by phosphors
    S. Takeda; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日
  • Radiation patterns of MgO and AlN evaluated by angle-resolved cathodoluminescence measurements
    Y. Igari; K. Kudo; W. Kosaka; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
    The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日
  • Parametric study of fabrication processes of micro-LEDs array and characterization of emission properties
    H. Chikui; S. Takeda; T. Abe; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日
  • RF-MBE法による高In組成GaInN/GaInN周期構造の成長と評価
    田原開悟、吉田涼介、比留川大輝、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日
  • Mist CVD法における(0001)α-Al2O3基板上In2O3成長に塩酸が与える影響
    高橋 昴、山口 智広、木口 賢紀、関口 敦、金子 健太郎、藤田 静雄、永井 祐己、佐藤 光史、尾沼 猛儀、本田 徹
    第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日
  • 窒素イオン注入による酸化ガリウム結晶の光電流スペクトルの変化
    中西 雅彦、ワン マンホイ、山口 智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀
    第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日
  • ICP-RIEによるモノリシック青色μ-LEDピクセルの製作
    筑井 大義、武田 翔馬、阿部 龍弥、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹
    第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日
  • AlNテンプレート上のAlGaNの分極電場と深紫外線センサー特性の関係
    橋本真里、橘直純、中西雅彦、Jaehee Cho、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日
  • Designing Optically Isolated LED Arrays Embedded in Si Micro-cup Substrates
    K. Sato; Y. Iwata; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    International Display Workshops 2020, 2020年12月10日
  • 放射光を活用したGaInN結晶成長のその場観察
    横山 晴香、山口 智広
    第７回先進工学部イノベーションフォーラム（IFAEE-7）, 2020年10月31日
  • Comparison of Microstructures in alpha-Ga2O3 and alpha-In2O3 Films Grown on alpha-Al2O3 Substrates by Mist CVD
    Y. Hayakawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; S.Takahashi; H. Yokoo; T. Onuma; and T. Honda
    39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日
  • Growth of AlGaN on AlN Template by RF-MBE and Their Spectral Responsivity in Deep UV Spectral Region
    M. Hashimoto; N. Tachibana; M. Nakanishi; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
    39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日
  • Relationship between crystallinity and emission property in RF-MBE growth of GaN
    N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
    39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日
  • RF-MBE growth and characterization of high-In-content GaInN/GaInN multiple layers
    K. Tahara; R. Yoshida; H. Hirukawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月07日
  • Deep and Vacuum UV Emission Properties in Rocksalt-structured MgZnO
    T. Onuma; K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
    39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月07日
  • GaNのRF-MBE成長における結晶性と発光特性の関係
    橘 直純、橋本 真里、山口 智広、本田 徹、尾沼 猛儀
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  • 溶媒キャスト法を用いたLED素子分離用透明ポリイミド絶縁膜の形成
    佐藤 滉太、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  • GaInN/GaN成長時の格子緩和に対するSiアンチサーファクタントの効果
    横山 晴香、山口 智広、佐々木 拓生、大野 颯一朗、木口 賢紀、比留川 大輝、藤川 誠司、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  • RF-MBE成長した高In組成GaInN/ GaInN多重量子井戸における障壁層のIn組成と周期数が発光特性へ及ぼす影響
    吉田 涼介、比留川 大輝、大野 颯一朗、田原 開悟、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  • 酸化ガリウム結晶への窒素イオン注入が分光感度特性に及ぼす影響
    中西 雅彦、ワン マンホイ、山口 智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月09日
  • 岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価
    工藤 幹太、石井 恭平、小野 瑞生、金子 健太郎、山口 智広、嶋 紘平、小島 一信、藤田 静雄、本田 徹、秩父 重英、尾沼 猛儀
    第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月09日
  • Fabrication process of GaInN/GaN honeycomb array nanocolumn LEDs for integration of surface plasmonic resonance,scheme
    A. Ueno; G. Imamura; K. Yoshida; K. Takimoto; I. Nomura; R. Togashi; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Kishino
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日
  • Optical characteristics of high–indium-content GaInN MQWs grown on different templates by RF–MBE
    R. Yoshida; H. Hirukawa; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日
  • Structural analyses of α-In2O3 grown on α-Al2O3 substrates by mist CVD
    Y. Hayakawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; H. Yokoo; T. Onuma; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日
  • Fabrication of μ-LED pixels and evaluation,of luminescent characteristics
    H. Chikui; S. Takeda; K. Sato; T. Onuma; T. Yamaguchi; M. Shimizu; T. Takahashi; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日
  • Growth of AlGaN films on AlN template by,RF-plasma assisted molecular beam epitaxy
    M. Hashimoto; N. Tachibana; T. Honda; T. Yamaguchi; T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日
  • Power Supply Efficiency of Optical Wireless Power Transmission Systems Using Visible LEDs and Silicon Solar Cells
    H. Yokoyama; T. Yamaguchi; Y. Ushida; H. Hirukawa; T. Onuma; T. Honda
    The 2nd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2020), 2020年04月21日
  • RF-MBEサファイア基板窒化時にPBN放電管が与える影響
    矢島 賢一、桑原 尚人、山口智広、尾沼 猛儀、本田徹
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月15日
  • ポリイミド薄膜を用いたLED素子分離の検討
    佐藤 滉太、尾沼 猛儀、山口智広、本田徹
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月14日
  • GaInN/GaN 規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係
    吉田圭吾、今村暁、滝本啓司、富樫理恵、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月13日
  • 窒素イオン注入酸化ガリウム結晶の光電流スペクトル
    中西 雅彦、ワン マンホイ、山口智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月13日
  • 岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光
    工藤幹太、石井恭平、小野瑞生、金子健太郎、山口智広、嶋紘平、小島 一信、藤田静雄、本田徹、秩父重英、尾沼猛儀
    第67回 応用物理学会 春季学術講演会, 2020年03月12日
  • Epitaxial relationship of Cu3N grown on YSZ(001) substrate by mist CVD method
    N. Wakabayashi; R. Takigasaki; T. Yamaguchi; T. Honda and T. Onuma
    47th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces, 2020年01月22日
  • RF-MBE Growth of Mg-Doped InN Films Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation Method
    T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    The 3rd International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines (ISVSP2020), 2020年01月08日
  • Optical characteristics of high-In-incorporated GaInN MQWs grown by RF-MBE
    R. Yoshida; Y. Nakajima; H. Hirukawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日
  • Microstructural analysis using TEM in GaInN film grown by RF-MBE
    S. Ohno; H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; H. Hashimoto; T. Onuma and T. Honda
    The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日
  • LED miniaturization for monolithic μ-LED using ICP etching
    S. Takeda; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日
  • Structural characterization of epitaxial GaInN films by X-ray diffraction
    H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日
  • Toward the Realization of Optical Wireless Power Transmission System Using Visible Light
    T. Yamaguchi; H. Hirukawa; H. Yokoyama; S. Ohno; Y. Ushida; T. Onuma and T. Honda
    2019 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (2019 ISNST), 2019年12月12日
  • Mist CVD法によるGa2O3成長に塩酸が与える影響
    高橋昴、力武健一郎、本田徹、山口智広、永井裕己、尾沼猛儀
    第11回大学コンソーシアム八王子, 2019年12月07日
  • 可視光発光ダイオードおよびシリコン太陽電池を用いた光無線給電システムの効率検討
    横山晴香、比留川大輝、清田百合恵、山口智広
    第11回大学コンソーシアム八王子, 2019年12月07日
  • 太陽電池を用いた可視光通信システムの確立に向けて
    清田百合恵、比留川大輝、横山晴香、山口智広、工藤幸寛、本田徹
    第11回大学コンソーシアム八王子, 2019年12月07日
  • RF-MBE法によるGaNテンプレート上へのAlGaN成長におけるGaNバッファ層のⅤ/Ⅲ比依存性の検討
    橘直純、橋本真里、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第２回結晶工学×ISYSE合同研究会, 2019年11月20日
  • VUV Exciton Emission Spectra of MgO Single Crystals
    K. Kudo; S. Hoshi; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2019), 2019年11月12日
  • Optical-isolation of micro-LED pixels integrated in Si micro-cup substrate
    K. Sato; Y. Kamei; R. Nawa; S. Aikawa; Y. Ushida; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS2019), 2019年11月11日
  • InGaN/GaN ハニカム構造ナノコラ結晶の成長と評価
    吉田圭吾、今村暁、滝本啓司、富樫理恵、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
    第48回日本結晶成長学会, 2019年10月31日
  • RF-MBEによるGaInN薄膜の成長温度特性
    比留川 大輝; 吉田 涼介; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田徹
    2019年日本表面真空学会学術講演会, 2019年10月29日
  • Optical characteristics of high In composition GaInN MQWs grown by RF-MBE
    R. Yoshida; Y. Nakajima; H. Hirukawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月10日
  • Epitaxial relationship Cu3N layer grown on c-plane sapphire substrate by Mist CVD
    N. Wakabayashi; M. Takahashi; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma and T. Honda
    38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月10日
  • Impact of hydrochloric acid on mist CVD growth of GIO ternary alloys
    S.Takahashi; K. Rikitake; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma and T. Honda
    38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月09日
  • Comparative study on DUV emission properties of Rocksalt structured MgxZn1-xO alloys
    K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
    38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月09日
  • 高In組成GaInN周期構造の光学特性
    吉田涼介、中島裕亮、比留川大輝、大野颯一朗、山口智広、尾沼猛義、本田徹
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  • MgO単結晶の真空紫外線領域のカソードルミネセンススペクトル
    工藤幹太、星翔馬、小野瑞生、藤原有基、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  • In-situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN at Different Temperatures
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; S. Ohno; T. Araki; Y. Nanishi; T. Onuma and T. Honda
    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019年07月11日
  • Structural analyses of GaInN films grown at different temperatures on (0001)GaN/α-Al2O3 templates by RF-MBE
    S. Ohno; T. Yamaguchi; H. Hirukawa; T. Araki; H. Hashimoto; T. Onuma and T. Honda
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019年07月08日
  • Fabrication of LED pixels of 16×16 array structure using Si micro-cup substrate
    K. Sato; Y. Kamei; R. Nawa; S. Aikawa; Y. Ushida; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019年07月08日
  • Strain Relaxation in Al-rich AlxGa1-xN Films Growth by RF plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
    N. Tachibana; T. Yamaguchi; T. Honda and T. Onuma
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019年07月08日
  • Mist CVD法によるGIO混晶成長に塩酸が与える影響
    高橋昴、力武健一郎、山口智広、永井裕己、佐藤光史、尾沼猛儀、本田徹
    第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019年06月14日
  • ミストCVD法によるCu3N成長
    若林那旺; 高橋幹夫; 山口智広; 永井裕己; 佐藤光史; 尾沼猛儀; 本田徹
    第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019年06月14日
  • VUV Cathodoluminescence Spectra of ,Rocksalt-structured MgZnO/MgO Quantum Wells
    K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
    Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019), 2019年05月21日
  • Electrical and structural properties of Sn-doped a-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition
    S. Mochizuki; T. Yamaguchi; K. Rikitake; T. Onuma and T. Honda
    Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019), 2019年05月21日
  • Structural analyses using TEM and XRD of,GaInN films grown on GaN templates by RF-MBE
    S. Ohno; T. Yamaguchi; H. Hirukawa; T. Araki; H. Hashimoto; T. Onuma and T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日
  • Fabrication of micro-LED display of 16×16 array structure using Si micro-cup substrate
    K. Sato; Y. Kamei; R. Nawa; S. Aikawa; Y. Ushida; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日
  • Cathodoluminescence properties of Rocksalt-structured MgZnO/MgO Quantum Wells for VUV Light Emitter
    K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日
  • Prototype optical wireless power transmission system using blue LD as light source and LED as photovoltaic receiver
    H. Hirukawa; T. Yamaguchi; Y. Ushida; T. Onuma and T. Honda
    The 1st Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2019), 2019年04月24日
  • Growth of AlxGa1-xN Films by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy for Deep UV Optical Devices
    N. Tachibana; T. Yamaguchi; T. Honda and T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日
  • 光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価
    福田清貴、矢代 秀平、藤倉序章、今野泰一郎、鈴木貴征、藤本哲爾、吉田丈洋、尾沼猛儀、山口智広、本田徹、角谷正友
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月12日
  • RF-MBEより成長した高In組成GaInNの成長温度特性
    吉田涼介、中島裕亮、比留川大輝、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • 岩塩構造MgZnO/MgO量子井戸における量子閉じ込め効果
    工藤幹太、石井恭平、小野瑞生、藤原有基、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • RF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定
    山口智広、佐々木拓生、高橋正光、尾沼猛儀、本田徹、荒木努、名西やすし
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • 規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色発光LED結晶
    滝本啓司、成田一貴、吉田圭吾、大音隆男、山口智広、本田徹、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • 総合討論 結晶工学×放射光シンポジウム
    高橋正光、尾嶋正治、山口智広、角谷正友、宮嶋孝夫、酒井朗、片岡恵太
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • 酸化ガリウム結晶における電界変調反射スペクトルの観測
    田中広也、佐々木公平、山口智広、本田徹、倉又朗人、山腰茂伸、東脇正高、尾沼 猛儀
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 2019年03月11日
  • Carbon nanotube dispersed Ga2O3 films fabricated by molecular precursor,method
    T. Honda; Y. Takahashi; R. Yoshida; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Onuma; T. Yamaguchi and M. Sato
    The 1st Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-1st), 2019年01月10日
  • Toward fabrication of GaInN-based devices: Epitaxial growth and characterization of GaInN by RF-MBE
    T. Yamaguchi; Y. Nakajima; H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Onuma; and T. Honda
    The 1st Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-1st), 2019年01月10日
  • マイクロLEDディスプレイの実現のためのブラックマトリクス原料の比較検討
    仲納林祐貴、名和遼祐、一之瀬嗣人、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
    第10回大学コンソーシアム八王子, 2018年12月08日
  • Relationship between Relaxation ratio and growth temperature of GaInN by RF-MBE
    Y. Nakajima; T. Honda; T. Yamaguchi; and T. Onuma
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月05日
  • Effect of α-(AlxGa1-x)2O3 Overgrowth on MSM-Type α-Ga2O3,Ultraviolet Photodetectors Grown by Mist CVD
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月05日
  • Carbon-nanotube Dispersed Ga2O3 Films for UV Transparent Electrodes Fabricated by Molecular Precursor Method
    T. Honda; Y. Takahashi; R. Yoshida; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Onuma; T. Yamaguchi; and M. Sato
    Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月03日
  • μ-LEDディスプレイの実現に向けたμ-LEDアレイ構造の製作
    尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2018年11月29日
  • 各種基板上に成長したIn2O3の結晶構造と電気的特性評価
    横尾 浩和、小林 拓也、力武 健一郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2018年11月29日
  • Epitaxial growth of Cu3N films on (0001)Al2O3 substrates by mist chemical vapor deposition
    T. Yamaguchi; H. Itoh; M. Takahashi; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda and M. Sato
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • Fabrication of µ-LED arrays toward future realization of µ-LED display
    R. Nawa; S. Takeda; Y. Kamei; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • Analysis of Deep Ultraviolet Emission Properties in Rocksalt-structured MgxZn1-xO Films
    M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • Study on wavelength matching for optical wireless power transmission for visible light
    H. Hirukawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • Photoluminescense measurements of GaInN grown at different temperatures by RF-MBE
    R. Yoshida; Y. Nakajima; H. Hirukawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • Growth and Characterization of Single Crystalline alpha-Ga2O3 Film on c-plane Sapphire Substrates by Mist CVD
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日
  • GaInN growth by RF-MBE for underlying layers in red LEDs
    Y. Nakajima; K. Uehara; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月13日
  • Evaluation of Al2O3/n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy
    K. Fukuda; Y. Asai; L. Sang; A. Yoshigoe; A. Uedono; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda; and M. Sumiya
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月13日
  • Systematic investigation of surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0=
    M. Imura; S. Tsuda; T. Nagata; R. G. Banal; H. Yoshikawa; A. Yang; Y. Yamashita; K. Kobayashi; Y. Koide; T. Yamaguchi; M. Kaneko; T. Araki; and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月12日
  • 可視光電力伝送の可能性探索~プロトタイプ製作と問題点抽出~
    比留川大輝、山口智広
    The 5th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE5), 2018年11月01日
  • PDS measurement for III-V nitride samples ~InxGa1-xN, ion-implanted GaN and MOS structure~
    K. Fukuda; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda; and M. Sumiya
    37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月12日
  • Fabrication of double schottky type photodetector using corundum-structured gallium oxide
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月11日
  • Surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InGaN epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy
    M. Imura; S. Tsuda; T. Nagata; H. Yoshikawa; Y. Yamashita; K. Kobayashi; Y. Koide; T. Yamaguchi; T. Araki; and Y. Nanishi
    37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月11日
  • Growth of Cu3N Films by mist Chemical Vapor Deposition
    T. Yamaguchi; H. Itoh; M. Takahashi; T. Onuma; H. Nagai; T. Honda; and M. Sato
    2018 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2018), 2018年10月05日
  • 光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価
    福田清貴、高島信也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹、上殿明良、角谷正友
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日
  • Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価
    福田清貴、浅井祐哉、関慶祐、Sang Liwen、吉越章隆、上殿明良、石垣 隆正、尾沼猛儀、山口智広、本田徹、角谷正友
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日
  • Bandgap fluctuation in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys
    T. Onuma; M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
    The 10th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO 2018), 2018年09月13日
  • Excitation density and temperature dependence of deep ultraviolet cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO
    M. Ono; K. Ishii; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
    The 10th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO 2018), 2018年09月11日
  • In situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN on InN
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Onuma; T. Honda; T. Araki; and Y. Nanishi
    20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018), 2018年09月04日
  • Recent Progress and Challenges of InN and In-rich InGaN growth by RF-MBE,using DERI process
    Y. Nnanishi; T. Yamaguchi; S. Mouri; T. Araki; T. Sasaki; and M. Takahasi
    20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018), 2018年09月04日
  • 光熱偏向分光法によるイオン注入したGaNの評価
    福田清貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月30日
  • 岩塩構造MgxZn1-xO薄膜における深紫外線発光メカニズム
    小野瑞生、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月29日
  • 水溶液スプレー法によるZnO薄膜製作検討
    一之瀬嗣人、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月29日
  • 赤色LED製作に向けたRF-MBE法によるSi基板上自己形成GaNナノコラム構造の製作検討
    細谷優人、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月29日
  • 10×10アレイ構造Siマイクロカップ基板を用いたμ-LEDディスプレイの製作
    名和遼祐、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月29日
  • ミストCVD法によるα-In2O3の結晶成長と電気的特性評価
    横尾浩和、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月29日
  • RF-MBE法を用いたGaInNの成長温度と緩和率の関係検討
    中島裕亮、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月28日
  • 深紫外光検出器のためのGa2O3薄膜のミストCVD成長
    力武 健一郎、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第41回光通信研究会, 2018年08月28日
  • Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by Photothermal Deflection Spectroscopy
    M. Sumiya; K. Fukuda; Y. Nakano; S. Ueda; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), 2018年08月09日
  • Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy
    M. Sumiya; K. Fukuda; S. Takashima; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and A. Uedono
    The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19), 2018年06月07日
  • Blue Luminescence Quenching in beta-Ga2O3 Epitaxial Films by Nitrogen Doping
    T. Onuma; Y. Nakata; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; S. Yamakoshi and M. Higashiwaki
    Compund Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), 2018年06月01日
  • Spectroscopic Ellipsometry Study on P-Type NiO Films
    M. Ono; K. Sasaki; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; T. Honda; and T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18), 2018年04月27日
  • Fabrication of 10×10 array structure of micro-LED display using Si micro-cup substrate
    R. Nawa; T. Onuma; T. Yamaguchi; J. -S. Jang; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18), 2018年04月26日
  • III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価
    角谷 正友、福田 清貴、上田 茂典、浅井 祐哉、Cho Yujin、関口 隆史、上殿 明良、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • 岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
    尾沼 猛儀、小野 瑞生、石井 恭平、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、本田 徹
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価
    福田 清貴、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹、岩井 秀夫、Sang Liwen、角谷 正友
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • 岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
    小野 瑞生、石井 恭平、金子 健太郎、山口 智広、本田 徹、藤田 静雄、尾沼 猛儀
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • 窒素ドープ酸化ガリウム薄膜における青色発光の強度変化
    尾沼 猛儀、中田 義昭、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • 10×10 Siマイクロカップ基板でのμ-LED集積化
    名和 遼祐、相沢 空、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  • alpha-Ga2O3を用いたダブルショットキー型光検出器の製作
    力武 健一郎、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月19日
  • 放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察～InN解離温度領域での振る舞い～
    山口 智広、佐々木 拓生、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹、荒木 努、名西 やすし
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月18日
  • Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化
    井村 将隆、津田 俊輔、長田 貴弘、山下 良之、吉川 英樹、小林 啓介、小出 康夫、山口 智広、金子 昌充、上松 尚、荒木 努、名西 やすし
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月17日
  • 産学連携教育システム実現への可能性
    山口 智広
    JPCフォーラム定例研究会, 2018年03月14日
  • 放射光を活用したIn 系窒化物半導体成長中のその場観察
    山口 智広、佐々木 拓生、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹、荒木 努、名西 やすし
    JAEA-QST 放射光科学シンポジウム2018, 2018年03月12日
  • Influence of interface state and band bending on In and N polar InN from Angle-resolved XPS
    Y. Nakajima; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    45th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI 45), 2018年01月15日
  • ミストCVD法により成長したIn2O3薄膜を用いたTFT製作検討
    小林拓也,澤本一輝,尾沼猛儀,本田徹,相川慎也,山口智広
    第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月09日
  • コランダム構造酸化ガリウムソーラーブラインド光検出器の開発
    力武健一郎,小林拓也,尾沼猛儀,本田徹,山口智広
    第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月09日
  • Growth of Ga2-xSnxO3 films by mist chemical vapor deposition
    K.Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月30日
