ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学, 電子・電気材料工学

ナノテク・材料, 結晶工学, 結晶工学

ナノテク・材料, 応用物性, 応用物性

発光デバイス

電子デバイス

光物性工学

ワイドギャップ窒化物・酸化物半導体

2015年04月01日 - 現在
パワートランジスタ用半導体材料の研究
酸化ガリウム

2017年04月01日 - 現在
遠紫外線発光・受光素子の開発
発光デバイス,受光デバイス

2017年04月01日 - 現在
遠紫外線分光システムの開発

2015年04月01日 - 現在
半導体の光物性・光エレクトロニクスの研究
光物性

Gallium oxide : materials properties, crystal growth, and devices
Higashiwaki, Masataka; Fujita, Shizuo
Springer, 2020年
9783030371524

Homoepitaxial growth of thick Si-doped β-Ga₂O₃ layers using tetramethylsilane as a dopant source by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
Junya Yoshinaga; Yoshiki Iba; Kakeru Kubota; Yuma Terauchi; Takahito Okuyama; Shogo Sasaki; Kazutada Ikenaga; Takeyoshi ONUMA; Masataka Higashiwaki; Kazushige Shiina; Shuichi Koseki; Yuzaburo Ban; Yoshinao Kumagai
Applied Physics Express, 2025年04月23日, ［査読有り］

Strain-induced band-gap widening in (100) β-Ga2O3 thin films grown on θ−Al2O3 buffer layers
Kazuki Koreishi; Takeyoshi Onuma; Takuto Soma; Akira Ohtomo
Physical Review Materials, 2025年03月10日, ［査読有り］

Deposition of ZnO and Al-doped ZnO thin films using pressed-sintered targets
Rozen Grace B. Madera; Hiroki Nagai; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda; Tomohiro Yamaguchi; Magdaleno R. Vasquez
Physica B: Condensed Matter, 2025年02月01日, ［査読有り］

Rocksalt-structured MgZnO-based UV-C lamp emitting in 190–220 nm spectral range using 146 nm line of Kr₂* generated by dielectric barrier discharge
Kotaro Ogawa; Toshiki Mitomi; Hideki Yajima; Wataru Kosaka; Hiroya Kusaka; Go Kobayashi; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Izumi Serizawa; Takeyoshi Onuma
Applied Physics Express, 2024年12月01日, ［査読有り］
責任著者

Adsorption-controlled growth of homoepitaxial ＜i＞c-plane sapphire films
Lena N. Majer; Tolga Acartürk; Peter A. van Aken; Wolfgang Braun; Luca Camuti; Johan Eckl-Haese; Jochen Mannhart; Takeyoshi Onuma; Ksenia S. Rabinovich; Darrell G. Schlom; Sander Smink; Ulrich Starke; Jacob Steele; Patrick Vogt; Hongguang Wang; Felix V. E. Hensling
APL Materials, 2024年09月01日, ［査読有り］

GaInNのRF-MBE結晶成長と赤色発光デバイス応用
山口 智広; 名西 憓之; 佐々木 拓生; 高橋 正光; 赤川 広海; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 富樫 理恵; 岸野 克巳
日本結晶成長学会誌 (特集：次世代ディスプレイ実現に向けた窒化物半導体結晶成長技術の進展), 2024年07月31日, ［査読有り］

Epitaxial growth of α-(Al＜i＞xGa1−＜i＞x)2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h
Jacob Steele; Kathy Azizie; Naomi Pieczulewski; Yunjo Kim; Shin Mou; Thaddeus J. Asel; Adam T. Neal; Debdeep Jena; Huili G. Xing; David A. Muller; Takeyoshi Onuma; Darrell G. Schlom
APL Materials, 2024年04月01日, ［査読有り］

Realization of cathodoluminescence in the 180 nm spectral range by suppressing thermal stress in mist chemical vapor deposition of rocksalt-structured MgZnO films
Kotaro Ogawa; Wataru Kosaka; Hiroya Kusaka; Kanta Kudo; Soichiro Ohno; Izumi Serizawa; Yuichi Ota; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Takeyoshi Onuma
Japanese Journal of Applied Physics, 2024年01月04日, ［査読有り］
責任著者

Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO
T. Onuma; K. Kudo; M. Ono; W. Kosaka; K. Shima; K. Ishii; K. Kaneko; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kojima; S. Fujita; S. F. Chichibu; and T. Honda
Journal of Applied Physics, 2023年07月13日, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Natural band alignment of MgO1−xSx alloys
Y. Ota; K. Kaneko; T. Onuma; and S. Fujita
AIP Advances, 2023年05月02日, ［査読有り］

Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist chemical vapor deposition
A. Taguchi; T. Yamamoto; K. Kaneko; K. Goto; T. Onuma; T. Honda; Y. Kumagai; S. Fujita; and T. Yamaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, 2023年04月19日, ［査読有り］

Fabrication of Transparent and Conductive SWCNT/SiO2 Composite Thin-Film by Photo-Irradiation of Molecular Precursor Films
N. Ogawa; H. Nagai; Y. Kudoh; T. Onuma; T. Murayama; A. Nojima; and M. Sato
Nanomaterials, 2021年12月16日, ［査読有り］

Mist Chemical Vapor Deposition Growth of alfa-In2O3 Films Using Indium Oxide Powder as Source Precursor
A. Taguchi; S. Takahashi; A. Sekiguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
Physica Status Solidi (b), 2021年10月20日, ［査読有り］

Identification of free and bound exciton emission of MgO single crystal in vacuum ultraviolet spectral range
T. Onuma; W. Kosaka; K. Kudo; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; and T. Honda
Applied Physics Letters, 2021年09月30日, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Selective observation of transverse optical phonons of Au modes to evaluate free charge carrier parameters in beta-Ga2O3 substrate and homoepitaxial film
T. Onuma; K. Sasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; S. Yamakoshi; and M. Higashiwaki
Applied Physics Letters, 2021年06月21日, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Effect of thermal annealing on photoexcited carriers in nitrogen-ion-implanted beta-Ga2O3 crystals detected by photocurrent measurement
M. Nakanishi; M. H. Wong; T. Yamaguchi; T. Honda; M. Higashiwaki; and T. Onuma
AIP Advances, 2021年03月25日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー, 責任著者

Crystal orientation dictated epitaxy of ultrawide-bandgap 5.4- to 8.6-eV alfa-(AlGa)2O3 on m-plane sapphire
R. Jinno; C. S. Chang; T. Onuma; Y. Cho; S.-T. Ho; D. Rowe; M. C. Cao; K. Lee; V. Protasenko; D. G. Schlom; D. A. Muller; H. G. Xing; D. Jena
Science Advances, 2021年01月08日, ［査読有り］

Hydrophilic titania thin films from a molecular precursor film formed via electrospray deposition on a quartz glass substrate precoated with carbon nanotubes
Natangue Heita Shafudah; Hiroki Nagai; Yutaka Suwazono; Ryuhei Ozawa; Yukihiro Kudoh; Taiju Takahashi; Takeyoshi Onuma; and Mitsunobu Sato
Coatings, 2020年10月29日, ［査読有り］

Impact of hydrochloric acid on the epitaxial growth of In2O3 films on (0001)α-Al2O3 substrates by mist CVD
T. Yamaguchi; S. Takahashi; T. Kiguchi; A. Sekiguchi; K. Kaneko; S. Fujita; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma; and T. Honda
Applied Physics Express, 2020年06月18日, ［査読有り］

Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of Cu3N films on (0001)α-Al2O3 substrates
T. Yamaguchi; H. Nagai; T. Kiguchi; N. Wakabayashi; T. Igawa; T. Hitora; T. Onuma; T. Honda; and M. Sato
Applied Physics Express, 2020年06月18日, ［査読有り］

Electroreflectance study on optical anisotropy in beta-Ga2O3
T.Onuma; K.Tanaka; K.Sasaki; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; S.Yamakoshi; and M.Higashiwaki
Applied Physics Letters, 2019年12月02日, ［査読有り］
筆頭著者, 責任著者

Excitation-current-density and temperature dependences of deep UV cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO films
M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; T.Honda; S.Fujita; and T.Onuma
Journal of Applied Physics, 2019年06月13日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー, 責任著者

Pure deep-ultraviolet cathodoluminescence from rocksalt-structured MgZnO grown with carbon-free precursors
K.Ishii; M.Ono; K.Kaneko; T.Onuma; T.Honda; and S.Fujita
Applied Physics Express, 2019年04月11日, ［査読有り］

Modeling and interpretation of UV and blue luminescence intensity in beta-Ga2O3 by silicon and nitrogen doping
T.Onuma; Y.Nakata; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Higashiwaki
Journal of Applied Physics, 2018年08月20日, ［査読有り］