  • Crystal Structure Control in Epitaxial Growth of In2O3 by Mist CVD
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月30日
  • Relationship between Temperature and Growth Rate of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys in the Growth of Mist CVD
    T. Yamaguchi; K. Tanuma; T. Kobayashi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma and T. Honda
    4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2017), 2017年11月24日
  • XPS spectra of Ga2O3, In2O3 and their alloys fabricated by molecular precursor method
    T. Honda; Y. Takahashi; T. Onuma; T. Yamaguchi; H. Nagai and M. Sato
    24th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 24), 2017年11月24日
  • Deep-UV emission properties of rocksalt-structured MgxZn1-xO Films Grown on MgO (001) Substrates
    M. Ono; K. Ishii; T. Uchida; R. Jinno; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
    36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月09日
  • Angle-resolved XPS spectra of InN/GaN grown by DERI method
    Y. Nakajima; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月09日
  • MSM-type solar-blind photodetector with alpha-Ga2O3 film grown by mist CVD
    K. Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月08日
  • Effect of low temperature buffer layer in mist CVD growth of In2O3 on alfa-Al2O3 substrate
    T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月08日
  • Near surface band bending in InN films grown by DERI method
    Y. Nakajima; K. Uehara; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Fabrication of Si micro-cup substrate and its application for integration of,μ-LEDs
    R. Nawa; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Origin of free holes and visible light absorption in p-type NiO films
    M. Ono; T. Onuma; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Bandgap Engineering of α-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor,Deposition
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Fabrication of TFT using amorphous In2O3 thin film by mist CVD
    T. Kobayashi; K. Sawamoto; S. Aikawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Formation of Black Matrix for Realization of Micro-LED Display
    Y. Chunobayashi; R. Nawa; Y. Takahashi; H. Matsuura; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Unintentionally Doped Impurities in GaN Layer Grown by RF-MBE
    D. Taka; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Photothermal Deflection Spectra of Gallium indium nitride layers grown,by MOVPE
    K. Fukuda; T. Onuma; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Sumiya
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Impact of mask materials on dry etching of GaN using ICP-RIE
    H. Matsuura; T. Onuma; T. Honda and T. Yamaguchi
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Near-the surface Fermi level measured In2O3 and Ga2O3 thin films by,molecular precursor method
    Y. Takahashi; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日
  • Outstanding capability of In-situ Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN and GaInN
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
    2017 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2017), 2017年10月19日
  • GaN growth on Al template by MBE for the fabrication of micro displays
    T. Honda; Y. Hoshikawa; K. Uehara; T. Onuma and T. Yamaguchi
    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017), 2017年10月12日
  • Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月21日
  • Fabrication of MSM-Type Photodetector Using Sn-Doped alpha-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月20日
  • Photoresponsivity of alpha-Ga2O3-based deep UV photodetector grown by mist CVD
    K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月14日
  • Cathodoluminescence spectra of Si-doped and Si-implanted β-Ga2O3 single crystals
    T. Onuma; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata and M. Higashiwaki
    2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月14日
  • 低温In2O3バッファ層を用いたa-Al2O3基板上In2O3のミストCVD成長
    小林 拓也、山口 智広、尾沼 猛義、本田 徹
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月08日
  • Ga2-xSnxO膜のミストCVD成長
    力武 健一郎、小林 拓也、山口 智広、尾沼 猛義、本田 徹
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月08日
  • シリコンマイクロカップ基板の製作とµ-LEDの集積化の検討
    名和 遼祐、光成 将矢、尾沼 猛義、山口 智広、本田 徹
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月08日
  • GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察
    山口 智広、佐々木 拓生、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹、荒木 努、名西 やすし
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月07日
  • SiドープとSiイオン注入単結晶酸化ガリウム結晶の光学的特性
    尾沼 猛儀、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月07日
  • 光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価
    福田 清貴、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹、角谷 正友
    第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月06日
  • ミストCVD法によるSn添加Ga2O3成長とそのデバイス応用
    力武健一郎、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • ミストCVD法によるIn2O3薄膜の結晶構造制御
    小林拓也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • 第一原理計算とX線光電子分光法によるp形NiO薄膜の電子構造の解析
    小野瑞生、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • 赤色LEDに向けたDERI法によるGaInN薄膜のRF-MBE成長検討
    上原和樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • RF-MBE法により成長したGaN薄膜中の不純物に関する考察
    高大地、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • 分子プレカーサー法により形成した金属酸化物薄膜の表面近傍フェルミ準位の測定
    高橋勇貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • 光熱偏向分光法を用いたGa1-xInxN薄膜における非発光再結合の検討
    福田清貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • RF-MBE法を用いたDERI法によるInN薄膜成長における極性が与える影響
    中島裕亮、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • 素子分離のためのICP-RIEによるエッチング垂直性の検討
    松浦悠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • ICP-RIEによるGaNテンプレートのアレイエッチングの製作検討
    名和遼祐、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第40回光通信研究会, 2017年08月09日
  • In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN growth on GaN and InN by RF-MBE
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
    12th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017年07月26日
  • Optical Properties of Ga2O3 Films and Crystals
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata and M. Higashiwaki
    Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月14日
  • Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films
    M. Ono; T. Onuma; R. Goto; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato and T. Honda
    Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月14日
  • Mist CVD growth of Sn-doped Ga2O3 thin films and its device application
    K. Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T.Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日
  • Charge transfer transitions in p-type NiO films studied by optical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy
    M. Ono; T. Onuma; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日
  • Comparison of III-polar and N-polar GaInN films grown by RF-MBE
    Y. Nakajima; K. Uehara; T. Honda; T. Yamaguchi; T. Onuma
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日
  • Fabrication of µ-LED array structures using ICP dry-etching
    R. Nawa; T. Onuma; T. Yamaguchi; J. -S. Jang; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日
  • 単斜晶酸化ガリウム結晶における光学遷移過程
    尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、後藤健、増井建和、山口智広、本田徹、倉又朗人、東脇正高
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月15日, 応用物理学会
  • p形NiO薄膜における電気的特性と光学的特性の関係
    小野瑞生、尾沼猛儀、後藤良介、佐々木公平、永井裕己、山口智広、東脇正高、倉又朗人、山腰茂伸、佐藤光史、本田徹
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月14日, 応用物理学会
  • beta-Ga2O3結晶における光学的異方性の解析
    尾沼 猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、後藤健、増井建和、山口智広、本田徹、倉又朗人、東脇正高
    結晶成長の科学と技術第１６１委員会, 2017年01月13日
  • (0001)alpha-Al2O3基板上へのGa2-xSnxO3薄膜のミストCVD成長
    力武健一郎、小林拓也、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日
  • ミストCVD法を用いたNiO結晶成長
    齊藤千紘、小林拓也、高橋幹夫、尾沼猛儀、永井裕己、佐藤光史、本田徹、山口智広
    第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日
  • ミストCVD法を用いたCu3N成長
    高橋幹夫、伊藤裕俊、尾沼猛儀、永井裕己、佐藤光史、本田徹、山口智広
    第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日
  • Growth and characterization of In2O3 on various substrates by mist CVD
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    2016 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2016 MRS Fall Meeting), 2016年11月30日
  • Demonstration of monolithic GaN Based UV MOS-LEDs for Flat-Panel Display
    H. Matsuura; K. Serizawa; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • Fabrication of CNT-doped Ga2O3 Thin Films by Molecular Precursor Method
    Y. Takahashi; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • Growth and characterization of bixbite-type In2O3 thin films by mist CVD
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • Characterization of GaN layers grown on Al templates by RF-MBE
    K. Uehara; Y. Hoshikawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • Toward the Growth of Cu3N by mist CVD
    M. Takahashi; H. Ito; T. Yamaguchi; H. Nagai; T. Onuma; M. Sato; T. Honda
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • In-situ monitoring in RF-MBE growth of In-based nitrides
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi
    The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日
  • Temperature-Dependent Cathodoluminescence Spectra of Rocksalt MgxZn1-xO films grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method
    T. Onuma; K. Tsumura; K. Kaneko; R. Nawa; M. Ono; T. Uchida; R. Jinno; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
    The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO2016), 2016年10月31日
  • Study on Mist CVD Growth of In2O3
    T. Yamaguchi; T. Kobayashi; K. Tanuma; H. Nagai; T. Onuma; M. Sato; T. Honda
    2016 international Symposium on Novel and Sustainable Technology (2016ISNST), 2016年10月06日
  • Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-Doped InN Epilayer by Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy
    M. Imura; S. Tsuda; T. Nagata; A. Yang; Y. Yamashita; H. Yoshikawa; Y. Koide; K. Kobayashi; T. Yamaguchi; M. Kaneko; N. Uematsu; K. Wang; T. Araki; Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), 2016年10月04日
  • Fabrication of Vertical-Injection Type GaN-Based MIS Diodes with Near UV Transparent Oxide Electrodes
    T. Honda; S. Fujioka; T. Onuma; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), 2016年10月02日
  • RF-MBE Growth of InGaN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi
    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), 2016年09月28日
  • Impact of buffer layer thickness and annealing time for the optical and structural properties of GaN epilayers grown on sapphire substrate
    H. Matsuura; L. Sang; M. Sumiya; T.Yamaguchi; T. Honda
    European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting (2016 E-MRS), 2016年09月20日
  • Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt-structured Mg1-xZnxO thin films on MgO substrates
    K. Kaneko; K. Tsumura; T. Onuma; T. Uchida; R. Jinno; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita
    European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting (2016 E-MRS), 2016年09月19日
  • β-Ga2O3薄膜と単結晶の光学定数の比較
    尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、増井建和、山口智広、本田徹、倉又 朗人、東脇正高
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月16日
  • RF-MBE法による低温GaN緩衝層を挿入したAl薄膜上GaN成長検討
    上原和樹、星川侑也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月16日
  • 岩塩構造Mg1−xZnxO薄膜の深紫外発光
    金子健太郎、津村圭一、尾沼猛儀、内田貴之、神野莉衣奈、山口智広、本田徹、藤田静雄
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月15日
  • Observation of exciton-LO-phonon interaction in β-Ga2O3 single crystals
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; M. Higashiwaki
    German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016 (GJGOTM2016), 2016年09月07日
  • Impact of GaN low-temperature buffer layer on GaN growth on Al templates
    Y. Hoshikawa; Y. Suzuki; K. Uehara; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2016), 2016年09月04日
  • Mist-CVD-Grown Crystalline In2O3 Thin-Film Transistors with Low Off-State Current
    S. Aikawa; K. Tanuma; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), 2016年08月11日
  • プラズマ生成条件を考慮したRF-MBE法によるAlInN薄膜成長
    上原和樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • 分子プレカーサー法を用いたMgO添加GIO薄膜製作検討
    高橋勇貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • MOVPE法で成長したGaN薄膜におけるバッファ層堆積後の昇温時間とバッファ層膜厚の影響
    松浦悠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • RF-MBE法を用いたAl薄膜上GaN成長における低温GaNバッファ層挿入の影響
    星川侑也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • 銀分散亜鉛薄膜によるプラズモン共鳴放出
    高大地、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • ミストCVD法を用いたCu2O薄膜成長
    高橋幹夫、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • Mist CVD法によるIn2O3薄膜の結晶成長
    小林拓也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2016年08月09日
  • Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi
    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), 2016年08月09日
  • Rock salt型MgZnO薄膜の成長とその深紫外発光特性
    金子健太郎、津村圭一、尾沼猛儀、内田貴之、神野莉衣奈、山口智広、本田徹、藤田静雄
    第2回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会, 2016年07月30日
  • Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt- structured Mg1-xZnxO thin films
    K. Kaneko; K. Tsumura; T. Onuma; T. Uchida; R. Jinno; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita
    35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), 2016年07月08日
  • Mist CVD growth of In2O3 on various substrates
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
    35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), 2016年07月08日
  • Effects of GaN low-temperature buffer layer on GaN surface flatness grown on Al templates
    Y. Hoshikawa; Y. Suzuki; K. Uehara; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), 2016年07月07日
  • Surface plasmon resonant emission from Ag dispersed ZnO films fabricated by molecular precursor method
    D. Taka; T. Onuma; T. Shibukawa; H. Nagai; T. Yamaguchi; J.-S. Jang; M. Sato; T. Honda
    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), 2016年06月26日
  • Anisotropic optical constants in b-Ga2O3 single crystal
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; M. Higashiwaki
    58th Electronic Materials Conference (EMC-58), 2016年06月22日
  • Mist CVD growth of In2O3 films on (0001)alfa-Al2O3 substrates and (0001)GaN templates
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’16 (LEDIA ’16), 2016年05月19日
  • Optical properties of ZnO films dispersed with Ag nanocrystals fabricated by molecular precursor method
    D. Taka; T. Onuma; T. Shibukawa; H. Nagai; T. Yamaguchi; J.-S. Jang; M. Sato; T. Honda
    International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’16 (LEDIA ’16), 2016年05月19日
  • (0001)alpha-Al2O3基板上および(0001)GaNテンプレート上へのIn2O3膜のミストCVD成長
    小林拓也、田沼圭亮、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月19日
  • 分子プレカーサー法を用いたIn-Ga-Mg-O薄膜製作検討
    高橋勇貴、後藤良介、安野泰平、尾沼猛儀、永井裕己、山口智広、佐藤光史、本田徹
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月19日
  • 分子プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性
    高大地、尾沼猛儀、澁川貴史、永井裕己、山口智広、Ja-Soon Jang、佐藤光史、本田徹
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月19日
  • beta-Ga2O3結晶における励起子-LOフォノン相互作用
    尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、後藤健、増井建和、山口智広、本田徹、倉又朗人、東脇正高
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月19日
  • Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During InGaN Growth by DERI Method
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki
    The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), 2015年12月15日
  • Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki and Y. Nanishi
    第25回日本MRS年次大会, 2015年12月09日
  • Study of nitridation conditions of Al layer for GaN growth by RF-MBE", Materials Research Society
    Y. Hoshikawa; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    2015 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2015 MRS Fall Meeting), 2015年12月03日
  • Growth temperature dependence of Ga2O3 and In2O3 growth rates in Mist CVD
    K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    2015 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2015 MRS Fall Meeting), 2015年12月02日
  • Technical issues of GaInN growth with high indium composition for LEDs
    T. Honda; T. Yamaguchi and T. Onuma
    The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), 2015年12月
  • Valence band structure of monoclinic gallium oxide studied by polarized optical measurements
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
    The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), 2015年12月
  • Dislocation Passivation by Positive Usage of Phase Separation During RF-MBE Growth of InGaN
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki
    The 3rd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2015), 2015年11月18日
  • Defect characterization in GaInN on compressive and strain-free GaN underlying layer
    N. Toyomitsu; Y. Harada; J. Wang; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda; Y. Nakano; and M. Sumiya
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015年11月11日
  • Impact of nitridation on GaN growth on (0001)sapphire with an Al layer as a release layer by RF-MBE
    Y. Hoshikawa; S. Osawa; Y. Matsumoto; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015年11月10日
  • パルスインジェクショ法を用いたCu2O結晶成長
    高橋幹夫、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第5回結晶工学未来塾, 2015年11月07日
  • Al薄膜上GaN成長における低温GaN緩衝層挿入の影響
    星川侑也、上原和樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第5回結晶工学未来塾, 2015年11月07日
  • Optical Anisotropy in (010) Plane of beta-Ga2O3 Single Crystals
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
    1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月06日
  • Growth of α-(AlGa)2O3 by mist CVD and evaluation of its thermal stability
    M. Takahashi; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日
  • Growth temperature dependence of Ga2O3 growth rate by mist CVD
    K. Tanuma; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日
  • Fabrication of p-type NiO thin films by molecular precursor method
    R. Goto; T. Onuma; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato and T. Honda
    1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日
  • Impact of nitridation on GaN growth on sapphire with an Al layer as a sacrifice layer by RF-MBE
    Y. Hoshikawa; S. Osawa; Y. Matsumoto; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • AR-XPS measurement of AlOx/AlN/GaN heterostructures
    D. Isono; S. Takahashi; Y. Sugiura; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Discussion of ZnO based film by mist CVD method using molecular precursor solution
    R. Goto; K. Tanuma; T. Hatakeyama; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Correlation between green fluorescent emission and pits formed on surface of GaInN films
    N. Toyomitsu; Y. Harada; J. Wang; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda; Y. Nakano and M. Sumiya
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Comprehensive study on GaN and InN etching by inductively coupled plasma reactive ion etching
    K. Narutani; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; T. Onuma and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Fundamental Study on Local Surface Plasmons in Ag-nanocrystallites ZnO films toward Future Applications in Nitride-based LEDs
    D. Taka; T. Onuma; T. Shibukawa; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Mist-CVD Growth of In2O3
    T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • Study on the Phase Transition Temperature of α-(AlGa)2O3 Grown by Mist CVD
    M. Takahashi; T. Hayakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日
  • ICP-RIEによるGaN,GaInN,InNエッチングとGaInN系LED製作への応用
    鳴谷建人、山口智広、荒木努、名西憓之、尾沼猛儀、本田徹
    第4回結晶工学未来塾, 2015年10月29日
  • In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE
    T. Yamaguchi; T. Sasaki; K. Narutani; M. Sawada; R. Deki; T. Onuma; T. Honda; M. Takahasi and Y. Nanishi
    The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日
  • Comprehensive study on inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
    K. Narutani; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; T. Onuma and T. Honda
    The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日
  • Thermal stability of α-(AlGa)2O3 grown by mist CVD
    M. Takahashi,T. Hatakeyama,T. Onuma,T. Yamaguchiand T. Honda
    The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日
  • β-Ga2O3結晶の(010)面における光学的異方性
    尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、増井建和、山口智広、本田徹、東脇正高
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月15日
  • MgZnO growth on (0001)sapphire by mist chemical vapor deposition
    R. Goto; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; M. Sato and T. Honda
    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, 2015年09月14日
  • RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定
    澤田匡崇、山口智広、佐々木拓生、鳴谷建人、出来亮太、尾沼猛儀、本田徹、高橋正光、名西憓之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月14日
  • ミストCVD法により製作したα-(AlGa)2O3の熱的安定性
    高橋幹夫、畠山匠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月13日
  • α-Ga2O3 and α-(AlGa)2O3 Buffer Layers in Growth of GaN
    T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; K. Tanuma; T. Hirasaki; H. Murakami; T. Onuma and T. Honda
    11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11), 2015年09月01日
  • Correlation between Deep-level Optical Spectroscopy and Cathodoluminescence on Pits Formed on Surface of GaInN Films
    N. Toyomitsu; Y. Harada; J. Wang; L. Sang; T. Sekiguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; Y. Nakano and M.Sumiya
    11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11), 2015年09月01日
  • Fabrication of (Ga, In)2O3-x films on GaN-based LED structures by molecular precursor method for near-UV transparent electrodes
    T. Honda; H. Nagai; S. Fujioka; R. Goto; T. Onuma; T. Yamaguchi and M.Sato
    The 22nd International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC22), 2015年08月14日
  • Fabrication of copper thin films using the molecular precursor method
    H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; I. Takano; T. Honda and M. Sato
    The 22nd International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC22), 2015年08月14日
  • Study on spontaneous emission in nitride-based LEDs with Ag-nanocrystallites ZnO films fabricated by molecular precursor method
    T. Onuma; T. Shibukawa; D. Taka; K. Serizawa; E. Adachi; H. Nagai; T. Yamaguchi; J.-S. Jang; M. Sato and T. Honda
    The 22nd International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC22), 2015年08月14日
  • Growth of Group-III Oxides by Mist Chemical Vapor Deposition and Discussion on Thier Growth Mechanisms
    T. Yamaguchi; K. Tanuma; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda and M. Sato
    The 22nd International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC22), 2015年08月14日
  • 分子プレカーサー水溶液を用いたミスト化学気相成長による酸化亜鉛薄膜製作
    後藤良介、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • ミストCVD法により製作したa-(AlGa)2O3の熱的安定性
    高橋幹夫、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • ICP-RIEによるInNおよびGaN温度依存性エッチング
    鳴谷建人、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • RF-MBE法によるSapphire基板上Al犠牲層の窒化処理によるGaN成長の影響
    星川侑也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • ミストCVD法を用いたGa2O3成長における成長速度の温度依存性
    田沼圭亮、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • RF-MBE法を用いたSapphire基板上GaN成長
    渡邉悠斗、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月09日
  • RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定
    澤田匡崇、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月08日
  • AR-XPS法を用いたAlOx/AlN/GaN構造のバンド構造解析
    磯野大樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月08日
  • MOCVD法を用いて成長したGaInN薄膜の欠陥評価
    豊満直樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第38回光通信研究会, 2015年08月08日
  • Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
    K. Narutani; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; T. Onuma and T. Honda
    34th Electronic Materials Symposium (EMS-34), 2015年07月16日
  • Growth condition dependence of Ga-In-O films by mist-CVD
    K. Tanuma; R. Goto; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    34th Electronic Materials Symposium (EMS-34), 2015年07月15日
  • vate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices, 2015年07月14日
  • The Role of Impurities in Raman Scattering of InN: from Thin Films to Nanowires
    N. Domènech-Amador; R. Cuscó; R. Calarco; T. Yamaguchi; Y. Nanishi and L.Artús
    Compound Semiconductor Week 2015, 2015年06月29日
  • Determination of Direct and Indirect Bandgap-Energies of b-Ga2O3 by Polarized Transmittance and Reflectance Spectroscopy
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
    57th Electronic Materials Conference (EMC-57), 2015年06月24日
  • Photoelectron spectra of AlN/GaN heterostructure observed by AR-XPS
    D. Isono; S. Takahashi; Y. Sugiura; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015), 2015年05月18日
  • Correlation between green fluorescence and impurities on pits formed on surface of InGaN
    N. Toyomitsu; Y. Harada; J. Wang; L. Sang; T. Sekiguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; Y. Nakano and M. Sumiya
    The 5th Asia-Arab Sustainable Energy Forum & 7th Int. Workshop on SSB (5AASEF), 2015年05月12日
  • Growth mechanisms of InN and its alloys using droplet elimination by radical beam irradiation
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
    EMN droplet, 2015年05月09日
  • 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるInN エッチング
    鳴谷建人、山口智広、荒木努、名西憓之、尾沼猛儀、本田徹
    第7回窒化物半導体結晶成長講演会, 2015年05月07日
  • 光デバイス用GaInN結晶のXPS測定評価
    本田徹、山口智広、尾沼猛儀
    InGaN光電子デバイス研究会, 2015年04月30日
  • MBE成長InGaN受光・発光素子の現状と展望
    山口智広、桑立雯、王科、角谷正友、荒木努、尾沼猛儀、本田徹、名西憓之
    InGaN光電子デバイス研究会, 2015年04月30日
  • 酸化物/窒化物構造の成長プロセスと光物性
    尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    InGaN光電子デバイス研究会, 2015年04月30日
  • Fundamental study on growth of α-(AlGa)2O3 alloys by mist CVD-A study on growth rate of α-Al2O3 compared with α-Ga2O3
    M. Takahashi; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15), 2015年04月23日
  • Aluminum growth on sapphire substrate with surface nitridation by RF-MBE
    Y. Hoshikawa; S. Osawa; Y. Matsumoto; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
    The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15), 2015年04月23日
  • Optical Anisotropy in beta-Ga2O3 Crystals Grown by Melt-Growth Methods
    T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
    The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15), 2015年04月23日
  • 窒化ガリウム系発光ダイオードにおける「グリーンギャップ」問題
    本田徹、山口智広(招待講演)
    JAEA放射光科学シンポジウム 2015 「環境・エネルギー研究開発における放射光科学」, 2015年03月17日
  • 分子プレカーサー水溶液を用いたミストCVD法によるZnO薄膜製作
    後藤良介、澁木勇人、田沼圭亮、畠山匠、永井裕己、山口智広、佐藤光史、本田徹
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月14日
  • ミストCVDによるalpha-(AlGa)2O3混晶成長の基礎検討 ―alpha-Ga2O3と比較したalpha-Al2O3の成長速度の検討―
    高橋幹夫、畠山匠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月13日
  • Ga-In-O薄膜のウェットエッチングプロセス検討
    吉田邦晃、藤岡秀平、後藤良介、尾沼猛儀、永井裕己、山口智広、佐藤光史、本田徹
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月13日
  • InGaN薄膜表面に形成されたピットのCLと不純物との相関
    角谷正友、豊満直樹、王剣宇、Sang Liwen、関口隆史、山口智広、本田 徹
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月12日
  • RF-MBE法による窒化サファイア基板上アルミニウム薄膜成長
    星川侑也、大澤真弥、松本雄大、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月12日
  • beta-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性
    尾沼猛儀、齋藤伸吾、佐々木公平、増井建和、山口智広、本田徹、東脇正高
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月12日
  • Growth and doping of In-based nitride semiconductors using DERI method
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi (招待講演)
    The 2015 Materials Challenges in Alternative and Renewable Energy Conference (MCARE 2015), 2015年02月25日
  • Progress in InGaN Growth by RF-MBE and Development to Optical Device Fabrication
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi (招待講演)
    SPIE Photonic West, 2015年02月09日
  • Fabrication of alpha-(AlGa)2O3 on sapphire substrate by mist CVD
    T. Hatakeyama; K. Tanuma; S. Osawa; Y. Sugiura; T. Onuma T. Hirasaki; H. Murakami; T. Yamaguchi and T. Honda
    10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), 2014年12月16日
  • Cathode luminescence at 520 nm related on fluorescence green emission from pits formed on surface of GaInN films
    N. Toyomitsu; L. Sang; Wang Jianyu; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Sumiya
    10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), 2014年12月15日
  • Properties of near-UV transparent Ga-In-O electrode in GaN-based MOS-LED
    S. Fujioka; T. Yasuno; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), 2014年12月15日
  • AR-XPS spectra and band-bending properties of +c, -c and m-GaN surfaces
    D. Isono; S. Fujioka; Y. Sugiura; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    2014 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2014 MRS Fall Meeting), 2014年12月02日
  • Raman scattering study of -Ga2O3 single-crystal films grown by mist CVD
    L. Artus; N. Domenech-Amador; R. Cusco; T. Hatakeyama; T. Yamaguchi and T. Honda
    2014 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2014 MRS Fall Meeting), 2014年12月01日
  • New Approach to Fabricate Green, Red and IR Light Sources Based on Nitride Semiconductors by DERI Method
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki (招待講演)
    31st International Korea-Japan Seminar on Ceramics, 2014年11月27日
  • Growth and characterization of Ga-In-O by mist CVD
    K. Tanuma; T. Hatakeyama; R. Goto; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13), 2014年11月14日
  • Growth of oxide thin films by mist chemical vapor deposition -Application of corundum-structured oxides for growth of GaN-
    T. Hatakeyama; K. Tanuma; S. Osawa; Y. Sugiura; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13), 2014年11月14日
  • 下地GaN層の歪の異なるGaInN薄膜表面ピット形成と蛍光特性
    豊満直樹、Liwen Sang、Wang Jianyu、山口智広、本田徹、角谷正友
    第3回結晶工学未来塾, 2014年11月13日
  • 六方晶GaN中に挿入した一分子層InNの構造完全性による影響
    渡邊菜月、多次見大樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹、橋本直樹、草部一秀、王科、吉川明彦
    第3回結晶工学未来塾, 2014年11月13日
  • RF-MBE Growth of InGaN Alloys and Fabrication of Optical Device Structures
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi (招待講演)
    The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), 2014年11月05日
  • Influence of Surface Oxides for Band Bending of N-Type GaN
    Y. Sugiura; D. Isono; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Mist chemical vapor deposition growth of alpha-(AlGa)2O3
    T. Hatakeyama; K. Tanuma; S. Osawa; Y. Sugiura; T. Onuma T. Hirasaki; H. Murakami; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Characterization of fluorescence emission of GaInN films
    N. Toyomitsu; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Sumiya
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Characterization of GaN thin film grown on pseudo Al template by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Y. Watanabe; S. Osawa; D. Tajimi; T. Hatakeyama; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Thickness Dependence of Pseudo Aluminum Templates in Growth of GaN by RF-MBE
    S. Osawa; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Fabrication of ZnO thin film by molecular precursor method
    R. Goto; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga-In-O films
    K. Tanuma; T. Hatakeyama; R. Goto; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • X-ray photoelectron spectroscopy of C+, C- and M-GaN surfaces
    D. Isono; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE-1), 2014年11月02日
  • Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Group-III Oxides And Its Growth Mechanism
    T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; K. Tanuma; M. Sugimoto; H. Nagai; T. Onuma; M. Sato and T. Honda (招待講演)
    The 21st International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC21), 2014年11月01日
  • Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
    T. Onuma; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda (招待講演)
    The 21st International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC21), 2014年11月01日
  • Ga2O3基板の光学的特性評価
    尾沼猛儀; 山口智広; 伊藤雄三; 本田徹; 佐々木公平; 増井建和; 東脇正高
    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会,第９１回研究会「酸化物材料の最近の進展」, 2014年09月26日
  • Growth of InGaN Alloys using DERI Method and Fabrication of LED structures
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi (招待講演)
    Energy Materials Nanotechnology open access week (EMN open access week), 2014年09月24日
  • AlOx/AlN/GaNヘテロ構造の発光特性
    尾沼猛儀; 杉浦洋平; 山口智広; 本田徹; 東脇正高
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月20日
  • RF-MBE 法を用いたGaN 成長が疑似Al 基板に与える影響
    大澤真弥、渡邉悠斗、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月19日
  • 疑似Al基板上GaN薄膜のフォトルミネッセンス評価
    渡邉悠斗、大澤真弥、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月19日
  • n-GaN結晶のXPSスペクトルにおける内殻準位ピーク非対称性の検討
    磯野大樹、網谷良介、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月19日
  • Mist CVD法を用いて製作した-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価
    田沼圭亮、畠山匠、尾沼猛儀、山口智広、窪谷茂幸、片山竜二、松岡隆志、本田徹
    第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月18日
  • Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
    K. Narutani; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; Y. Nanishi; L. Sang; M. Sumiya; S. Fujioka; T. Onuma; T. Honda
    18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014), 2014年09月11日
  • Growth of alpha-Ga2O3 on alpha-Al2O3 substrate by mist CVD and growth of GaN on alpha-Ga2O3 buffer layer by RF-MBE
    T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; D. Tajimi; T. Onuma and T. Honda
    18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014), 2014年09月11日
  • Pressure Dependence of the Refractive Index in Wurtzite and Rocksalt InN
    R. Oliva; J. Ibañez; A. Segura; T. Yamaguchi; Y. Nanishi and L. Artus
    52th European High Pressure Research Group International Meeting, 2014年09月09日
  • Kelvin force microscopic study on GaN layers grown on (111)Al templates by RF-MBE
    T. Honda; T. Yamaguchi; Y. Sugiura; D. Isono; Y. Watanabe; S. Osawa; D. Tajimi; T. Iwabuchi; S. Kuboya; T. Tanikawa; R. Katayama and T. Matsuoka
    18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014), 2014年09月09日
  • RF-MBE Growth of InN and InGaN Ternary Alloys Using DERI
    T. Araki; T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-19), 2014年09月05日
  • 光デバイス応用に向けたＩｎ系窒化物半導体MBE成長～DERI法の紹介と様々な応用展開～
    山口智広(招待講演)
    第１回放射光利用研究セミナー, 2014年09月05日
  • Thickness Dependence of Pseudo Aluminum Templates in Growth of GaN by RF-MBE
    S. Osawa; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), 2014年08月26日
  • Study on structure perfection of one-monolayer thick InN in hexagonal GaN using XRD techniques
    N. Watanabe; D. Tajimi; N. Hashimoto; K. Kusakabe; K. Wang; T. Yamaguchi; A. Yoshikawa and T. Honda
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), 2014年08月26日
  • Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes
    T. Onuma; K. Narutani; S. Fujioka; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; Y. Nanishi; L. Sang; M. Sumiya and T. Honda (招待講演)
    International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), 2014年08月25日
  • GaN層のケミカルリフトオフに向けたAlの膜厚検討
    大澤真弥、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • GaInNからの蛍光発光と結晶性との相関
    豊満直樹、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • 厚膜GaInN成長とホモ接合型青緑LEDsの製作
    鳴谷建人、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • Mist CVD法を用いて成長したalpha-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価
    田沼圭亮、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • n-GaN結晶のXPSにおける内部電界強度とピーク非対称性の検討
    磯野大樹、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • 分子プレカーサー法によるZnO薄膜製作のための熱処理温度検討
    後藤良介、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • in-situ RF-MBE法を用いたAlOx/AlN/GaNヘテロ構造の製作
    杉浦洋平、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月10日
  • Mist CVD法を用いた酸化物薄膜成長
    畠山匠、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月09日
  • GaN系MOS-LEDを用いたGa-In-O近紫外透明電極の評価
    藤岡秀平、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月09日
  • 疑似Al基板上に成長したGaN薄膜の特性評価
    渡邉悠斗、山口智広、本田徹
    第37回光通信研究会, 2014年08月09日
  • RF-MBE growth of GaInN films using DERI method and fabrication of homojunction-type LED structures
    T. Yamaguchi; K. Narutani; T. Onuma; T. Araki; T. Honda; Y. Nanishi(招待講演)
    The 6th International Symposium on Functional Materials (ISFM 2014), 2014年08月07日
  • Plasma Induced Point Defects in InN During RF-MBE Growth and Those Reduction by DERI Method
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; T. Araki; A. Uedono and T. Palacios
    Defects in Semiconductors Gordon Research Conference, 2014年08月05日
  • RF-MBE 法によるGaInN 厚膜成長とpn ホモ接合型青緑色LED の製作
    鳴谷建人、山口智広、Ke Wang、荒木努、名西憓之、Liwen Sang、角谷正友、藤岡秀平、尾沼猛儀、本田徹
    第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014年07月26日
  • RF-MBE法を用いた膜厚の異なるAlテンプレート上GaN 成長
    大澤真弥、渡邉悠斗、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014年07月26日
  • Recent Material Studies of III-Nitride Semiconductors for Next Generation Devices
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki (招待講演)
    The Professor Harry C. Gatos Lecture and Prize/The Age of Silicon Symposium, 2014年07月25日
  • Impact of UV transparent Ga-In-O electrode in vertical-type GaN-based metal oxide semiconductor light-emitting diodes
    S. Fujioka; T. Yasuno; A. Sato; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), 2014年07月11日
  • Investigation of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates by Mist CVD
    K. Tanuma; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), 2014年07月10日
  • Blue-green light emitting diodes using pn-GaInN homojunction-type structure
    K. Narutani; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; Y. Nanishi; L. Sang; M. Sumiya; S. Fujioka; T. Onuma and T. Honda
    33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), 2014年07月10日
  • Impact of perfection on one-monolayer thick InN in hexagonal GaN
    N. Watanabe; D. Tajimi; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), 2014年07月09日
  • AR-XPS spectra of c- and m- plane n-GaN crystals
    D. Isono; R. Amiya; T. Yamaguchi and T. Honda
    33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33), 2014年07月09日
  • RF-MBE growth of group-III nitrides and mist CVD growth of group-III oxides
    T. Yamaguchi; T. Onuma; H. Nagai; C. Mochizuki; M. Sato; T. Honda; T. Araki and Y. Nanishi (招待講演)
    Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014), 2014年07月03日
  • Fabrication of copper thin films using the solution based method
    H. Nagai; T. Nakano; S. Mita; T. Yamaguchi; I. Takano; T. Honda and M. Sato (招待講演)
    Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014), 2014年07月03日
  • DERI Method; Possible Approach to Longer Wavelength Light Emitters Based on Nitride Semiconductors
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and T. Araki (招待講演)
    6th Forum on New Materials (CIMTEC2014), 2014年06月18日
  • Mist CVD growth of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates
    K. Tanuma; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
    International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM’2014), 2014年06月12日
  • Spin-coating fabrication of In-doped ZnO films by molecular precursor method
    R. Goto; T. Yasuno; T. Hatakeyama; H. Hara; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM’2014), 2014年06月12日
  • Influence of Surface Oxides for Band Bending of N-Type GaN
    Y. Sugiura; R. Amiya; D. Isono; T. Yamaguchi and T. Honda
    5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5), 2014年05月22日
  • Fabrication of Pseudo Aluminum Templates on 4H-SiC and Growth of GaN on Pseudo Aluminum Templates by RF-MBE
    Y. Watanabe; S. Osawa; D. Tajimi; T. Hatakeyama; T. Yamaguchi and T. Honda
    5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5), 2014年05月19日
  • Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys
    T. Yamaguchi; K. Tanuma; T. Hatakeyama; T. Onuma and T. Honda
    The 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2014), 2014年05月12日
  • RF-MBE growth of GaInN ternary alloys using DERI method and fabrication of pn-GaInN LEDs
    T. Yamaguchi; K. Narutani; T. Onuma; T. Honda; T. Araki and Y. Nanishi (招待講演)
    2014International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014), 2014年05月02日
  • Characterization of Dark Spots on GaInN Films by Using Fluorescence Microscope and Secondary Ion Mass Spectroscopy
    N. Toyomitsu; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Sumiya
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’14), 2014年04月24日
  • RF-MBE Growth of pn-GaInN Structure and Fabrication of Blue-Green Homojunction-Type Light Emitting Diode
    K. Narutani; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; Y. Nanishi; L. Sang; M. Sumiya; S. Fujioka; T. Onuma and T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’14), 2014年04月24日
  • Fabrication of Vertical-Type GaN-Based Metal Oxide Semiconductor Light-Emitting Diodes
    S. Fujioka; T. Yasuno; A. Sato; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’14), 2014年04月24日
  • Effect of Pseudo Aluminum Templates in RF-MBE Growth of GaN on 4H-SiC
    Y. Watanabe; S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’14), 2014年04月24日
  • Optical Properties of Ga-In-O Polycrystalline Films Fabricated by Molecular Precursor Method
    T. Onuma; T. Yasuno; S. Takano; R. Goto; S. Fujioka; T. Hatakeyama; H. Hara; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’14), 2014年04月23日
  • Light emission properties of ultra thin InN in the GaN matrix
    T. Honda; T. Yamaguchi; T. Onuma; D. Tajimi; N. Watanabe; N. Hashimoto; K. Kusakabe and A. Yoshikawa (招待講演)
    International Conference on Metamaterials and Nanophysics (Metanano2014), 2014年04月
  • GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作
    鳴谷建人,山口智広,Ke Wang,荒木努,名西やすし,Liwen Sang,角谷正友,藤岡秀平,尾沼猛儀,本田徹
    2014年 （平成26年） 春季 第61回応用物理学関係連合講演会, 2014年03月20日
  • ミストCVD法を用いたGa2O3結晶成長における成長速度の温度依存性
    田沼圭亮,杉本麻佑花,畠山匠,尾沼猛儀,山口智広,本田徹
    2014年 （平成26年） 春季 第61回応用物理学関係連合講演会, 2014年03月18日
  • 分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性
    尾沼猛儀,安野泰平,高野宗一郎,後藤良介,藤岡秀平,畠山匠,原広樹,望月千尋,永井裕己,山口智広,佐藤光史,本田徹
    2014年 （平成26年） 春季 第61回応用物理学関係連合講演会, 2014年03月17日
  • 蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価
    豊満直樹,Liwen Sang,山口智広,本田徹,角谷正友
    2014年 （平成26年） 春季 第61回応用物理学関係連合講演会, 2014年03月17日
  • DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; T. Araki and E. Yoon (招待講演)
    SPIE Photonics West 2014, 2014年02月04日
  • DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors
    SPIE Photonics West 2014, 2014年
  • Mist CVD growth of alpha-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3/sapphire templates
    T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; R. Amiya; T. Onuma and T. Honda
    The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年11月14日
  • Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD
    K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; T. Onuma and T. Honda
    The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年11月14日
  • Growth of InN and Related Alloys using DERI Method toward Fabrication of Optoelectronics Devices
    T. Yamaguchi; K. Wang; T. Honda; E. Yoon; T. Araki; Y. Nanishi
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年11月13日
  • RF-MBE Growth of GaN/Al Heterostructures on 4H-SiC
    S. Ohsawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年11月13日
  • Effects of (Al,Ga)Ox/GaN Interface States on GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes
    S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年11月13日
  • Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending
    R. Amiya; Y. Sugiura; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年11月13日
  • Ga2O3上GaN成長とGaN上Ga2O3成長
    山口智広、畠山匠、多次見大樹、尾沼猛儀、本田徹
    第43回結晶成長国内会議, 2013年11月07日
  • ミストCVD法を用いたGa2O3及びIn2O3成長
    田沼圭亮、山口智広、畠山匠、尾沼猛儀、本田徹
    第43回結晶成長国内会議, 2013年11月07日
  • MBE Growth of Thick InN and InGaN Films using DERI Method
    T. Araki; T. Yamaguchi; E. Yoon; Y. Nanishi
    2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年09月18日
  • GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響
    藤岡秀平、網谷良介、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月17日
  • 硬X線光電子分光法を用いたMg-InN のエネルギーバンド分布評価
    井村将隆、津田俊輔、長田貴弘、武田寛之、小出康夫、A.L.Yang、山下良之、吉川英樹、小林啓介、山口智広、金子昌充、上松尚、荒木努、名西憓之
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月17日
  • ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長
    多次見大樹、奥秋良隆、畠山匠、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月16日
  • beta-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関
    尾沼猛儀、藤岡秀平、山口智広、東脇正高、佐々木公平、増井建和、本田徹
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月16日
  • RF-MBEを用いたInGaN成長の膜厚依存性
    坂本正洋、王科、荒木努、名西憓之、Euijoon Yoon、山口智広
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月16日
  • 4H-SiC上の疑似Al基板製作と疑似基板上へのGaN RF-MBE成長
    大澤真弥、多次見大樹、山口智広、本田徹
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月16日
  • 表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響
    網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    2013年（平成25年） 秋季 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年09月16日
  • Use of alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 template in GaN film growth
    T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Honda
    2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年09月16日
  • Fabrication of Ga-In-O films by Molecular Precursor Method and Their Future Application of UV Transparent Electrodes
    T. Yasuno; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), 2013年09月11日
  • RF-MBE Growth and Characterization of GaN Films on alpha-Ga203/Sapphire Template
    T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Honda
    10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (ICNS-10), 2013年08月27日
  • RF-MBE Growth of InGaN Ternally Alloys: Advantage of DERI method
    T. Yamaguchi; K. Wang; T. Honda; E. Yoon; T. Araki; Y. Nanishi (招待講演)
    The 16th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC2013), 2013年08月15日
  • RF-MBE growth of GaN films on nitridated alpha-Ga2O3 buffer layer