Impact of local arrangement of Mg and Zn atoms in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys on bandgap and deep UV cathodoluminescence peak energies
T.Onuma; M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; S.Fujita; and T.Honda
Applied Physics Letters, 2018年08月10日, ［査読有り］

Deep-ultraviolet luminescence of rocksalt-structured MgxZn1−xO (x>0.5) films on MgO substrates
K.Kaneko; K.Tsumura; K.Ishii; T.Onuma; T.Honda; and S.Fujita
Journal of Electronic Materials, 2018年04月25日, ［査読有り］, ［招待有り］

Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films
M.Ono; K.Sasaki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Sato; T.Honda; and T.Onuma
Physica Status Solidi (b), 2018年04月14日, ［査読有り］

Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and InxGa1-xN films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy
M.Sumiya; S.Ueda; K.Fukuda; Y.Asai; Y.Cho; L.Sang; A.Uedono; T.Sekiguchi; T.Onuma; and T.Honda
Applied Physics Express, 2018年01月25日, ［査読有り］

Fabrication of Ag dispersed ZnO films by molecular precursor method and application in GaInN blue LED
D.Taka; T.Onuma; T.Shibukawa; H.Nagai; T.Yamaguchi; J.-S. Jang; M.Sato; and T.Honda
Physica Status Solidi (a), 2017年03月13日, ［査読有り］

Growth of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x > 0.5) films on MgO substrates and their deep-ultraviolet luminescence
K.Kaneko; T.Onuma; K.Tsumura; T.Uchida; R.Jinno; T.Yamaguchi; T.Honda; and S.Fujita
Applied Physics Express, 2016年10月18日, ［査読有り］

Spectroscopic ellipsometry studies on β-Ga2O3 films and single crystal
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki:
Japanese Journal of Applied Physics, 2016年09月21日, ［査読有り］

Surface plasmon resonant emission from Ag dispersed ZnO films fabricated by molecular precursor method
Daichi Taka; Takeyoshi Onuma; Takashi Shibukawa; Hiroki Nagai; Tomohiro Yamaguchi; Ja Soon Jang; Mitsunobu Sato; Tohru Honda
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016, 2016年08月01日, ［査読有り］

Temperature-dependent exciton resonance energies and their correlation with IR-active optical phonon modes in beta-Ga2O3 single crystals
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; K.Goto; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki
Applied Physics Letters, 2016年03月07日, ［査読有り］

Valence band ordering in beta-Ga2O3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
Japanese Journal of Applied Physics, 2015年10月14日, ［査読有り］

Optical properties of Ga0.82In0.18N p-n homojunction blue-green light-emitting-diode grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
T.Onuma; K.Narutani; S.Fujioka; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; Y.Nanishi; L.Sang; M.Sumiya; and T.Honda
Trans. Mat. Res. Soc. Japan, 2015年06月01日, ［査読有り］

Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures
T.Onuma; Y.Sugiura; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
Applied Physics Express, 2015年04月07日, ［査読有り］

High internal quantum efficiency ultraviolet to green luminescence peaks from pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate
S.F.Chichibu; K.Hazu; K.Furusawa; Y.Ishikawa; T.Onuma; T.Ohtomo; H.Ikeda; and K.Fujito
Journal of Applied Physics, 2014年12月02日, ［査読有り］

Polarized Raman spectra in beta-Ga2O3 single crystals
T.Onuma; S.Fujioka; T.Yamaguchi; Y.Itoh; M.Higashiwaki; K.Sasaki; T.Masui; and T.Honda
Journal of Crystal Growth, 2014年09月01日, ［査読有り］

Cathodoluminescence spectra of Ga-In-O polycrystalline films fabricated by molecular precursor method
T.Onuma; T.Yasuno; S.Takano; R.Goto; S.Fujioka; T.Hatakeyama; T.Oda; H.Hara; C.Mochizuki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
Japanese Journal of Applied Physics, 2014年03月20日, ［査読有り］

Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in beta-Ga2O3 single crystals
T.Onuma; S.Fujioka; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; K.Sasaki; T.Masui; and T.Honda
Applied Physics Letters, 2013年07月24日, ［査読有り］

Electron-beam incident-angle-resolved cathodoluminescence studies on bulk ZnO crystals
T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
Physica Status Solidi (c), 2013年05月21日, ［査読有り］

Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloy
S.F.Chichibu; T.Onuma; K.Hazu; and A.Uedono
Physica Status Solidi (c), 2013年03月08日, ［査読有り］

Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces
T.Onuma; N.Sakai; T.Igaki; T.Yamaguchi; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
Journal of Applied Physics, 2012年09月18日, ［査読有り］

Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN
T.Onuma; Y.Kagamitani; K.Hazu; T.Ishiguro; T.Fukuda; and S.F.Chichibu
Review of Scientific Instruments, 2012年04月11日, ［査読有り］

Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions
S.F.Chichibu; K.Hazu; T.Onuma; and A.Uedono
Applied Physics Letters, 2011年08月01日, ［査読有り］

Surface recombination of hexagonal GaN crystals
T.Onuma; N.Sakai; T.Okuhata; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
Physica Status Solidi (c), 2011年07月22日, ［査読有り］

Time-resolved photoluminescence of a two-dimensional electron gas in an Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure fabricated on ammonothermal GaN substrates
S.F.Chichibu; K.Hazu; Y.Kagamitani; T.Onuma; D.Ehrentraut; T.Fukuda; and T.Ishiguro
Applied Physics Express, 2011年03月18日, ［査読有り］

Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m-plane AlxGa1−xN epilayers
K.Hazu; M.Kagaya; T.Hoshi; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2011年03月16日, ［査読有り］

Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN
S.F.Chichibu; T.Onuma; K.Hazu; and A.Uedono
Applied Physics Letters, 2010年11月17日, ［査読有り］

Ammonothermal epitaxy of wurtzite GaN using an NH4I mineralizer
Y.Kagamitani; T.Kuribayashi; K.Hazu; T.Onuma; D.Tomida; R.Simura; S.F.Chichibu; K.Sugiyama; C.Yokoyama; T.Ishiguro; and T.Fukuda
Journal of Crystal Growth, 2010年11月01日, ［査読有り］

Nitrogen doped MgxZn1−xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates
K.Nakahara; S.Akasaka; H.Yuji; K.Tamura; T.Fujii; Y.Nishimoto; D.Takamizu; A.Sasaki; T.Tanabe; H.Takasu; H.Amaike; T.Onuma; S.F.Chichibu; A.Tsukazaki; A.Ohtomo; and M.Kawasaki
Applied Physics Letters, 2010年07月06日, ［査読有り］

Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar (10-1-1) GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; A.Uedono; H.Asamizu; H.Sato; J.F.Kaeding; M.Iza; S.P.DenBaars; S.Nakamura; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2010年03月04日, ［査読有り］

Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence
T.Onuma; K.Hazu; A.Uedono; T.Sota; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2010年02月09日, ［査読有り］

Light polarization characteristics of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses
K.Hazu; T.Hoshi; M.Kagaya; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2010年02月01日, ［査読有り］

Structural, optical, and homoepitaxial studies on the bulk GaN single crystals spontaneously nucleated by the Na-flux method
T.Onuma; T.Yamada; H.Yamane; and S.F.Chichibu
Applied Physics Express, 2009年09月11日, ［査読有り］

Synthesis, crystal structure and characterization of iron pyroborate (Fe_2B_2O_5) single crystals
T. Kawano; H. Morito; T. Yamada; T. Onuma; S. F. Chichibu; H. Yamane
Journal of Solid State Chemistry, 2009年05月14日, ［査読有り］

Thermal stability of semi-insulating property of Fe-doped GaN bulk films studied by photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques
M.Kubota; T.Onuma; Y.Ishihara; A.Usui; A.Uedono; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2009年04月28日, ［査読有り］

Vacancy-oxygen complexes and their optical properties in AlN epitaxial films studied by positron annihilation
A.Uedono; S.Ishibashi; S.Keller; C.Moe; P.Cantu; T.M.Katona; D.S. Kamber; Y.Wu; E.Letts; S.A.Newman; S.Nakamura; J.S.Speck; U.K.Mishra; S.P.DenBaars; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2009年03月03日, ［査読有り］

Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1−xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy
T.Hoshi; K.Hazu; K.Ohshita; M.Kagaya; T.Onuma; K.Fujito; H.Namita; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2009年02月20日, ［査読有り］

Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; T.Shibata; K.Kosaka; K.Asai; S.Sumiya; M.Tanaka; T.Sota; A.Uedono; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2009年01月30日, ［査読有り］