    T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Onuma; T. Honda
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月14日
  • Message for Future Research and Development of Opto-Electronic Devices Based on Nitride Semiconductors
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; T. Araki and E. Yoon (招待講演)
    The 8th LED Semiconductor Lightings Conference, 2013年08月13日
  • Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
    T. Onuma; S. Fujioka; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; K. Sasaki; T. Masui; T. Honda
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月13日
  • RF-MBE法による疑似Al基板を用いたGaN成長
    大澤真弥、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • Alpha-Ga2O3上へのGaN RF-MBE成長
    畠山匠、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • GaN基板上へのショットキーダイオード製作における表面改質の基礎検討
    藤岡修平、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • 分子プレカーサ法を用いた(0001)Sapphire基板上Ga-In-O薄膜の製作
    安野泰平、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • RF-MBE法によるAlN/GaN構造上AlOx薄膜の結晶成長
    杉浦洋平、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりの変化
    網谷良介、山口智広、本田徹
    第36回光通信研究会, 2013年08月10日
  • Recent Progress and Issues of InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; T. Araki and E. Yoon (招待講演)
    The WCU Korea-China Workshop on Nitride Semiconductors 2013, 2013年07月22日
  • Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes
    S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月11日
  • RF-MBE growth of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template
    T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月11日
  • The GaN growth on psude Aluminum templates by molecular beam epitaxy
    S. Osawa; T. Hatakeyama; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月11日
  • Characterization of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
    T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月11日
  • Influence of native surface oxide on GaN surface band bending
    R. Amiya; Y. Sugiura; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月11日
  • RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
    Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda; M. Higashiwaki
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月10日
  • Impact of ultra-thin InN layers in GaN matrix for light-emitting diodes with super weak waveguides
    D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年07月10日
  • RF-MBE法による疑似Al基板上へのGaN成長
    多次見大樹、大澤真弥、山口智広、本田徹
    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第５回 窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月22日
  • 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響
    網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第５回 窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月22日
  • DERI法を応用したRF-MBEによるInGaN成長と評価
    荒木努、山口智広、名西憓之(招待講演)
    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第５回 窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月22日
  • Compressively strained GaN growth on (0001) 4H-SiC with Al buffer by MBE
    S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    E-MRS 2013 Spring Meeting, 2013年05月28日
  • Effect of (GaN/AlN) ASF buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE
    T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; T. Igaki; Y. Sugiura; T. Honda
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年05月20日
  • Aluminum layers grown on (0001) 4H-SiC for the GaN growth by molecular beam epitaxy
    S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年05月20日
  • In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
    Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda; M. Higashiwaki
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年05月20日
  • Growth of ultra-thin InN layers in GaN matrix for super weak waveguides
    D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS2013), 2013年05月14日
  • InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦
    名西憓之、山口智広、荒木努(招待講演)
    LED総合フォーラム2013in徳島, 2013年04月27日
  • Temperature Dependent Cathodo-Luminescence Spectraof beta-Ga2O3Crystals
    T. Onuma; S. Fujioka; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; K. Sasaki; T. Masui; T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月25日
  • Fabrication of Ga-In-O Films by Molecular Precursor Method
    T. Yasuno; T. Oda; H.Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月24日
  • Formation of Aluminum Templates Grown on(0001)4H-SiC for the GaN Growth by RF-MBE
    S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月24日
  • Growth of GaN on alpha-Ga2O3/Sapphire Template by RF-MBE
    T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月24日
  • Surface Modification of GaN Crystals and Its Effectson Optical Properties
    S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月24日
  • Recent Progress on InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki and E. Yoon (招待講演)
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年04月23日
  • 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの表面-バルク電子状態評価
    井村将隆、長田貴弘、荒木努、名西憓之、小出康夫、A. L. Yang、山下良之、吉川英樹、小林啓介、山口智広、武田寛之、津田俊輔、金子昌充、上松尚
    2013年 （平成25年） 春季 第60回応用物理学関係連合講演会, 2013年03月28日
  • 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位の変化
    網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    2013年 （平成25年） 春季 第60回応用物理学関係連合講演会, 2013年03月28日
  • beta-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル
    尾沼猛儀、藤岡秀平、山口智広、東脇正高、佐々木公平、増井建和、本田徹
    2013年 （平成25年） 春季 第60回応用物理学関係連合講演会, 2013年03月28日
  • In-situ RF-MBE法によるAlOx/AlN/GaN構造のヘテロ成長
    杉浦洋平、山口智広、本田徹、東脇正高
    2013年 （平成25年） 春季 第60回応用物理学関係連合講演会, 2013年03月28日
  • Application of DERI method to InN/InGaN MQW, thick InGaN and InGaN/InGaN MQW structure growth
    T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; T. Honda; E. Yoon; Y. Nanishi(招待講演)
    SPIE Photonic West, 2013年02月04日
  • Growth of ultra-thin InN/GaN quantum well with super-weak waveguide by RF-MBE
    T. Honda; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Onuma; T. Yamaguchi
    Euro-MBE 2013, 2013年02月
  • Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    日本学術振興会 第161委員会 結晶成長の科学と技術 第79回研究会, 2013年01月15日
  • Fabrication of Ga-In-O Films by Molecular Precursor Method
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年
  • Aluminum layers grown on (0001) 4H-SiC for the GaN growth by molecular beam epitaxy
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年
  • Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Message for Future Research and Development of Opto-Electronic Devices Based on Nitride Semiconductors
    The 8th LED Semiconductor Lightings Conference, 2013年
  • Growth of InN and Related Alloys using DERI Method toward Fabrication of Optoelectronics Devices
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年
  • Effects of (Al,Ga)Ox/GaN Interface States on GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年
  • Mist CVD growth of alpha-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3/sapphire templates
    The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年
  • Growth of GaN on alpha-Ga2O3/Sapphire Template by RF-MBE
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • Growth of ultra-thin InN layers in GaN matrix for super weak waveguides
    The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS2013), 2013年
  • Impact of ultra-thin InN layers in GaN matrix for light-emitting diodes with super weak waveguides
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Influence of native surface oxide on GaN surface band bending
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Characterization of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Recent Progress and Issues of InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices
    The WCU Korea-China Workshop on Nitride Semiconductors 2013, 2013年
  • RF-MBE Growth of InGaN Ternally Alloys: Advantage of DERI method
    The 16th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC2013), 2013年
  • RF-MBE Growth and Characterization of GaN Films on alpha-Ga203/Sapphire Template
    10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (ICNS-10), 2013年
  • Use of alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 template in GaN film growth
    2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年
  • MBE Growth of Thick InN and InGaN Films using DERI Method
    2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年
  • Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD
    The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年
  • Growth of ultra-thin InN/GaN quantum well with super-weak waveguide by RF-MBE
    Euro-MBE 2013, 2013年
  • Recent Progress on InN and InGaN Growth for Future Optoelectronic Devices
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • Formation of Aluminum Templates Grown on(0001)4H-SiC for the GaN Growth by RF-MBE
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • Temperature Dependent Cathodo-Luminescence Spectraof beta-Ga2O3Crystals
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • Effect of (GaN/AlN) ASF buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年
  • Compressively strained GaN growth on (0001) 4H-SiC with Al buffer by MBE
    E-MRS 2013 Spring Meeting, 2013年
  • RF-MBE growth of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年
  • RF-MBE growth of GaN films on nitridated alpha-Ga2O3 buffer layer
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年
  • Fabrication of Ga-In-O films by Molecular Precursor Method and Their Future Application of UV Transparent Electrodes
    The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), 2013年
  • Application of DERI method to InN/InGaN MQW, thick InGaN and InGaN/InGaN MQW structure growth
    SPIE Photonic West, 2013年
  • Surface Modification of GaN Crystals and Its Effectson Optical Properties
    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), 2013年
  • The GaN growth on psude Aluminum templates by molecular beam epitaxy
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), 2013年
  • Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年
  • RF-MBE Growth of GaN/Al Heterostructures on 4H-SiC
    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013), 2013年
  • DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長
    荒木 努、上松 尚、阪口 順一、王 科、山口 智広、Euijoon Yoon、名西 憓之
    2012年度電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2012年11月30日
  • Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals
    T. Honda; T. Onuma; Y. Sugiura; T. Yamaguchi
    2012 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, 2012年11月29日
  • GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定
    杉浦洋平、網谷良介、多次見大樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    2012年度電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2012年11月29日
  • Fabrication of Ga2O3 Films by Molecular Precursor Method
    T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    2012 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, 2012年11月28日
  • RF-MBE法による交互供給緩衝層をSi基板上に導入したGaN薄膜の残留歪評価
    大澤真弥、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田 徹
    応用物理学会結晶工学分科会 第１回結晶工学未来塾, 2012年11月08日
  • クロストーク低減へ向けたultra-thin InN/GaN単一量子井戸の製作
    畠山匠、多次見大樹、林才人、杉浦洋平、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    応用物理学会結晶工学分科会 第１回結晶工学未来塾, 2012年11月08日
  • Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2012年10月31日
  • Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Measurements of InN Grown by RF-MBE
    R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; J. Sakaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; T. Honda
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年10月30日
  • Estimation of Surface States of Ga- and N-face GaN Measurement Near the Valence-band Maximum by X-ray Photoelectron Spectroscopy
    Y. Sugiura; R. Amiya; D. Tajimi; T. Onuma; T. Yamaguchi; H. Honda
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年10月30日
  • Electron-beam Incident-angle-resolved Cathodoluminescence Studies on Bulk ZnO Crystals
    T. Onuma; S. Fujioka; F. Tomori; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年10月30日
  • Growth and Characterization of InN-based Materials
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda; Y. Nanishi
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年10月30日
  • Characterization of Fabricated Ga2O3 Thin Films on (0001) Sapphire Substrate by Molecular Precursor Method
    T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年10月30日
  • Growth of InN and related materials using DERI method
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda; Y. Nanishi(招待講演)
    Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors, 2012年10月22日
  • Strong correlation between oxygen donor and nearsurface electron accumulation in non-polar mplane (10-10) InN film
    A. Yang; Y. Yamashita; H Yoshikawa; T. Yamaguchi; M. Imura; M. Kaneko; O. Sakata; Y. Nanishi; K. Kobayashi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月18日
  • Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors’ Band gap-
    Y. Nanishi; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; E. Yoon(招待講演)
    2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society, 2012年10月18日
  • Injection-activated defect-governed recombination rate in InN
    S. Nargelas; K. Jarasiunas; M. Vengris; T. Yamaguchi; Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月18日
  • T-dependence of local vibrational modes of Mg-H complexes in InN:Mg
    R. Cusco; N. Domenech-Amador; L. Artus; K. Wang; T. Yamaguchi; Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月18日
  • Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE
    R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Honda; T. Araki; Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月18日
  • Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    M. Imura; S. Tsuda; T. Nagata; Y. Koide; A. Yang; Y. Yamashita; H. Yoshikawa; K. Kobayashi; M. Kaneko; T. Yamaguchi; N. Uematsu; T. Araki; Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月16日
  • HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
    R. Imai; S. Yamamoto; R. Togashi; H. Murakami; Y. Kumagai; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; A. Koukitu
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月16日
  • Fabrication of RGB pixels using integrated GaN based Schottky-type light-emitting diodes
    T. Honda; T. Yamaguchi; N. Sakai; S. Fujioka; Y. Sugiura
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年10月15日
  • GaN growth on (111)Al by molecular beam epitaxy
    T. Honda; T. Tajimi; N. Shinohara; Y. Sugiura; M. Hayashi; T. Yamaguchi
    17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), 2012年09月28日
  • Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method
    T. Yamaguchi; N. Uematsu; T. Araki; T. Honda; E. Yoon; Y. Nanishi
    17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), 2012年09月28日
  • Interface Control of III-Oxide/Nitride Composite Structures
    M. Higashiwaki; S. Chowdhury; B. R. Swenson; U.K. Mishra; T. Igaki; T. Yamaguchi; T. Honda
    2012 International Coference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), 2012年09月25日
  • 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価
    井村将隆; 津田俊輔; 長田貴弘; 小出康夫; Yang Anli; 山下良之; 吉川英樹; 小林啓介; 名西やすし; 山口智広; 金子昌充; 上松尚; 荒木努
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月13日
  • ZnO単結晶の電子線入射角度依存カソードルミネセンス測定
    尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月13日
  • 酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性
    尾沼猛儀、藤岡秀平、山口智広、東脇正高、佐々木公平、増井建和、本田徹
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月13日
  • Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction
    楊安麗; 山下良之; 小畠雅明; 松下智裕; 吉川英樹; I. Pis; 山口智広; 坂田修身; 名西やすし; 小林啓介
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月12日
  • Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF-MBE
    T. Araki; N. Uematsu; J. Sakaguchi; K. Wang; T. Yamaguchi; E. Yoon; Y. Nanishi
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月11日
  • Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE
    R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Araki; Y. Nanishi; T. Honda
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月11日
  • X-Ray photoelectron spectroscopy measurements around the valence-band of Ga- and N-face (0001) GaN
    Y. Sugiura; D. Tajimi; R. Amiya; T. Yamaguchi; T. Honda
    39th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2012), 2012年08月27日
  • Incident angle resolved cathodoluminescence study of ZnO single crystals
    T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
    39th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2012), 2012年08月27日
  • Frontier Research of Nitride Semiconductors toward Longer Wavelength and Higher Speed
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    2nd Solid-State Systems Symposium – VLSIs and Semiconductor Related Technologies, 2012年08月22日
  • RF-MBE法を用いたSi基板上GaN成長へのASF緩衝層の効果
    多次見大樹、山口智広、本田徹
    第35回光通信研究会, 2012年08月07日
  • 短波長領域動作GaInN系太陽電池の基礎検討
    杉浦洋平、山口智広、本田徹
    第35回光通信研究会, 2012年08月07日
  • 分子プレカーサー法を用いた(0001)Sapphire基板上Ga2O3薄膜の製作
    安野泰平、山口智広、本田徹
    第35回光通信研究会, 2012年08月06日
  • RF-MBE法により成長したInNの角度分解XPS測定
    網谷良介、山口智広、本田徹
    第35回光通信研究会, 2012年08月06日
  • Toward strain control of GaN grown on Si by RF-MBE
    T. Yamaguchi; D. Tajimi; T. Igaki; Y. Sugiura and T. Honda
    The 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年07月24日
  • Fabrication of c-axis orientated Ga-doped MgZnO-based transparent electrodes by molecular precursor method for GaN-based UV LED
    T. Honda; T.Yasuno; T. Oda; N. Sakai; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato
    The 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年07月24日
  • Growth of InN, InGaN and those Nano-structures by DERI Method
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices, 2012年07月21日
  • Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering
    R. J. Jiménez Riobóo; N. Domènech-Amador; R. Cuscó; C. Prieto; T. Yamaguchi; Y. Nanishi; L. Artús
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年07月19日
  • In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures
    M. Higashiwaki; T. Igaki; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年07月17日
  • In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method
    T. Araki; N. Uematsu; M. Yutani; T. Saito; J. Sakaguchi; T. Yamaguchi; T. Fujishima; E. Matioli; T. Palacios; Y. Nanishi
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年07月17日
  • GaN layers growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE andtheir chemical lift-off technique
    T. Honda; M. Hayashi; Y. Sugiura; I. Takezawa; and T. Yamaguchi
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年07月17日
  • Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films
    R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Honda; T. Araki; Y. Nanishi
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年07月12日
  • Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method
    T. Yamaguchi; N. Uematsu; K. Wang; T. Araki; T. Honda; E. Yoon; Y. Nanishi
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年07月12日
  • X-ray photoelectron spectroscopy spectra of Ga- and N-face (0001)GaN around the valence-band binding energy
    Y. Sugiura; D. Tajimi; R. Amiya; T. Yamaguchi; T. Honda
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年07月12日
  • Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doepd InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    M. Imura; S. Tsuda; T. Nagata; Y. Koide; A. Yang; Y. Yamashita; H. Yoshikawa; K. Kobayashi; M. Kaneko; T. Yamaguchi; N. Uematsu; R. Iwamoto; T. Araki; Y. Nanishi
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年07月12日
  • Impact of (GaN/AlN) alternating-source-feeding layer for the GaN growth on (111)Si substrates by RF-MBE
    D. Tajimi; T. Igaki; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年07月11日
  • The strain-controlled GaN growth on Si by RF-MBE
    D. Tajimi; T. Igaki; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda
    The 17th OptoElectronics and Communication Conference (OECC2012), 2012年07月05日
  • Angle-resolved XPS measurements of GaN and InN grown by RF-MBE
    T. Yamaguchi; R. Amiya; D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Honda; N. Uematsu; T. Araki; Y. Nanishi
    The 17th OptoElectronics and Communication Conference (OECC2012), 2012年07月05日
  • Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction
    A. L. Yang; Y. Yamashita; M. Kobata; T. Matsushita; H. Yoshikawa; I. Píš; M. Imura; T. Yamaguchi; O. Sakata; Y. Nanishi; K. Kobayashi
    The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, 2012年06月26日
  • Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE
    T. Araki; N. Uematsu; K. Wang; T. Yamaguchi; E. Yoon; Y. Nanishi
    The Electronic Materials Conference 2012 (EMC2012), 2012年06月22日
  • DERI法InGaN成長におけるラジカルモニタリング技術応用
    荒木努、阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齋藤巧、山口智広、名西憓之、T. Fujishima; E. Matioli; T. Palacios
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会, 2012年04月28日
  • DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作製
    上松尚、山口智広、荒木努、名西憓之
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月17日
  • ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討
    阪口順一、上松尚、油谷匡胤、齋藤巧、山口智広、荒木努、名西憓之、T. Fujishima、E. Matioli、T. Palacios
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月17日
  • InN Overgrowth Through in Situ A1N Nano-Mask on Sapphire Substrate
    王科、荒木努、武内道一、山口智広、名西憓之
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月17日
  • A Natural PN Junction in Mg-Doped In-Polar InN Film Directly Detected by High Resolution Angle-Resolved Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy
    A. L. Yang; Y. Yamashita; T. Yamaguchi; M. Imura; M. Kaneko; O. Sakata; Y. Nanishi; K. Kobayashi
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月16日
  • AlおよびAlOx膜堆積が極性GaNのPL強度に与える影響
    坂井直之、尾沼猛儀、山口敦史、山口智広、本田徹
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月16日
  • Al緩衝層を用いた化合物原料MBE法による(0001)4H-SiC上GaN薄膜の製作
    長瀬赳史、篠原直也、林才人、杉浦洋平、山口智広、本田徹
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月16日
  • RF-MBE法による (GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜のX線回折測定
    杉浦洋平、井垣辰浩、林才人、多次見大樹、山口智広、本田徹
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月16日
  • n-GaN上へのAlOx薄膜のin-situ RF-MBE成長
    東脇正高、井垣辰浩、山口智広、本田徹
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月16日
  • 窒化物半導体新領域開拓にむけての材料技術最近の展開
    名西憓之、山口智広、王科、荒木努、E. Yoon(招待講演)
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月15日
  • 極性・非極性バルクZnO表面におけるCLスペクトルの比較
    尾沼猛儀、大林亨、山口智広、山口敦史、本田徹
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月15日
  • Free Holes in Mg Doped InN Confirmed by Thermopower Experiments
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi; N. Miller; M. Mayer; J. W. Ager; K. M. Yu; W. Walukiewicz
    Fourth International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2012), Nagoya, Japan, 2012年03月08日
  • Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    Fourth International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2012), Nagoya, Japan, 2012年03月05日
  • Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon(招待講演)
    KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting, 2012年02月13日
  • Reduction of Threading Dislocation Density by Regrowth on In-Polar InN
    T. Araki; T. Sakamoto; A. Miki; N. Uematsu; Y. Takamatsu; T. Yamaguchi; Y. Eoon and Y. Nanishi
    SPIE Photonic West 2011, San Francisco, USA, 2012年01月23日
  • 分子線エピタキシー（MBE）による結晶成長
    東京農工大学「薄膜合成化学特論」集中講義, 2012年01月20日
  • InNおよびInGaN成長の最近の進展-DERI法の結果が示唆すること-
    名西憓之、山口智広、荒木努(招待講演)
    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会, 2012年01月12日
  • Application of DERI Method to thick InGaN and InN/InGaN MQW structure Growth
    KAUST-UCSB-NSF Workshop on Solid-State Lighting, 2012年
  • Free Holes in Mg Doped InN Confirmed by Thermopower Experiments
    Fourth International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2012), Nagoya, Japan, 2012年
  • Growth of InGaN/InGaN MQW structures using DERI by RF-MBE
    The Electronic Materials Conference 2012 (EMC2012), 2012年
  • The strain-controlled GaN growth on Si by RF-MBE
    The 17th OptoElectronics and Communication Conference (OECC2012), 2012年
  • Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年
  • Surface acoustic waves and elastic constants of InN epilayers determined by Brillouin scattering
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年
  • Growth of InN, InGaN and those Nano-structures by DERI Method
    2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices, 2012年
  • Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method
    17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), 2012年
  • HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Injection-activated defect-governed recombination rate in InN
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Growth and Characterization of InN-based Materials
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年
  • Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals
    2012 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, 2012年
  • Reduction of Threading Dislocation Density by Regrowth on In-Polar InN
    SPIE Photonic West 2011, San Francisco, USA, 2012年
  • Angle-resolved XPS measurements of GaN and InN grown by RF-MBE
    The 17th OptoElectronics and Communication Conference (OECC2012), 2012年
  • GaN layers growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE andtheir chemical lift-off technique
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年
  • Frontier Research of Nitride Semiconductors toward Longer Wavelength and Higher Speed
    2nd Solid-State Systems Symposium – VLSIs and Semiconductor Related Technologies, 2012年
  • Angled-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年
  • Fabrication of RGB pixels using integrated GaN based Schottky-type light-emitting diodes
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Characterization of Fabricated Ga2O3 Thin Films on (0001) Sapphire Substrate by Molecular Precursor Method
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年
  • Estimation of Surface States of Ga- and N-face GaN Measurement Near the Valence-band Maximum by X-ray Photoelectron Spectroscopy
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年
  • Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Measurements of InN Grown by RF-MBE
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年
  • Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies
    Fourth International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2012), Nagoya, Japan, 2012年
  • InN Overgrowth Through in Situ A1N Nano-Mask on Sapphire Substrate
    2012年 （平成24年） 春季 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年
  • X-ray photoelectron spectroscopy spectra of Ga- and N-face (0001)GaN around the valence-band binding energy
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年
  • In-situ monitoring of InGaN growth using DERI method
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年
  • In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures
    The Forth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012年
  • Toward strain control of GaN grown on Si by RF-MBE
    The 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年
  • Growth of InGaN-based heterostructures using DERI by RF-MBE
    2012年（平成24年） 秋季 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年
  • Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Toward Longer Wavelength and Higher Speed -Challenge to Utilize Full Span of Nitride Semiconductors’ Band gap-
    2012 Fall Meeting of the Korean Ceramic Society, 2012年
  • Growth of InN and related materials using DERI method
    Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors, 2012年
  • Recent Development of Growth and Characterization of InN, In-rich InGaN and Those Nano-structures
    IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2012年
  • Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction
    The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics, 2012年
  • Impact of (GaN/AlN) alternating-source-feeding layer for the GaN growth on (111)Si substrates by RF-MBE
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年
  • Angled-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年
  • Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doepd InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), 2012年
  • Fabrication of c-axis orientated Ga-doped MgZnO-based transparent electrodes by molecular precursor method for GaN-based UV LED
    The 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年
  • X-Ray photoelectron spectroscopy measurements around the valence-band of Ga- and N-face (0001) GaN
    39th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2012), 2012年
  • Incident angle resolved cathodoluminescence study of ZnO single crystals
    39th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2012), 2012年
  • Interface Control of III-Oxide/Nitride Composite Structures
    2012 International Coference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), 2012年
  • GaN growth on (111)Al by molecular beam epitaxy
    17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), 2012年
  • Strong correlation between oxygen donor and nearsurface electron accumulation in non-polar mplane (10-10) InN film
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • T-dependence of local vibrational modes of Mg-H complexes in InN:Mg
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), 2012年
  • Electron-beam Incident-angle-resolved Cathodoluminescence Studies on Bulk ZnO Crystals
    The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-11), 2012年
  • Fabrication of Ga2O3 Films by Molecular Precursor Method
    2012 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, 2012年
  • Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki and E. Yoon(招待講演)
    Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011), 2011年12月21日
  • InNおよびGaN成長における原子脱離過程その場観察
    山口智広、荒木努、本田徹、名西憓之
    応用物理学会 結晶工学分科会主催2011年・年末講演会, 2011年12月15日
  • (GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄膜成長
    井垣辰浩、林才人、山口智広、本田徹
    応用物理学会 結晶工学分科会主催2011年・年末講演会, 2011年12月15日
  • In-plane epitaxial relationship of (0001) sapphire grown by compound-source MBE
    Y. Sugiura; T. Oda; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
    2011 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2011年12月01日
  • Low temperature of GaN on psudo (111)Al substrates by RF-MBE
    M. Hayashi; T. Goto; T. Yamaguchi; T. Igaki; and T. Honda
    2011 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2011年12月01日
  • X-ray diffraction pattern of ZnO layer grown by compound source MBE
    R. Amiya; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; and T. Honda
    The 10th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-10), 2011年11月17日
  • Ozone treatment of the substrates for the ZnO deposition by molecular precursor method
    T. Oda; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yasuno; T. Yamaguchi; M. Sato; and T. Honda
    The 10th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-10), 2011年11月17日
  • ECR-MBE法を用いたA面InNナノ構造の配列制御選択成長
    荒木努、山下修平、山口智広、名西憓之(招待講演)
    第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）, 2011年11月04日
  • HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討
    山本翔、東川義弘、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、山口智広、荒木努、名西やすし、纐纈明伯
    第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）, 2011年11月03日
  • DERI法を用いたA面GaNテンプレート上A面InNの作成
    油谷匡胤、山口智広、荒木努、名西憓之
    平成23年電気関係学会関西支部連合大会, 2011年10月30日
  • 極性および非極性GaN表面における表面再結合過程
    坂井直之、井垣辰浩、尾沼猛儀、山口敦史、山口智広、本田徹
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月01日
  • 六方晶GaNとZnOにおける表面再結合の比較
    尾沼猛儀、坂井直之、井垣辰浩、山口智広、山口敦史、本田徹
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月01日
  • 化合物原料MBE法を用いたZnO薄膜の結晶成長とその評価
    杉浦洋平、小田拓人、小畑聡、芳原義大、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月31日
  • RF-MBE 法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN 薄膜成長
    林才人、井垣辰浩、杉浦洋平、後藤大雅、山口智広、本田徹
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月30日
  • InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響
    山本翔、東川義弘、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、山口智広、荒木努、名西やすし、纐纈明伯
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月30日
  • In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減
    荒木努、坂本務、三木彰、上松尚、高松祐基、山口智広、名西やすし
    2011年（平成23年） 秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月30日
  • Built-in Potential Along the C-axis in MBE-grown,GaN Layers Observed by Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
    T. Honda; T. Igaki; T. Yamaguchi; Y. Kumagai and A. Koukitu
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年08月16日
  • Growths of InN/InGaN Periodic Structure and Thick InGaN Film using Droplet Elimination Process by Radical-beam Irradiation
    T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y. Nanishi
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年08月16日
  • Comparative Study of Surface Recombination in Hexagonal GaN and ZnO Surfaces
    T. Onuma; N. Sakai; T. Igaki; T. Yamaguchi; A. A. Yamaguchi and T. Honda
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年08月15日
  • RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
    名西やすし、荒木努、山口智広、王科
    特定領域研究「窒化物半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム, 2011年08月03日
  • Mgドープp型InNの結晶成長と物性評価
    王科、山口智広、荒木努、名西やすし
    特定領域研究「窒化物半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム, 2011年08月03日
  • DERI法を用いたInNおよびInGaN混晶の結晶成長
    山口智広、王科、荒木努、名西やすし
    特定領域研究「窒化物半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム, 2011年08月03日
  • DERI法によるIn系窒化物半導体の結晶成長
    山口智広、荒木努、本田徹、名西やすし(招待講演)
    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第75回研究会, 2011年07月22日
  • Strong luminescence from self-assembled InN nanocolumns with few dislocations grown by molecular beam epitaxy
    K. Wang; T. Araki; T. Yamaguchi; E. Yoon and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月15日
  • Fabrication of Nanostructure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE
    T. Araki; S. Yamashita; T. Yamaguchi; E. Yoon and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月14日
  • Hydrogen in InN with polar, nonpolar and semipolar surface orientations
    V. Darakchieva; K. Lorenz; S. Ruffenach; M. -Y. Xie; E. Alves; M. Moret; O. Briot; W. J. Schaff; C. L. Hsiao; L. C. Chen; L. W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月14日
  • PN junction measurement in InN
    E. A. Llado; M. Mayer; N. Miller; T. Yamaguchi; K. Wang; E. Haller; Y. Nanishi and J. W. Ager
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月14日
  • Proposal of thick InGaN film growth using advanced droplet elimination process by radical-beam irradiation
    T. Yamaguchi; N. Uematsu; R. Iwamoto; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月13日
  • Anharmonic phonon decay in InN thin films
    N. Domenech-Amador; R. Cusco; L. Artus; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月13日
  • Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月13日
  • Growth of Position-controlled InN Nanocolumns Grown by RF-MBE on Nano-imprinted Sapphire Substrates
    M. H. Kim; T. Araki; K. S. Joo; Y. Nanishi; E. Yoon and T. Yamaguchi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月13日
  • Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics
    H. Sakurai; J. Kikawa; R. Iwamoto; K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki and Nanishi
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年07月13日
  • In situ monitoring techniques by DERI method
    T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y. Nanishi
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月01日
  • Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN grown by RF-MBE
    H. Sakurai; J. Kikawa; R. Iwamoto; K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月01日
  • Thick InGaN growth using DERI method
    N. Uematsu; T. Yamaguchi; R. Iwamoto; T. Sakamoto; T. Fujishima; T. Araki and Y. Nanishi
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月01日
  • Study on DERI growth of InN -Role of indium droplet-
    T. Katsuki; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月01日
  • Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys
    Y. Nanishi; T.Yamaguchi; T.Araki and E. Yoon(招待講演)
    40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors, 2011年06月29日
  • Recombination dynamics in polar and nonpolar GaN surfaces
    N. Sakai; T. Igaki; T. Onuma; A. A. Yamaguchi; T Yamaguchi and T. Honda
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年06月29日
  • Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    Electronic Materials Conference 2011(EMC2011), 2011年06月22日
  • HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討
    山本翔、東川義弘、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、山口智広、荒木努、名西やすし、纐纈明伯
    第３回 窒化物半導体結晶成長講演会, 2011年06月
  • Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2011年05月22日
  • Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method
    Y. Nanishi; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki and E. Yoon(招待講演)
    2011 E‐MRS Spring Meeting, 2011年05月11日
  • Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN with Different Surface Orientations
    V. Darakchieva; K. Lorenz; M.-Y. Xie; N. P. Barradas; E. Alves; W. J. Schaff; C.L. Hsiao; L.C. Chen; L.W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    2011 E‐MRS Spring Meeting, 2011年05月10日
  • N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価
    森本健太、三木彰、山口智広、前田就彦、荒木努、名西憓之
    2011年 （平成23年） 春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月
  • 電流‐電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証
    櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智広、城川潤二郎、荒木 努、名西憓之
    2011年 （平成23年） 春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月
  • Recent progress in Growth and characterization of InN and related alloys and those nano-structures
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang and T. Araki(招待講演)
    Workshop on frontier photonic and electronic materials and devices, 2011 German-Japanese-Spanish joint workshop, Granada, Spain, 2011年03月
  • Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN
    T. Yamaguchi; T. Fujishima; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011), Nagoya, Japan, 2011年03月
  • TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method
    T. Araki; T. Sakamoto; R. Iwamto; T. Yamaguchi; E. Yoon and Y. Nanishi
    Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011), Nagoya, Japan, 2011年03月
  • Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures
    Y. Nanishi; T.Yamaguchi; K. Wang and T.Araki
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, 2011年03月
  • Growth of InN Nanocolumns on GaN Templates and Sapphire by RF-MBE
    5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2011年
  • Recent Progress of DERI Process for Growth of InN and Related Alloys
    40th "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors, 2011年
  • Study on DERI growth of InN -Role of indium droplet-
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年
  • Growth of Position-controlled InN Nanocolumns Grown by RF-MBE on Nano-imprinted Sapphire Substrates
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • PN junction measurement in InN
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Strong luminescence from self-assembled InN nanocolumns with few dislocations grown by molecular beam epitaxy
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Comparative Study of Surface Recombination in Hexagonal GaN and ZnO Surfaces
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年
  • Growths of InN/InGaN Periodic Structure and Thick InGaN Film using Droplet Elimination Process by Radical-beam Irradiation
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年
  • Built-in Potential Along the C-axis in MBE-grown GaN Layers Observed by Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年
  • X-ray diffraction pattern of ZnO layer grown by compound source MBE
    The 10th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-10), 2011年
  • In-plane epitaxial relationship of (0001) sapphire grown by compound-source MBE
    2011 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2011年
  • Low temperature of GaN on psudo (111)Al substrates by RF-MBE
    2011 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2011年
  • Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping
    Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 2011), 2011年
  • Growth and fabrication of InN-based III-nitride structure using droplet elimination process by radical beam irradiation
    SPIE Photonic West 2011, San Francisco, USA, 2011年
  • TEM Study on Microstructure of Mg-doped InN Grown by RF-MBE Using DERI Method
    Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011), Nagoya, Japan, 2011年
  • Recent Progress in Growth and Characterization of InN and Related Alloys and Those Nano-structures
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, 2011年
  • Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization of InN Nanocolumns on GaN
    Electronic Materials Conference 2011(EMC2011), 2011年
  • Thick InGaN growth using DERI method
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年
  • Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Built-in Potential Along the C-axis in MBE-grown GaN Layers Observed by Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
    28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE2011), 2011年
  • Recent progress in Growth and characterization of InN and related alloys and those nano-structures
    Workshop on frontier photonic and electronic materials and devices, 2011 German-Japanese-Spanish joint workshop, Granada, Spain, 2011年
  • Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN
    Third International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2011), Nagoya, Japan, 2011年
  • In situ monitoring techniques by DERI method
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年
  • Investigation of InN Nanocolumns Grown on GaN Templates by Molecular Beam Epitaxy
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Fabrication of Nanostructure of A-plane InN on Patterned A-plane GaN Template by ECR-MBE
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN with Different Surface Orientations
    2011 E‐MRS Spring Meeting, 2011年
  • Recent Progress of InN and Related Alloys Grown by DERI Method
    2011 E‐MRS Spring Meeting, 2011年
  • Recombination dynamics in polar and nonpolar GaN surfaces
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年
  • Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN grown by RF-MBE
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年
  • Proposal of thick InGaN film growth using advanced droplet elimination process by radical-beam irradiation
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Anharmonic phonon decay in InN thin films
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Hydrogen in InN with polar, nonpolar and semipolar surface orientations
    The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011), Glasgow, Scottland, 2011年
  • Ozone treatment of the substrates for the ZnO deposition by molecular precursor method
    The 10th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-10), 2011年
  • Growth and fabrication of InN-based III-nitride structure using droplet elimination process by radical beam irradiation
    T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    SPIE Photonic West 2011, San Francisco, USA, 2011年01月
  • MBE法を用いたA面GaNテンプレート上Ａ面InN選択成長
    山下修平氏、山口智広、荒木努、名西憓之
    平成22年電気関係学会関西連合大会, 2010年11月
  • 窒化物半導体光半導体未踏領域への挑戦 －InNと関連混晶の新しい成長技術と評価
    名西憓之、山口智広、王科、荒木努、E. Yoon(招待講演)
    応用物理学会九州支部学術講演会, 2010年11月
  • RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討
    荒木努、川島圭介、山口智広、名西憓之
    レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2010年11月, 2010年度 電子情報通信学会
  • DERI法InGaN成長を用いた厚膜化への試み
    上松尚、山口智広、岩本亮輔、坂本務、藤嶌辰也、荒木努、名西憓之
    2010年（平成22年） 秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • InNデバイス作製プロセスへのウエットエッチングの適用
    三木彰、森本健太、前田就彦、山口智広、荒木努、名西憓之
    2010年（平成22年） 秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure
    T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    2010 International Coference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, Japan, 2010年09月
  • Dry etching of In- and N- polar InN using inductively-coupled plasma
    T. Fujishima; S. Takahashi; K. Morimoto; R. Iwamoto; N. Uematsu; M. Yutani; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. nanisih
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN: Diffusion Kinetics and Effect of Surface Orientation
    V. Darakchieva; K. Lorenz; S. Miranda; N. Barradas; E. Alves; D. Rogala; H.-W. Becker; S. Ruffenach; O. Briot; W. Schaff; C.-L. Hsiao; L.-C. Chen; L.-W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • DERI法を用いたInGaN成長と組成制御への試み
    岩本亮輔、山口智広、上松尚、坂本務、藤嶌辰也、荒木努、名西憓之
    2010年（平成22年） 秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • Evidence of Rectification in InN
    N. Miller; J. W. Ager; E. Haller; W. Walukiewicz; K. Wang; R. Iwamoto; T. Yamaguchi; K. Kagawa; T. Araki and Y. Nanishi(招待講演)
    The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Free Hole Concentration and Mobility in InN:Mg
    N. Miller; J. W. Ager; E. Haller; W. Walukiewicz; K. Wang; R. Iwamoto; T. Yamaguchi; K. Kagawa; T. Araki and Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Wet Etching Process for InN Device Fabrication
    A. Miki; K. Morimoto; N. Maeda; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Growth of InN and related alloys using droplet elimination by radical beam irradiation
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; M. Kaneko; E. Yoon; N. Miller; J. W. AgerⅢ; K. M. Yu and W. Walukiewicz (招待講演)
    The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • Potential of Nitride Photocatalyst for Water Splitting
    K. Ohkawa; T. Koyama; F. Sano; A. Hirako; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • TEMを用いたDERI法ドープInNの極微構造評価
    坂本務、山口智広、岩本亮輔、荒木努、名西憓之
    2010年（平成22年） 秋季 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月
  • Mg Doped InN and Search For Holes
    K. Wang; R. Iwamoto; T. Yamaguchi; K. Kagawa; T. Araki; Y. Nanishi; N. Miller; M. Mayer; J. W. Ager III; K. M. Yu and W.
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年09月
  • InGaN growth using droplet elimination by radical-beam irradiation method
    T. Yamaguchi; K. Wang; T. Araki; E. Yoon and N. Yasushi
    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), Berlin, Germany, 2010年08月
  • Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi and E. Yoon (招待講演)
    The second LED domestic conference, Seoul, Korea, 2010年08月
  • Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE
    T. Araki; K. Kawashima; T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16), Beijing, China, 2010年08月
  • Evidence of Free Holes in Mg Doped InN
    K. Wang; R. Iwamoto; T. Yamaguchi; K. Kagawa; T. Araki; Y. Nanishi; N. Miller; M. Mayer; J. W. Ager; K. M. Yu and W. Walukiewicz
    The Third International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-3), Montpellier、France, 2010年07月
  • Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE
    T. Kimura; E. Fukumoto; T. Yamaguchi; K. Wang; M. Kaneko; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    The Third International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-3), Montpellier、France, 2010年07月
  • High-pressure optical absorption and Raman scattering in InN thin films grown by molecular beam epitaxy
    F. J. Manjon; J. Ibanez; A. Segura; R. Cusco; L. Artus; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The 48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG), 2010年07月
  • Various application of DERI (droplet elimination by radical-beam irradiation) method in growth of RF-MBE
    T. Yamaguchi; H. Umeda; T. Sakamoto; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年07月
  • Wet etching by KOH for InN device fabrication
    A. Miki; K. Morimoto; N. Maeda; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年07月
  • Characterization of contact resistance of Ti/Al/Ti/Au ohmic metal on N-polar and In-polar InN films grown by RF-MBE
    K. Morimoto; S. Kikuchi; N. Maeda; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年07月
  • RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization
    T. Araki; H. Umeda; T. Yamaguchi; T. Sakamoto; E. Yoon and Y. Nanishi
    22th Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2010年06月
  • Hydrogen in InN: ubiquitous phenomena in molecular beam epitaxy grown material
    V. Darakchieva; K. Lorenz; N. P. Barradas; E. Alves; M.-Y. Xie; B. Monemar; M. Schubert; W.J. Schaff; C.L. Hsiao; L.C. Chen; L.W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    12th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC2010), Tuscany, Italy, 2010年06月
  • Mg doped InN and search for p-type InN
    K. Wang; R. Iwamoto; T. Yamaguchi; K. Kagawa; T. Araki; Y. Nanishi; N. Miller; M. Mayer; W. Walukiewicz
    Electronic Materials Conference 2010, 2010年06月
  • Growth, monitoring and InN/InGaN MQW structure fabrication by DERI method
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth, Gdansk-Sobieszewo, Poland, 2010年05月
  • DERI法を用いたＩｎ系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用
    山口智広、荒木努、名西憓之 (招待講演)
    第２回窒化物半導体結晶成長講演会, 2010年05月
  • DERI法のRHEED強度その場観察手法を用いたラジカルセル診断
    勝木拓郎、福本英太、山口智広、荒木努、名西憓之
    第２回窒化物半導体結晶成長講演会, 2010年05月
  • Undoped and Mg-doped InN grown using droplet elimination by radical-beam irradiation method
    T. Yamaguchi; K. Wang; R. Iwamoto; N. Miller; M. Mayer; J. W. Ager III; K. M. Yu; W. Walukiewicz; T. Araki and Y. Nanishi
    The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), 2010年05月
  • Free-charge carrier properties and doping mechanisms of thin films of InN and related alloys
    V. Darakchieva; M. Schubert; K. Lorenz; N. P. Barradas; E. Alves; T. Hofmann; B. Monemar; W. J. Schaff; C. L. Hsiao; L. C. Chen; L. W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V), 2010年05月
  • Optical hall effect in InN: bulk doping mechanism and surface electron accumulation properties
    V. Darakchieva; M. Schubert; T. Hofmann; B. Monemar; W. J. Schaff; C. L. Hsiao; L. C. Chen; L. W. Tu; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The International Conference Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN10), 2010年04月
  • A面 InN 成長のための低温 InN バッファ層最適成長条件の検討
    荒木努、川島圭介、山口智広、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • In situ monitoring of InN grown by RF-MBE
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    Second International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2010), Nagoya, Japan, 2010年03月
  • LiAlO2 (100)基板上 M 面 InN 低温バッファ層利用に向けた M 面 GaN 下地層の有効性
    香川和明、山口智広、荒木努氏、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • In組織揺らぎのメカニズム解明に向けた RF-MBE 成長 InGaN のCL 測定評価
    木村拓也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • C 面、A 面、M 面 InN の表面化学状態の解析
    髙木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation
    H. Umeda; T. Yamaguchi; T. Sakamoto; T. Araki; E. Yoon and Y. Nanishi
    Second International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2010), Nagoya, Japan, 2010年03月
  • Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface
    王科、山口智広、荒木努、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • DERI法を用いたIn系窒化物半導体結晶成長
    NIMS The 93rd QDR Seminar, 2010年03月
  • 硬 X 線光電子分光による InN バルク評価
    金子昌充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西憓之
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月
  • Free-charge carrier properties and doping mechanisms of thin films of InN and related alloys
    5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V), 2010年
  • High-pressure optical absorption and Raman scattering in InN thin films grown by molecular beam epitaxy
    2010 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2010年
  • Mg doped InN and search for p-type InN
    Electronic Materials Conference 2010, 2010年
  • Wet etching by KOH for InN device fabrication
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年
  • Potential, Present Status and Future Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications
    The second LED domestic conference, Seoul, Korea, 2010年
  • Evidence of Rectification in InN
    The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Growth of InN and related alloys using droplet elimination by radical beam irradiation
    The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Potential of Nitride Photocatalyst for Water Splitting
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Optical hall effect in InN: bulk doping mechanism and surface electron accumulation properties
    The International Conference Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN10), 2010年
  • Characterization of contact resistance of Ti/Al/Ti/Au ohmic metal on N-polar and In-polar InN films grown by RF-MBE
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年
  • InGaN growth using droplet elimination by radical-beam irradiation method
    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), Berlin, Germany, 2010年
  • Surface Kinetics of Indium Adlayers and Droplets and Their Roles in InN Growth by Molecular Beam Epitaxy
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Mg Doped InN and Search For Holes
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Wet Etching Process for InN Device Fabrication
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • In situ monitoring of InN grown by RF-MBE
    Second International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2010), Nagoya, Japan, 2010年
  • Undoped and Mg-doped InN grown using droplet elimination by radical-beam irradiation method
    The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), 2010年
  • Hydrogen in InN: ubiquitous phenomena in molecular beam epitaxy grown material
    12th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC2010), Tuscany, Italy, 2010年
  • RF-MBE Growth of InN/InGaN MQW Structures by DERI and Their Characterization
    22th Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2010年
  • Various application of DERI (droplet elimination by radical-beam irradiation) method in growth of RF-MBE
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), 2010年
  • Effect of low-temperature InN buffer on A-plane InN growth on nitridated r-plane sapphire by RF-MBE
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16), Beijing, China, 2010年
  • Dry etching of In- and N- polar InN using inductively-coupled plasma
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Raman scattering study of the temperature dependence of phonons in InN
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • High-pressure optical absorption and Raman scattering in InN thin films grown by molecular beam epitaxy
    2010 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2010年
  • Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation
    Second International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2010), Nagoya, Japan, 2010年
  • Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface
    2010年 （平成22年） 春季 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年
  • Growth, monitoring and InN/InGaN MQW structure fabrication by DERI method
    IX International Conference of Polish Society for Crystal Growth, Gdansk-Sobieszewo, Poland, 2010年
  • Investigation on InN mole fraction fluctuation in InGaN films grown by RF-MBE
    The Third International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-3), Montpellier、France, 2010年
  • High-pressure optical absorption and Raman scattering in InN thin films grown by molecular beam epitaxy
    The 48th European High Pressure Research Group Conference (EHPRG), 2010年
  • Evidence of Free Holes in Mg Doped InN
    The Third International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-3), Montpellier、France, 2010年
  • Droplet elimination process by radical beam irradiation for the growth of InN-based III-nitrides and its application to device structure
    2010 International Coference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, Japan, 2010年
  • Unintentional Incorporation of Hydrogen in InN: Diffusion Kinetics and Effect of Surface Orientation
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • Free Hole Concentration and Mobility in InN:Mg
    The International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Florida, USA, 2010年
  • N Raman scattering by LO-phonon-plasmon coupled modes in InN epilayers: dependence on the excitation laser intensity and wavelength
    R. Cuscó; J. Ibáñez; E. Alarcón-Lladó; T. Yamaguchi; Y. Nanishi and L. Artús
    2009 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2009年12月
  • RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用
    山口智広、名西憓之
    2009年度 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月, 電子情報通信学会
  • DERI法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価
    山口智広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西憓之
    第39回結晶成長国内会議, 2009年11月
  • RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について-
    荒木努、山口智広、金子昌充、名西憓之
    2009年度 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月, 電子情報通信学会
  • InN へのMg ドーピングにおける成長条件依存性
    岩本亮輔、山口智広、荒木努、名西憓之
    第39回結晶成長国内会議, 2009年11月
  • DERI法を用いた InN/InGaN 量子井戸構造の作製
    梅田英知、山口智広、荒木努、名西憓之
    第39回結晶成長国内会議, 2009年11月
  • RF-MBE 法を用いたLiAlo2(100)基板上へのInNの結晶成長
    香川和明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西憓之
    平成21年電気関係学会関西支部連合大会, 2009年11月
  • InNナノウォールの作製と評価
    片岡佳大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西憓之
    第39回結晶成長国内会議, 2009年11月
  • RF-MBE 法によるr面(10-12)Sapphire 基板上 InN の結晶成長
    川島圭介、山口智広、荒木努、名西憓之
    平成21年電気関係学会関西支部連合大会, 2009年11月
  • Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for the Growth of InN-based III-nitrides
    T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    Satellite Workshop on Nitride Semiconductors, Seoul, Korea, 2009年10月
  • RF-MBE growth and characterization of M-plane InN on LiAlO2 with C-plane phase inclusion
    T. Araki; H. Nozawa; Y. Takagi; A. Takeda; T. Sakamoto; K. Kagawa; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年10月
  • Photoexcited carriers in InN layers observed by Raman scattering
    R. Cuscó; E. Alarcón-Lladó; J. Ibáñez; T. Yamaguchi; Y. Nanishi and L. Artús
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年10月
  • Observation of surface potential on polar and nonpolar InN by Kelvin-probe force microscopy
    M. Kaneko; Y. Takagi; K. Kawashima; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年10月
  • Proposal of droplet elimination process by radical beam irradiation for reproducible growth of high-quality InN and InGaN
    T. Yamaguchi; A. Uedono; T. Suski and Y. Nanishi (招待講演)
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年10月
  • Polarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年10月
  • 電気化学的手法を用いたInNのバンド端位置の決定
    小山貴裕、平子晃、大川和宏、山口智広、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • 高品質 InN 上薄膜 AlN 成長構造の作成と電気的特性の評価
    菊池将悟、山口智広、前田就彦、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • RF-MBE InN 結晶成長におけるDERI 法の提案
    山口智広(招待講演)
    平成21年度応用物理学会北陸・信越支部講演会, 2009年09月
  • Present status and new challenges of nitride semiconductors for advanced electronic devices
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland, 2009年09月
  • Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation
    T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland, 2009年09月
  • カソードルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価
    武田彰史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • DERI法により作製されたInNの光反射率その場観察
    王科、山口智広、荒木努、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • CTLM法によるIn極性及びN極性の高品質InN薄膜へのコンタクト抵抗評価
    森本健太、菊池将悟、 前田就彦、山口智広、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • 極性及び無極性InNの表面電位評価
    金子昌充、川島圭介、山口智広、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • RF-MBE InN 成長における DERI 法の有用性
    山口智広、王科、荒木努、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • Al薄膜堆積によるC面InNの表面改質効果
    髙木俊樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西憓之
    2009年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月
  • Proposal of new RF-MBE method capable for reproducible, high-quality InN growth
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-17), Wisconsin, USA, 2009年08月
  • Plarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films
    K. Wang; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI
    T. Yamaguchi; R. Iwamoto; N. Maeda; T. Araki and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • V/III ratiodependence on M-plane InN growth on LiAlO2(100) substrates by RF-MBE
    K. Kagawa; Y. Takagi; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Structural characterization of M-plane InN grown on LiAlO2 substrate with C-plane phase inclusion
    T. Araki; H. Nozawa; Y. Takagi; A. Takeda; K. Kagawa; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Evaluation of surface Fermi level of MBE-grown InN by Kelvin-probe force microscopy
    M. Kaneko; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Mg doping of In-rich InGaN grown by RF-MBE
    E. Fukumoto; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Characterization of Metal Contact Resistance Using Al, Ti, and Ni on High-quality InN Films grown by RF-MBE
    S. Kikuchi; N. Maeda; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE
    T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年07月
  • Characterization of contact resistance of Al, Ti and Ni in high-quality InN films grown by RF-MBE
    S. Kikuchi; N. Maeda; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    Electronic Materials Conference 2009 (EMC-2009), Pennsylvanis, USA, 2009年06月
  • Raman scattering and phonon-plasmon coupled modes in InN: a free-electron density study
    R. Cuscó; E. Alarcón-Lladó; J. Ibáñez; T. Yamaguchi; Y. Nanishi and L. Artús
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2009年06月
  • Proposal of new RF-MBE growth method for reproducible and high-quality InN and InGaN
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    15th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-15), Vilnius, Lithuania, 2009年06月
  • Potential and challenges of InN and related alloys for advanced electronic devices
    Y. Nanishi; N. Maeda; T. Yamaguchi and M. Kaneko(招待講演)
    67th Device Research Conference (DRC-67), Pennsylvania, USA, 2009年06月
  • New MBE growth method for high quality InN and related alloys using in situ monitoring technology
    T. Yamaguchi and Y. Nanishi (招待講演)
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2009年06月
  • Proposal and potential of simple, reproducible, thick and high quality InN growth method by MBE
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009), Hunan, China, 2009年05月
  • Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE
    K. Wang; T. Yamaguchi; A. Takeda; D. Muto; M. Kaneko; T. Araki and Y. Nanishi
    第１回窒化物半導体結晶成長講演会, 2009年05月
  • MBE法によるGaN加工基板上配列制御InNナノコラムの作製
    片岡佳大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西憓之
    第１回窒化物半導体結晶成長講演会, 2009年05月
  • Recent progress and challenges of InN and related alloys for device applications
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi (招待講演)
    33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2009), Malaga, Spain, 2009年05月
  • Photoluminescence and Raman spectroscopy study of InN films grown by RF-MBE
    K. Wang; T. Yamaguchi; A. Takeda; D. Muto; M. Kaneko; T. Araki and Y. Nanishi
    The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009), Hunan, China, 2009年05月
  • 段差AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価
    前田就彦、山口智広、菊池将悟、廣木正伸、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • KFMによるInN表面電位の直接評価
    金子昌充、山口智広、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • RF-MBE法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長
    山口智広、荒木努、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長
    川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • LiAlO2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価
    荒木努、野沢浩一、高木悠介、武藤大祐、山口智広、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • CTLM法によるAl, Ti, Ni, のInNへのコンタクト抵抗評価
    菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • AlN/InNヘテロ構造の作製と評価
    奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西憓之
    2009年 （平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月
  • Proposal and Potential of simple, reproducible, thick and high quality InN growth method by MBE
    Y. Nanishi and T. Yamaguchi(招待講演)
    First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009), Nagoya, Japan, 2009年03月
  • Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
    International Society for Optical Engineering Photonic West 2009 (SPIE Photonic West 2009)、San Francisco、USA, 2009年
  • Proposal and potential of simple, reproducible, thick and high quality InN growth method by MBE
    The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009), Hunan, China, 2009年
  • Mg doping of In-rich InGaN grown by RF-MBE
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Characterization of Metal Contact Resistance Using Al, Ti, and Ni on High-quality InN Films grown by RF-MBE
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Plarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Proposal of new RF-MBE method capable for reproducible, high-quality InN growth
    17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-17), Wisconsin, USA, 2009年
  • Proposal of droplet elimination process by radical beam irradiation for reproducible growth of high-quality InN and InGaN
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年
  • Polarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年
  • Photoluminescence and Raman spectroscopy study of InN films grown by RF-MBE
    The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009), Hunan, China, 2009年
  • Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE
    第１回窒化物半導体結晶成長講演会, 2009年
  • New MBE growth method for high quality InN and related alloys using in situ monitoring technology
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2009年
  • Raman scattering and phonon-plasmon coupled modes in InN: a free-electron density study
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Spring Meeting, Strasbourg, France, 2009年
  • Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Present status and new challenges of nitride semiconductors for advanced electronic devices
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland, 2009年
  • Droplet Elimination Process by Radical Beam Irradiation for the Growth of InN-based III-nitrides
    Satellite Workshop on Nitride Semiconductors, Seoul, Korea, 2009年
  • Observation of surface potential on polar and nonpolar InN by Kelvin-probe force microscopy
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年
  • Photoexcited carriers in InN layers observed by Raman scattering
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年
  • Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
    T. Araki; D. Fukuoka; H. Tamiya; S. Harui; T. Yamaguchi; H. Miyake; K. Hiramatsu and Y. Nanishi
    International Society for Optical Engineering Photonic West 2009 (SPIE Photonic West 2009)、San Francisco、USA, 2009年01月
  • Proposal of new RF-MBE growth method for reproducible and high-quality InN and InGaN
    15th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-15), Vilnius, Lithuania, 2009年
  • V/III ratiodependence on M-plane InN growth on LiAlO2(100) substrates by RF-MBE
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Structural characterization of M-plane InN grown on LiAlO2 substrate with C-plane phase inclusion
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Evaluation of surface Fermi level of MBE-grown InN by Kelvin-probe force microscopy
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), 2009年
  • Growth of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation
    2009 Europian Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting, Warsaw, Poland, 2009年
  • RF-MBE growth and characterization of M-plane InN on LiAlO2 with C-plane phase inclusion
    The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009), Jeju, Korea, 2009年
  • Proposal and Potential of simple, reproducible, thick and high quality InN growth method by MBE
    First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma2009), Nagoya, Japan, 2009年
  • Recent progress and challenges of InN and related alloys for device applications
    33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2009), Malaga, Spain, 2009年
  • Potential and challenges of InN and related alloys for advanced electronic devices
    67th Device Research Conference (DRC-67), Pennsylvania, USA, 2009年
  • Characterization of contact resistance of Al, Ti and Ni in high-quality InN films grown by RF-MBE
    Electronic Materials Conference 2009 (EMC-2009), Pennsylvanis, USA, 2009年
  • N Raman scattering by LO-phonon-plasmon coupled modes in InN epilayers: dependence on the excitation laser intensity and wavelength
    2009 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 2009年
  • RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長
    中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西憓之
    平成20年電気関係学会関西支部連合大会, 2008年11月
  • RF-MBE法を用いたLiAlO2基板上無極性Ｍ面InNの結晶成長および構造評価
    高木悠介、野沢浩一、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年度 電子情報通信学会 合同研究会, 2008年11月, 電子情報通信学会
  • RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg doping の検討
    福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    第38回結晶成長国内会議, 2008年11月
  • Improved capping layer growth towards increased stability of InGaN quantum dots
    C. Tessarek; T. Yamaguchi; S. Figge and D. Hommel
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • TEM characterization of M-plane InN grown on (100) LiAlO2 substrate by RF-MBE
    H. Nozawa; Y. Takagi; S. Harui; D. Muto; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • Recent progress of InN and InGaN growth for device applications
    Y. Nanishi; T. Araki; T. Yamaguchi and D. Muto (招待講演)
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO2(100) substrate
    Y. Takagi; D. Muto; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • Low-temperature growth of InGaN/GaN nano-islands investigated by grazing-incidence X-ray diffraction
    Th. Schmidt; J. I. Flege; M. Siebert; S. Figge; T. Yamaguchi; D. Hommel and J. Falta
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates
    T. Yamaguchi; D. Muto; T. Araki; N. Maeda and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年10月
  • LiAlO2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長
    高木悠介、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • GaN/InNヘテロ構造の成長と評価
    武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • GaNテンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的V/III比制御
    山口智広、野沢浩一、武藤大祐、荒木努、前田就彦、名西憓之
    2008年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価
    菊池将悟、佐藤丈、檜木啓宏、山口智広、前田就彦、荒木努、名西憓之
    2008年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • TEM を用いたＭ面(10-10)InN の極微構造評価
    野沢浩一、高木悠介、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月
  • Growth of position-controlled InN nanocolumns by ECR-MBE on hole-patterned GaN template
    T. Araki; D. Fukuoka; H. Tamiya; S. Harui; T. Yamaguchi; H. Miyake; K. Hiramatsu; Y. Nanishi
    27th Electronic Materials Symposium (EMS27), 2008年07月
  • Potential, achievements and issues of InN and related alloys for device applications
    Y. Nanishi; D. Muto; M. Noda; S. Harui; T. Yamaguchi and T. Araki (招待講演)
    International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08), Edmonton, Canada, 2008年07月
  • GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD
    D. Muto; T. Yamaguchi; S. Sawada; T. Araki and Y. Nanishi
    50th Electronic Materials Conference (EMC-50), Santa Barbara, USA, 2008年06月
  • Influence of piezoelectric fields on excitonic complexes in InGaN quantum dots
    K. Sebald; J. Kalden; S. Herlufsen; H. Lohmeyer; C. Tessarek; T. Yamaguchi; S. Figge; D. Hommel and J. Gutowski
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2008), Gyeongyu, Korea, 2008年05月
  • Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
    T. Araki; D. Fukuoka; H. Tamiya; S. Harui; T. Yamaguchi; H. Miyake; K. Hiramatsu and Y. Nanishi
    The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2), Shizuoka, Japan, 2008年05月
  • Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE
    T. Yamaguchi; D. Muto; T. Araki and Y. Nanishi
    The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2), Shizuoka, Japan, 2008年05月
  • M面(10-10)InN結晶成長および電気的特性の評価
    高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年 （平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価
    野沢浩一、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年 （平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価
    緩利友晶紀、野田光彦、武藤大祐、山口智広、金子昌充、荒木努、名西憓之
    2008年 （平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures
    T. Yamaguchi; A. Pretorius; A. Rosenauer; D. Hommel; T. Araki and Y. Nanishi
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-, 2008年03月
  • GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング
    武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西憓之
    2008年 （平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • A面(11-20)InNに対するMgドーピングの効果
    野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    2008年 （平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月
  • GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD
    50th Electronic Materials Conference (EMC-50), Santa Barbara, USA, 2008年
  • Low-temperature growth of InGaN/GaN nano-islands investigated by grazing-incidence X-ray diffraction
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • Improved capping layer growth towards increased stability of InGaN quantum dots
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • TEM characterization of M-plane InN grown on (100) LiAlO2 substrate by RF-MBE
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop-, 2008年
  • Potential, achievements and issues of InN and related alloys for device applications
    International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08), Edmonton, Canada, 2008年
  • Growth of position-controlled InN nanocolumns by ECR-MBE on hole-patterned GaN template
    27th Electronic Materials Symposium (EMS27), 2008年
  • Recent progress of InN and InGaN growth for device applications
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE
    The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2), Shizuoka, Japan, 2008年
  • Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE
    The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2), Shizuoka, Japan, 2008年
  • Influence of piezoelectric fields on excitonic complexes in InGaN quantum dots
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2008), Gyeongyu, Korea, 2008年
  • Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO2(100) substrate
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008), Montreux, Switzerland, 2008年
  • Mg ドープＡ面（11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価
    野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    第37回結晶成長国内会議, 2007年11月
  • RF-MBE法による(100)LiAlO2基板上Ｍ面(10-10)InNの結晶成長
    高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西憓之
    第37回結晶成長国内会議, 2007年11月
  • 水素・窒素混合プラズマ照射によるInNの表面エッチングに関する検討
    和田伸之、澤田慎也、山口智広、荒木努、名西憓之
    2007年 （平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月
  • ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価
    野田光彦、武藤大祐、K. M. Yu、R. E. Jones、W. Walukiewicz、山口智広、荒木努、名西憓之
    2007年 （平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月
  • P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価
    武藤大祐、野田光彦、K. M. Yu、J. W. Ager Ⅲ、W. Walukiewicz、山口智広、荒木努、名西憓之
    2007年 （平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月
  • Optical properties of single and multi-layer InGaN quantum dots
    K. Sebald; H. Lohmeyer; S. Herlufsen; J. Kalden; J. Gutowski; C. Tessarek; T. Yamaguchi and D. Hommel
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年09月
  • Wide-bandgap quantum dot based microcavity VCSEL structures
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; R. Kröger; C. Kruse; T. Yamaguchi; A. Gust; D. Hommel; J. Wiersig and F. Jahnke(招待講演)
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年03月
  • Growth condition dependence of MOVPE InGaN quantum dots
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年03月, C. Tessarek, T. Yamaguchi, J. Dennemarck, S. Figge and D. Hommel
  • Optical properties of single InGaN quantum dots
    S. Herlufsen; K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; T. Yamaguchi and D. Hommel
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年03月
  • Growth condition dependence of MOVPE InGaN quantum dots
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年
  • Optical properties of single InGaN quantum dots
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年
  • Optical properties of single and multi-layer InGaN quantum dots
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年
  • Wide-bandgap quantum dot based microcavity VCSEL structures
    The Spring Meeting of the German Physical Society Condensed Matter Division, 2007年
  • Progress and perspectives for InGaN quantum dots and monolithic nitride cavities
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; T. Yamaguchi; C. Kruse and D. Hommel
    2006 Materials Research Society Fall Meeting, 2006年11月
  • Composition determination of semiconductor nanostructures
    A. Rosenauer; A. Pretorius; M. Schowalter; K. Müller; T. Yamaguchi; D. Hommel; D. Litvinov and D. Gerthsen(招待講演)
    Nederlandse Vereniging voor Microscopie fall meeting 2006, 2006年11月
  • Two-step growth of InGaN quantum dots and application to light emitters
    T. Yamaguchi; J. Dennemarck; C. Tessarek; K. Sebald; S. Gangopadhyay; J. Falta; J. Gutowski; S. Figge and D. Hommel
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006年10月
  • On the way to InGaN quantum dots embedded into monolithic nitride cavities
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; T. Yamaguchi; C. Kruse; D. Hommel; J. Wiersig and F. Jahnke
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006年10月
  • Concentration Evaluation in Nanometre-Sized InGaN Islands Using Transmission Electron Microscopy
    A Pretorius; K Müller; T. Yamaguchi; R Kröger; D Hommel and A Rosenauer
    16th International Microscopy Congress, 2006年09月
  • MOVPE-grown self organized InGaN nano-islands on GaN(0001)/Sapphire templates
    S. Gangopadhyay; Th. Schmidt; T. Yamaguchi; S. Einfeldt; K. Sebald; J. Gutowski; D. Hommel and J. Falta
    2006 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2006年06月
  • A novel approach for the growth of InGaN quantum dots
    T. Yamaguchi; K. Sebald; H. Lohmeyer; S. Gangopadhyay; J. Falta; J. Gutowski; S. Figge and D. Hommel
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots 2006, 2006年05月
  • Micro-photoluminescence studies of InGaN/GaN quantum dots up to 150 K
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; T. Yamaguchi and D. Hommel
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots 2006, 2006年05月
  • On the way to InGaN quantum dots embedded into monolithic nitride cavities
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006年
  • Composition determination of semiconductor nanostructures
    Nederlandse Vereniging voor Microscopie fall meeting 2006, 2006年
  • Micro-photoluminescence studies of InGaN/GaN quantum dots up to 150 K
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots 2006, 2006年
  • Concentration Evaluation in Nanometre-Sized InGaN Islands Using Transmission Electron Microscopy
    16th International Microscopy Congress, 2006年
  • Progress and perspectives for InGaN quantum dots and monolithic nitride cavities
    2006 Materials Research Society Fall Meeting, 2006年
  • A novel approach for the growth of InGaN quantum dots
    Fourth International Conference on Semiconductor Quantum Dots 2006, 2006年
  • MOVPE-grown self organized InGaN nano-islands on GaN(0001)/Sapphire templates
    2006 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2006年
  • Two-step growth of InGaN quantum dots and application to light emitters
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006年
  • Surface morphology and island shape of MOVPE grown InGaN nano-island ensembles studied by STM
    S. Gangopadhyay; Th. Schmidt; S. Einfetdt; T. Yamaguchi; D. Hommel and J. Falta
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年11月
  • Epitaxal growth of InGaN quantum dots grown by MOVPE: Effect of capping process on the structural and optical properties
    T. Yamaguchi; K. Sebald; S. Figge; J. Gutowski and D. Hommel
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年11月
  • Growth and formation of InGaN and GaN nano-structures studied by STM
    S. Gangopadhyay; Th. Schmidt; S. Einfeldt; T. Yamaguchi; D. Hommel and J. Falta
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, 2005年11月
  • Comparative investigation of quantum-dot-like localization centers in InGaN quantum well and quantum dot structures
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; T. Yamaguchi and D. Hommel
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年11月
  • Synthesis of c-GaN on the surface of beta-Ga2O3 single crystalline using N2 exited ECR plasma
    S. Ohira; J. Wada; C. Morioka; K. Fujiwara; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi and T. Shishido
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Grazing incidence x-ray characterization of InGaN/GaN nano-islands
    Th. Schmidt; M. Siebert; J. I. Flege; S. Figge; T. Yamaguchi; D. Hommel and J. Falta
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • TEM analyses of wurtzite InGaN islands grown by MOVPE and MBE
    A. Pretorius; T. Yamaguchi; C. Kübel; R. Kröger; D. Hommel and A. Rosenauer
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Growth and morphology of MOVPE grown InGaN/GaN islands
    S. Gangopadhyay; Th. Schmidt; S. Einfeldt; T. Yamaguchi; D. Hommel and J. Falta
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Analysis of the local structure of InN with a bandgap energy of 0.8 and 1.9 eV and annealed InN using X-ray absorption fine structure measurements
    T. Miyajima; Y. Kudo; A. Wakahara; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Optical properties of single InGaN quantum dots up to 150 K
    K. Sebald; H. Lohmeyer; J. Gutowski; R. Kröger; T. Yamaguchi and D. Hommel
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Diffraction anomalous fine structure investigation of InGaN quantum dots
    E. Piskorska; V. Holý; M. Siebert; B. Krause; T. H. Metzger; Th. Schmidt; J. Falta; T. Yamaguchi and D. Hommel
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Two to three dimensional transitions of InGaN and the impact of GaN overgrowth
    T. Yamaguchi; S. Einfeldt; S. Gangopadhyay; A. Pretorius; A. Rosenauer; J. Falta and D. Hommel
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年09月
  • Growth, structure and properties of InN, InGaN and InN/InGaN quantum wells by RF-MBE
    Y. Nanishi; H. Naoi; T. Araki; M. Kurouchi; D. Muto; T. Miyajima; T. Yamaguchi and Y. Kumagai (招待講演)
    6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年08月
  • Formation of c-GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystalline using N2 plasma generated by ECR
    S. Ohira; N. Suzuki; J. Wada; C. Morioka; K. Fujiwara; T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Nanishi and T. Shishido
    21th Electronic Materials Symposium, 2005年07月
  • InNの光学的特性の結晶品質依存性
    直井弘之、黒内正仁、荒木努、山口智広、名西憓之
    電子情報通信学会 合同研究会, 2005年05月, 電子情報通信学会
  • InNの構造および特性の、基板結晶および成長条件依存性
    名西憓之、荒木努、直井弘之、山口智広、武藤大祐、森岡千晴、上野朝隆、黒内正仁(招待講演)
    第65回バルク結晶成長分科会研究会, 2005年05月, 日本結晶成長学会
  • Investigation of InxGa1-xN islands with electron microscopy
    A. Pretorius; T. Yamaguchi; M. Schowalter; R. Kröger; C. Kübel; D. Hommel and A. Rosenauer
    Microscopy of Semiconducting Materials 2005, 2005年04月
  • Synthesis of c-GaN on the surface of beta-Ga2O3 single crystalline using N2 exited ECR plasma
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Grazing incidence x-ray characterization of InGaN/GaN nano-islands
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Optical properties of single InGaN quantum dots up to 150 K
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Diffraction anomalous fine structure investigation of InGaN quantum dots
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Surface morphology and island shape of MOVPE grown InGaN nano-island ensembles studied by STM
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年
  • Investigation of InxGa1-xN islands with electron microscopy
    Microscopy of Semiconducting Materials 2005, 2005年
  • Two to three dimensional transitions of InGaN and the impact of GaN overgrowth
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Formation of c-GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystalline using N2 plasma generated by ECR
    21th Electronic Materials Symposium, 2005年
  • Growth, structure and properties of InN, InGaN and InN/InGaN quantum wells by RF-MBE
    6th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Growth and morphology of MOVPE grown InGaN/GaN islands
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Comparative investigation of quantum-dot-like localization centers in InGaN quantum well and quantum dot structures
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年
  • Epitaxal growth of InGaN quantum dots grown by MOVPE: Effect of capping process on the structural and optical properties
    2005 Materials Research Society Fall Meeting, 2005年
  • Analysis of the local structure of InN with a bandgap energy of 0.8 and 1.9 eV and annealed InN using X-ray absorption fine structure measurements
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • TEM analyses of wurtzite InGaN islands grown by MOVPE and MBE
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2005年
  • Growth and formation of InGaN and GaN nano-structures studied by STM
    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, 2005年
  • On the dynamics of InGaN dot formation by RF-MBE growth
    T. Yamaguchi; S. Einfeldt; S. Figge; C. Kruse; C. Roder and D. Hommel
    2004 Materials Research Society Fall Meeting, 2004年12月
  • How do InGaN Quantum Dots Form During MOVPE Growth?
    S. Einfeldt; T. Yamaguchi; C. Roder; A. Tausendfreund; S. Figge and D. Hommel
    2004 Materials Research Society Fall Meeting, 2004年12月
  • Growth and Band-Gaps of InN and InGaN by RF-MBE
    Y. Nanishi; H. Naoi; T. ArakiM. Kurouchi and T. Yamaguchi(招待講演)
    2004年日韓拠点大学交流事業セミナー, 2004年11月
  • MBE法による窒化Ga2O3基板上立方晶GaN成長(1)基板窒化処理の効果
    和田純一、森岡千晴、藤原圭祐、山口智広、荒木努、名西憓之、大平重男、宍戸統悦
    2004年 （平成16年） 秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
  • MBE法による窒化Ga2O3基板上立方晶GaN成長(2)GaN成長温度依存性
    森岡千晴、和田純一、藤原圭祐、山口智広、荒木努、名西憓之、大平重男、宍戸統悦
    2004年 （平成16年） 秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
  • Growth of In-rich InGaN on InN template by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy
    M. Kurouchi; T. Yamaguchi; H. Naoi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    The 14th International Conference on Crystal Growth, 2004年08月
  • Growth, structure and properties of InN and InGaN alloys by MBE
    Y. Nanishi; T. Yamaguchi; M. Kurouchi; T. Araki; H. Naoi and A. Suzuki (招待講演)
    The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2004年08月
  • Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer
    T. Yamaguchi; M. Kurouchi; H. Naoi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    The 14th International Conference on Crystal Growth, 2004年08月
  • Improvement of In-rich InGaN crystalline quality by using InN template
    Y. Nanishi; M. Kurouchi; T. Yamaguchi; H. Naoi; A. Suzuki and T. Araki (招待講演)
    2004 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2004年06月
  • Improvement of In-rich InGaN Crystalline Quality by using InN Template
    M. Kurouchi; T. Yamaguchi; H. Naoi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    2004 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2004年05月
  • Epitaxial growth of InGaN nano-islands grown by MOVPE and MBE
    T. Yamaguchi; S. Einfeldt; S. Figge; C. Roder; A. Tausendfreund and D. Hommel
    XXXIII International school on Physics of Semiconducting Compounds, 2004年05月
  • RF-MBE法によるInNテンプレートを用いた高In組成InGaNの成長
    黒内正仁、山口智広、直井弘之、鈴木彰、荒木努、名西憓之
    2004年 （平成16年） 春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年03月
  • Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) sapphire by RF-MBE
    M. Kurouchi; T. Araki; H. Naoi; T. Yamaguchi; A. Suzuki and Y. Nanishi
    The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 2004年03月
  • Epitaxial growth of InGaN nano-islands grown by MOVPE and MBE
    XXXIII International school on Physics of Semiconducting Compounds, 2004年
  • Improvement of In-rich InGaN crystalline quality by using InN template
    2004 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2004年
  • Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer
    The 14th International Conference on Crystal Growth, 2004年
  • Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) sapphire by RF-MBE
    The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 2004年
  • Improvement of In-rich InGaN Crystalline Quality by using InN Template
    2004 Europian Materials Research Society Spring Meeting, 2004年
  • Growth of In-rich InGaN on InN template by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy
    The 14th International Conference on Crystal Growth, 2004年
  • Growth and Band-Gaps of InN and InGaN by RF-MBE
    2004年日韓拠点大学交流事業セミナー, 2004年
  • How do InGaN Quantum Dots Form During MOVPE Growth?
    2004 Materials Research Society Fall Meeting, 2004年
  • Growth, structure and properties of InN and InGaN alloys by MBE
    The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2004年
  • Growth of high quality InN epitaxial films and their properties
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi; M. Kurouchi; T. Araki and H. Naoi (招待講演)
    31st conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, 2004年01月
  • Growth of high quality InN epitaxial films and their properties
    31st conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, 2004年
  • On the dynamics of InGaN dot formation by RF-MBE growth
    2004 Materials Research Society Fall Meeting, 2004年
  • Band-gap energy and physical properties of InN grown by RF-molecular beam epitaxy
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi; F. Matsuda; T. Araki; A. Suzuki; H. Harima and T. Miyajima (招待講演)
    2003 Materials Research Society Fall Meetings, 2003年12月
  • Characterization of photovoltaic cells using n-InN/p-Si grown by RF-MBE
    C. Morioka; T. Yamaguchi; H. Naoi; T. Araki; A. Suzuki and Y. Nanishi
    2003 Materials Research Society Fall Meeting, 2003年12月
  • Recent development of InN RF-MBE growth and its structural and property characterization
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi; T. Araki and T. Miyajima (招待講演)
    3rd Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, 2003年10月
  • RF-MBE成長低温InNバッファ層の極微構造評価
    荒木努、山口智広、黒内正仁、森岡千晴、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • RF-MBE成長した高In組成InGaNの逆格子マッピングによる評価
    黒内正仁、堀正輝、山口智広、鈴木彰、荒木努、名西憓之
    2003年 （平成15年） 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • RF-MBE法を用いて作製したInN/Siによるpn接合の光起電力特性
    森岡千晴、山口智広、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • AlNバッファ層導入によるSi(111)基板上高品質InN結晶成長
    山口智広、栗本英治、播磨弘、萬謙太郎、森岡千晴、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • 分光学的手法によるInN結晶中の欠陥研究
    栗本英治、山口智広、播磨弘、吉本昌弘、名西憓之
    2003年 （平成15年） 秋季 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年09月
  • Growth of InN and InGaN on Si Substrate for Solar Cell Applications
    T. Yamaguchi; C. Morioka; K. Mizuno; M. Hori; T. Araki; A. Suzuki and Y. Nanishi
    30th International Symposium on Compound Semiconductors, 2003年08月
  • MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察
    荒木努、植田紗依子、山口智広、松田文絵、森岡千晴、名西憓之
    第33回結晶成長国内会議, 2003年08月
  • 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現
    山口智広、齋藤義樹、黒内正人、森岡千晴、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    第33回結晶成長国内会議, 2003年08月
  • RF-MBE growth of high quality InN and its band gap energy
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi and T. Araki (招待講演)
    The 4th Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, 2003年08月
  • RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長
    森岡千晴、山口智広、水尾和洋、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    第33回結晶成長国内会議, 2003年08月
  • High In-composition InGaN growth by using MEE-InN buffer layer
    M. Kurouchi; F. Matsuda; M. Hori; T. Yamaguchi; Y. Saito; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Growth of high quality InN film on Si substrate with AlN buffer layer
    T. Yamaguchi; Y. Saito; T. Araki; A. Suzuki and Y. Nanishi
    The 2003 International Meeting for Future Electron Devices, Kansai, 2003年07月
  • Structural characterization of InN films grown by RF-MBE
    T. Araki; S. Ueta; C. Morioka; T. Yamaguchi; Y. Saito and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Band offset of InN/Si hetero-junctions grown by RF-MBE
    A. Hinoki; T. Noguchi; K. Yorozu; T. Yamaguchi; C. Morioka; T. Araki and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Influences of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE
    F. Matsuda; Y. Saito; T. Muramatsu; T. Yamaguchi; Y. Matsuo; A. Koukitu; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Effects of initial growth processes for the growth of InN on sapphire substrate by RF-MBE
    T. Yamaguchi; Y. Saito; M. Kurouchi; F. Matsuda; T. Araki; A. Suzuki and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Crystal growth of InN on Si(100) substrates by RF-MBE
    C. Morioka; K. Mizuo; T. Yamaguchi; Y. Saito; T. Araki; A. Suzuki and Y. Nanishi
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年07月
  • Effect of AlN buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate
    E. Kurimoto; H. Harima; Y. Yamamoto; H. Wei; M. Yoshimoto; T. Yamaguchi; Y. Saito and Y. Nanishi
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年05月
  • MBE-Growth, characterization and properties of InN and InGaN
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi; M. Hori; F. Matsuda; T. Araki; A. Suzuki and T. Miyajima (招待講演)
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年05月
  • TEM characterization of InN films grown by RF-MBE
    T. Araki; S. Ueta; K. Mizuo; T. Yamaguchi; Y. Saito and Y. Nanishi
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年05月
  • Influence of substrate polarity on growth of InN films by RF-MBE
    F. Matsuda; Y. Saito; T. Muramatsu; T. Yamaguchi; Y. Matsuo; A. Koukitu; T. Araki and Y. Nanishi
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年05月
  • Optical detection of major defects in InN
    E. Kurimoto; H. Harima; Y. Yamamoto; H. Wei; M. Yoshimoto; T. Yamaguchi; Y. Saito and Y. Nanishi
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年05月
  • GaN基板上InN成長条件の基板極性依存性
    松田文絵、齋藤義樹、村松智、山口智広、松尾有里子、纐纈明伯、荒木努、名西憓之
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月
  • RF-MBE法を用いたシリコン基板上窒化インジウムの結晶成長に関する研究
    森岡千晴、水尾和洋、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之
    電子情報通信学会関西支部学生会 学生発表大会, 2003年03月
  • Sapphire基板上RF-MBE成長InNのエッチングによる極性評価
    村松智、齋藤義樹、山口智広、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月
  • RF-MBE法によるSi(111)および(100)基板上InN結晶成長
    水尾和洋、森岡千晴、山口智広、齋藤義樹、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月
  • 石英ガラス基板上GaN、InN RF-MBE成長における基板窒化の効果
    山口智広、齋藤義樹、水尾和洋、上野朝隆、荒木努、鈴木彰、名西憓之
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月
  • RF-MBE成長InNのTEMによる評価
    荒木努、水尾和洋、山口智広、齋藤義樹、名西憓之
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年03月
  • RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長と光学的評価
    黒内正仁、堀正輝、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之
    レーザー学会学術講演会第23回年次大会, 2003年01月
  • Optical detection of major defects in InN
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年
  • Influence of substrate polarity on growth of InN films by RF-MBE
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年
  • Growth of high quality InN film on Si substrate with AlN buffer layer
    The 2003 International Meeting for Future Electron Devices, Kansai, 2003年
  • Crystal growth of InN on Si(100) substrates by RF-MBE
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • Influences of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • High In-composition InGaN growth by using MEE-InN buffer layer
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • Effects of initial growth processes for the growth of InN on sapphire substrate by RF-MBE
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • Characterization of photovoltaic cells using n-InN/p-Si grown by RF-MBE
    2003 Materials Research Society Fall Meeting, 2003年
  • Growth of InN and InGaN on Si Substrate for Solar Cell Applications
    30th International Symposium on Compound Semiconductors, 2003年
  • Recent development of InN RF-MBE growth and its structural and property characterization
    3rd Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, 2003年
  • RF-MBE法を用いたInN膜の成長とその特性評価
    2003年 （平成15年） 春季 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年
  • MBE-Growth, characterization and properties of InN and InGaN
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年
  • TEM characterization of InN films grown by RF-MBE
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年
  • Band offset of InN/Si hetero-junctions grown by RF-MBE
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • Band-gap energy and physical properties of InN grown by RF-molecular beam epitaxy
    2003 Materials Research Society Fall Meetings, 2003年
  • InN、InGaNのRF-MBE成長と電気・光学的評価
    名西憓之、齋藤義樹、山口智広、堀正輝、荒木努(招待講演)
    2002年度応用電子物性分科会研究例会, 2003年01月
  • Effect of AlN buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate
    5th International Conference on Nitride Semiconductors, 2003年
  • Structural characterization of InN films grown by RF-MBE
    22th Electronic Materials Symposium, 2003年
  • RF-MBE growth of high quality InN and its band gap energy
    The 4th Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, 2003年
  • Electrical and Optical Properties of InN/Si Heterostructure
    K. Mizuo; T. Yamaguchi; Y. Saito; T. Araki and Y. Nanishi
    2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002年12月
  • Single crystalline InN films grown on Si substrates by using a brief substrate nitridation process
    T. Yamaguchi; K. Mizuo; Y. Saito; T. Noguchi; T. Araki; Y. Nanishi; T. Miyajima and Y. Kudo
    2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002年12月
  • RF-MBE growth and properties of InN and InGaN alloys with entire alloy composition
    Y. Nanishi; Y. Saito; T. Yamaguchi; M. Hori and T. Araki (招待講演)
    The 3rd Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, 2002年10月
  • Single crystalline InN films grown on Si (111) substrates
    T. Yamaguchi; K. Mizuo; Y. Saito; T. Araki and Y. Nanishi
    29th International Symposium on Compound Semiconductors, 2002年10月
  • RF-MBE法により作成したInN/Siヘテロ接合の電気的・光学的特性評価
    水尾和洋、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之
    2002年 （平成14年） 秋季 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月
  • RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN薄膜成長 －短時間基板窒化の効果－
    山口智広、水尾和洋、齋藤義樹、野口琢磨、荒木努、名西憓之
    2002年 （平成14年） 秋季 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月
  • RF-MBE法を用いたSiC基板上InN膜成長 －成長温度の基板極性依存－
    齋藤義樹、村松智、山口智広、松田文絵、荒木努、名西憓之
    2002年 （平成14年） 秋季 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月
  • RF-MBE法で成長した高In組成InGaNの光学的特性
    黒内正仁、堀正輝、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之
    2002年 （平成14年） 秋季 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年09月
  • サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在
    山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    第32回結晶成長国内会議, 2002年08月
  • 窒化物半導体の新展開
    Y. Nanishi; H. Naoi; T. ArakiM. Kurouchi and T. Yamaguchi(招待講演)
    第32回結晶成長国内会議, 2002年08月
  • RF-MBE成長したInN/ (0001)Sapphireの極微構造観察
    荒木努、山口智広、斎藤義樹、名西憓之
    第32回結晶成長国内会議, 2002年08月
  • Optical properties of InxGa1 - xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE
    M. Hori; K. Kano; T. Yamaguchi; Y. Saito; T. Araki; Y. Nanishi; N. Teraguchi and A. Suzuki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年07月
  • Growth temperature dependence of indium nitride crystalline quality grown by RF-MBE
    Y. Saito; H. Harima; E. Kurimoto; T. Yamaguchi; N. Teraguchi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年07月
  • Influence of growth condition on superconducting characteristics of InN on sapphire (0001)
    T. Inushima; T. Takenobu; M. Motokawa; K. Koide; A. Hashimoto; A. Yamamoto; Y. Saito; T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年07月
  • Growth and optical properties of In1-xGaxN with entire alloy composition grown on InN buffer layer by RF-MBE
    T. Araki; M. Hori; K. Kano; T. Yamaguchi; Y. Saito; Y. Nanishi; N. Teraguchi and A.Suzuki
    21th Electronic Materials Symposium, 2002年06月
  • Growth of InN on Si (111) substrates by RF-MBE
    T. Yamaguchi; K. Mizuo; Y. Saito; T. Araki; N. Teraguchi; A. Suzuki and Y. Nanishi
    21th Electronic Materials Symposium, 2002年06月
  • RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性
    齋藤義樹、堀正輝、山口智広、寺口信明、鈴木彰、荒木努、名西憓之
    電子情報通信学会 合同研究会, 2002年05月, 電子情報通信学会
  • The c-Axis and a-Axis Orientations in InN Grown Directly on (0001) Sapphire Substrate by RF-MBE
    T. Yamaguchi; Y. Saito; K. Kano; T. Araki; N. Teraguchi; A. Suzuki and Y. Nanishi
    14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002年05月
  • RF-MBE法を用いた高In組成InxGa1-xNの結晶成長と特性評価
    堀正輝、加野賢二、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西憓之
    電子情報通信学会 合同研究会, 2002年05月, 電子情報通信学会
  • RF-MBE成長したサファイア基板上InN薄膜のTEM観察
    荒木努、山口智広、齋藤義樹、寺口信明、鈴木彰、名西憓之
    2002年 （平成14年） 春季 第49回応用物理学関係連合講演会, 2002年03月
  • RF-MBE成長InN結晶性の成長温度依存性
    齋藤義樹、播磨弘、栗本英治、山口智広、寺口信明、鈴木彰、荒木努、名西憓之
    2002年 （平成14年） 春季 第49回応用物理学関係連合講演会, 2002年03月
  • RF-MBE法InN成長における低温InNバッファ層の効果
    山口智広、齋藤義樹、加野賢二、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2002年 （平成14年） 春季 第49回応用物理学関係連合講演会, 2002年03月
  • Growth of InN on Si (111) substrates by RF-MBE
    21th Electronic Materials Symposium, 2002年
  • Single crystalline InN films grown on Si substrates by using a brief substrate nitridation process
    2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002年
  • The c-Axis and a-Axis Orientations in InN Grown Directly on (0001) Sapphire Substrate by RF-MBE
    14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002年
  • Growth and optical properties of In1-xGaxN with entire alloy composition grown on InN buffer layer by RF-MBE
    21th Electronic Materials Symposium, 2002年
  • Optical properties of InxGa1 - xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年
  • RF-MBE growth and properties of InN and InGaN alloys with entire alloy composition
    The 3rd Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, 2002年
  • Electrical and Optical Properties of InN/Si Heterostructure
    2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002年
  • Growth temperature dependence of indium nitride crystalline quality grown by RF-MBE
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年
  • Influence of growth condition on superconducting characteristics of InN on sapphire (0001)
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, 2002年
  • Single crystalline InN films grown on Si (111) substrates
    29th International Symposium on Compound Semiconductors, 2002年
  • Growth condition dependence of InN film a-axis directions on sapphire (0001) substrate
    T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Saito; T. Maruyama; Y. Nanishi; N. Teraguchi and Y. Nanishi
    28th International Symposium on Compound Semiconductors, 2001年10月
  • サファイア(0001)基板上InN薄膜のa軸方位と成長条件の関係
    山口智広、荒木努、齋籐義樹、丸山隆浩、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2001年 （平成13年） 秋季 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • RF-MBE法による窒化処理なしサファイア基板上InN薄膜二段階成長
    山口智広、齋藤義樹、加野賢二、村松智、荒木努、名西憓之
    2001年 （平成13年） 秋季 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • RF-MBE法による高In組成InGaN結晶成長に関する検討
    加野賢二、齋藤義樹、山口智広、金沢紘行、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2001年 （平成13年） 秋季 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • CAICISSを用いたRF-MBE成長InNの極性評価
    齋藤義樹、山口智広、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2001年 （平成13年） 秋季 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年09月
  • Growth of high-quality InN using low-temperature intermediate layers by RF-MBE
    Y. Saito; T. Yamaguchi; H. Kanazawa; K. Kano; T. Araki; Y. Nanishi; N. Teraguchi and A. Suzuki
    The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 2001年08月
  • Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth
    T. Yamaguchi; T. Araki; Y. Saito; K. Kano; H. Kanazawa; Y. Nanishi; N. Teraguchi and A. Suzuki
    The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 2001年08月
  • Study of Epitaxial Relationship in InN grown on sapphire (0001) by RF-MBE
    T. Yamaguchi; Y. Saito; K. Kano; T. Araki; N. Teraguchi; A. Suzuki and Y. Nanishi
    4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001年07月
  • Polarity of high-quality indium nitride grown by RF molecular beam epitaxy
    Y. Saito; Y. Tanabe; T. Yamaguchi; N. Teraguchi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001年07月
  • Effect of nitridation of sapphire (0001) substrates on InN growth by RF-MBE
    T. Yamaguchi; Y. Saito; K. Kano; N. Teraguchi; A. Suzuki; T. Araki and Y. Nanishi
    20th Electronic Materials Symposium, 2001年06月
  • RF-MBE成長InN膜のキャリア濃度と移動度の関係
    齋藤義樹、山口智広、金澤紘行、加野賢二、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2001年 （平成13年） 春季 第48回応用物理学関係連合講演会, 2001年04月
  • RF-MBE法によるInN成長におけるサファイア基板窒化の効果
    山口智広、齋藤義樹、加野賢二、金澤紘行、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2001年 （平成13年） 春季 第48回応用物理学関係連合講演会, 2001年03月
  • Study of Epitaxial Relationship in InN grown on sapphire (0001) by RF-MBE
    4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001年
  • Polarity of high-quality indium nitride grown by RF molecular beam epitaxy
    4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001年
  • Growth of high-quality InN using low-temperature intermediate layers by RF-MBE
    The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 2001年
  • Growth condition dependence of InN film a-axis directions on sapphire (0001) substrate
    28th International Symposium on Compound Semiconductors, 2001年
  • Effect of nitridation of sapphire (0001) substrates on InN growth by RF-MBE
    20th Electronic Materials Symposium, 2001年
  • Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth
    The 13th Internationals Conference on Crystal Growth in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 2001年
  • Electrical properties of InN grown by RF-MBE
    Y. Saito; N. Teraguchi; A. Suzuki; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    2000 Materials Research Society Fall Meeting, 2000年11月
  • RF-MBE成長InNにおけるサファイヤ基板窒化の効果
    山口智広、斎藤義樹、木島雅史、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    平成12年電気関係学会関西支部連合大会, 2000年11月
  • RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
    寺口信明、鈴木彰、荒木努、山口智広、金澤紘之、加野賢二、名西憓之
    電子情報通信学会 合同研究会, 2000年10月, 電子情報通信学会
  • RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
    齋藤義樹、山口智広、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    電子情報通信学会 合同研究会, 2000年10月, 電子情報通信学会
  • RF-MBE法によるInN膜の電気的特性
    齋藤義樹、山口智広、加野賢二、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2000年 （平成12年） 秋季 第61回応用物理学会学術講演会, 2000年09月
  • 水素・窒素混合プラズマを用いたRF-MBE法によるGaN/SiC成長
    山口智広、齋藤義樹、木幡健児、金澤紘行、加野賢二、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2000年 （平成12年） 秋季 第61回応用物理学会学術講演会, 2000年09月
  • Growth of AlN films on SiC substrates by RF-MBE and RF-MEE
    N. Teraguchi; A. Suzuki; Y. Saito; T. Yamaguchi; T. Araki and Y. Nanishi
    4th European GaN Workshop, 2000年07月
  • RF-MBE法によるInNの低温成長－アニール効果
    斎藤義樹、山口智広、木幡健児、金澤紘行、加野賢二、荒木努、名西憓之、寺口信明、鈴木彰
    2000年 （平成12年） 春季 第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年03月
  • Growth of AlN films on SiC substrates by RF-MBE and RF-MEE
    4th European GaN Workshop, 2000年
  • Electrical properties of InN grown by RF-MBE
    2000 Materials Research Society Fall Meeting, 2000年

産業財産権

  • 5343274, 2010-267888, 2009-119315, 窒化物半導体薄膜の製造方法
    山口智広、名西憓之
  • 4895228, 2010-034425, 2008-197106, 局所加圧分子線エピタキシー装置と分子線エピタキシー装置の運転方法
    山口智広、名西憓之、荒木努、山本高稔
  • 4476691, 2005-327851, 2004-143535, 酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化ガリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製造方法
    大平重男、名西憓之、荒木努、山口智広
  • 10 2005 057 253, 10 2005 057 253, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

受賞

  • 2023年12月
    先端錯体工学研究会, 先端錯体工学研究会奨励賞
    国際学会・会議・シンポジウム等の賞
  • 2017年10月
    2017年度大学表彰（ベストティーチャー）
  • 2016年10月
    2016年度大学表彰（研究奨励）
  • 2015年10月
    第３回関博雄記念賞
  • 2010年07月
    ＥＭＳ賞（第29回電子材料シンポジウム（EMS29） 奨励賞
    日本国
  • 2009年10月
    日本結晶成長学会第7回 奨励賞
    日本国
  • 2003年10月
    第３３回結晶成長国内会議講演 奨励賞
    日本国
  • 2000年11月
    平成１２年電気関係学会関西支部連合大会 奨励賞
    日本国

共同研究・競争的資金等の研究課題

他機関の委員歴

  • 2023年01月 - 2023年12月
    Program Committee
  • 2023年01月 - 2023年04月
    Program Committee
  • 2022年01月 - 2022年12月
    Program Committee
  • 2021年09月 - 2022年10月
    Local arrangements committee (Vice chair)
  • 2022年01月 - 2022年04月
    Program Committee
  • 2021年01月 - 2021年12月
    Program Committee
  • 2021年01月 - 2021年04月
    Program Committee
  • 2021年04月 - 現在
    総務委員, ワイドギャップ半導体学会（WideG）
  • 2020年06月 - 2021年03月
    庶務幹事, 日本学術振興会 第162委員会
  • 2020年01月 - 2020年12月
    Program Committee
  • 2020年01月 - 2020年04月
    Program Committee
  • 2018年06月 - 2020年03月
    出版委員会 庶務, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
  • 2019年01月 - 2019年12月
    Program Committee
  • 2018年05月 - 2019年05月
    Local Steering Committee
  • 2018年05月 - 2019年05月
    Program Committee
  • 2019年01月 - 2019年04月
    Program Committee
  • 2018年01月 - 2018年12月
    Program Committee
  • 2018年07月 - 現在
    先進フォトニクス技術研究会 幹事, 日本フォトニクス協議会（JPC)
  • 2017年05月 - 2018年05月
    Program Committee
  • 2017年05月 - 2018年05月
    Local Arrangement Committee
  • 2018年04月 - 現在
    企画運営委員, センサイト・プロジェクト
  • 2018年03月 - 現在
    実行委員, 応用物理学会 微小光学研究会
  • 2017年01月 - 2017年12月
    Program Committee
  • 2016年05月 - 2017年05月
    Local Arrangement Committee
  • 2016年05月 - 2017年05月
    Finance Committee
  • 2016年05月 - 2017年05月
    Program Committee
  • 2014年09月 - 2016年09月
    Finance Committee
  • 2015年05月 - 2016年05月
    Finance Committee
  • 2015年05月 - 2016年05月
    Local Arrangement Committee
  • 2015年05月 - 2016年05月
    Program Committee
  • 2013年04月 - 2016年03月
    プログラム編集委員, 応用物理学会
  • 2014年05月 - 2015年05月
    member
  • 2014年05月 - 2015年05月
    member
  • 2014年05月 - 2015年05月
    member
  • 2013年05月 - 2014年05月
    member
  • 2013年05月 - 2014年05月
    member
  • 2013年05月 - 2014年05月
    member
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA '14 finance committee
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA'14 program committee
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA'14 local aggangement committee
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA '14 finance committee
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA'14 program committee
  • 2013年05月 - 2014年05月
    LEDIA'14 local aggangement committee
  • 2012年11月 - 2013年08月
    member
  • 2012年11月 - 2013年08月
    ISCS2013 program committee
  • 2012年11月 - 2013年08月
    ISCS2013 program committee
  • 2011年08月 - 2013年08月
    総務委員, 電子材料シンポジウム
  • 2011年08月 - 2013年08月
    電子材料シンポジウム総務委員
  • 2012年11月 - 2013年05月
    Secretary
  • 2012年11月 - 2013年05月
    member
  • 2012年11月 - 2013年05月
    member
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 local arrangement committee
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 local arrangement committee
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 steering commettee
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 steering commettee
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 program committee
  • 2012年11月 - 2013年05月
    LEDIA'13 program committee