Improved characteristics and issues of m-plane InGaN films grown on low defect density m-plane freestanding GaN substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
S.F.Chichibu; H.Yamaguchi; L.Zhao; M.Kubota; T.Onuma; K.Okamoto; and H.Ohta
Applied Physics Letters, 2008年10月14日, ［査読有り］

Anisotropic optical gain in m-plane InxGa1−xN/GaN multiple quantum well laser diode wafers fabricated on the low defect density freestanding GaN substrates
T.Onuma; K.Okamoto; H.Ohta; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2008年09月04日, ［査読有り］

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates
Y.Nishimoto; K.Nakahara; D.Takamizu; A.Sasaki; K.Tamura; S.Akasaka; H.Yuji; T.Fujii; T.Tanabe; H.Takasu; A.Tsukazaki; A.Ohtomo; T.Onuma; S.F.Chichibu; and M.Kawasaki
Applied Physics Express, 2008年08月29日, ［査読有り］

Impact of point defects on the luminescence properties of (Al,Ga)N
S.F.Chichibu; A.Uedono; T.Onuma; S.P.DenBaars; U.K.Mishra; J.S.Speck; and S.Nakamura
Materials Science Forum, 2008年08月19日, ［査読有り］

Direct correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime in undoped ZnO epilayers grown on Zn-polar ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
D.Takamizu; Y.Nishimoto; S.Akasaka; H.Yuji; K.Tamura; K.Nakahara; T.Onuma; T.Tanabe; H.Takasu; M.Kawasaki; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2008年03月17日, ［査読有り］

Microstructural evolution in m-plane GaN growth on m-plane SiC
Q.Sun; S.-Y.Kwon; Z.Ren; J.Han; T.Onuma; S.F.Chichibu; and S.Wang
Applied Physics Letters, 2008年02月07日, ［査読有り］

Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN
H.Ikeda; T.Okamura; K.Matsukawa; T.Sota; M.Sugawara; T.Hoshi; P.Cantu; R.Sharma; J.F.Kaeding; S.Keller; U.K.Mishra; K.Kosaka; K.Asai; S.Sumiya; T.Shibata; M.Tanaka; J.S.Speck; S.P.DenBaars; S.Nakamura; T.Koyama; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2007年12月27日, ［査読有り］

Impacts of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonothermal method
S.F.Chichibu; T.Onuma; T.Hashimoto; K.Fujito; F.Wu; J.S.Speck; and S.Nakamura
Applied Physics Letters, 2007年12月20日, ［査読有り］

Quantum-confined Stark effects in the m-plane In0.15Ga0.85N / GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density free-standing GaN substrate
T.Onuma; H.Amaike; M.Kubota; K.Okamoto; H.Ohta; J.Ichihara; H.Takasu; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2007年10月29日, ［査読有り］

Radiative and nonradiative lifetimes in nonpolar m-plane InxGa1-xN / GaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth
T.Onuma; T.Koyama; A.Chakraborty; M.McLaurin; B.A.Haskell; P.T.Fini; S.Keller; S.P.DenBaars; J.S.Speck; S.Nakamura; U.K.Mishra; T.Sota; and S.F.Chichibu
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2007年07月31日, ［査読有り］

Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by,time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques
S.F.Chichibu; A.Uedono; T.Onuma; B.A.Haskell; A.Chakraborty; T.Koyama; P.T.Fini; S.Keller; S.P.DenBaars; J.S.Speck; U.K.Mishra; S.Nakamura; S.Yamaguchi; S.Kamiyama; H.Amano; I.Akasaki; J.Han; and T.Sota
Philosophical Magazine, 2007年05月17日, ［査読有り］

Recombination dynamics of excitons in Mg0.11Zn0.89O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy
M.Kubota; T.Onuma; A.Tsukazaki; A.Ohtomo; M.Kawasaki; T.Sota; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2007年04月04日, ［査読有り］

Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
C.Moe; T.Onuma; K.Vampola; N.Fellows; H.Masui; S.Newman; S.Keller; S.F.Chichibu; S.P.DenBaas; and D.Emerson
Journal of Crystal Growth, 2006年12月01日, ［査読有り］

Cross-sectional spatially-resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (001) 3C-SiC and GaAs substrates
T.Onuma; T.Nozaka; H.Yamaguchi; T.Suzuki; and S.F.Chichibu
Journal of Crystal Growth, 2006年11月17日, ［査読有り］

Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al,In,Ga)N alloy semiconductors
S.F.Chichibu; A.Uedono; T.Onuma; B.A.Haskell; A.Chakraborty; T.Koyama; P.T.Fini; S.Keller; S.P.DenBaars; J.S.Speck; U.K.Mishra; S.Nakamura; S.Yamaguchi; S.Kamiyama; H.Amano; I.Akasaki; J.Han; and T.Sota
Nature Materials, 2006年09月03日, ［査読有り］

Prospective emission efficiency and in-plane light polarization of nonpolar m-plane InxGa1-xN / GaN blue light emitting diodes fabricated on free-standing GaN substrates
T.Koyama; T.Onuma; H.Masui; A.Chakraborty; B.A.Haskell; S.Keller; U.K.Mishra; J.S.Speck; S.Nakamura; S.P.DenBaars; T.Sota; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2006年08月28日, ［査読有り］

Exciton dynamics in nonpolar (11_20) InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth
T. Onuma; A. Chakraborty; B. A. Haskell; S. Keller; T. Sota; U. K. Mishra; S. P. DenBaars; J. S. Speck; S. Nakamura; S. F. Chichibu
Physica Status Solidi (C), 2006年06月12日, ［査読有り］

Strain-relaxation in NH3-source molecular beam epitaxy of AlN epilayers on GaN epitaxial templates
T.Koyama; M.Sugawara; Y.Uchinuma; J.F.Kaeding; R.Sharma; T.Onuma; S.Nakamura; and S.F.Chichibu
Physica Status Solidi (a), 2006年05月18日, ［査読有り］

Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
S.Kamiyama; T.Maeda; Y.Nakamura; M.Iwaya; H.Amano; I.Akasaki; H.Kinoshita; T.Furusho; M.Yoshimoto; T.Kimoto; J.Suda; A.Henry; I.G.Ivanov; J.P.Bergman; B.Monemar; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Applied Physics, 2006年05月15日, ［査読有り］

Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by intentional point-defect elimination
S.F.Chichibu; T.Onuma; M.Kubota; A.Uedono; T.Sota; A.Tsukuazaki; A.Ohtomo; and M.Kawasaki
Journal of Applied Physics, 2006年05月12日, ［査読有り］

Recombination dynamics of a 268-nm emission peak in Al0.53In0.11Ga0.36N / Al0.58In0.02Ga0.40N multiple quantum wells
T.Onuma; S.Keller; S.P.DenBaars; J.S.Speck; S.Nakamura; U.K.Mishra; T.Sota; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2006年03月17日, ［査読有り］

Fabrication of p-CuGaS2/n-ZnO:Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods
S.F.Chichibu; T.Ohmori; N.Shibata; T.Koyama; and T.Onuma
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2005年11月17日, ［査読有り］

Growth of AlGaN nanowires by metalorganic chemical vapor deposition
J.Su; M.Gherasimova; G.Cui; H.Tsukamoto; J.Han; T.Onuma; M.Kurimoto; S.F.Chichibu; C.Broadbridge; Y.He; and A.V.Nurmikko
Applied Physics Letters, 2005年10月27日, ［査読有り］

Blue light-emitting diode based on ZnO
A.Tsukazaki; M.Kubota; A.Ohtomo; T.Onuma; K.Ohtani; H.Ohno; S.F.Chichibu; and M.Kawasaki
Japanese Journal of Applied Physics, 2005年05月11日, ［査読有り］

Localized exciton dynamics in nonpolar (11-20) InxGa1-xN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth
T.Onuma; A.Chakraborty; B.A.Haskell; S.Keller; S.P.DenBaars; J.S.Speck; S.Nakamura; U.K.Mishra; T.Sota; and S.F.Chichibu
Applied Physics Letters, 2005年04月08日, ［査読有り］

Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO
S.F.Chichibu; A.Uedono; A.Tsukazaki; T.Onuma; M.Zamfirescu; A.Ohtomo; A.Kavokin; G.Cantwell; C.W.Litton; T.Sota; and M.Kawasaki
Semiconductor Science and Technology, 2005年03月15日, ［査読有り］

Limiting factors of room-temperature nonradiative photoluminescence lifetime in polar and nonpolar GaN studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques
S.F.Chichibu; A.Uedono; T.Onuma; T.Sota; B.A.Haskell; S.P.DenBaars; J.S.Speck; and S.Nakamura
Applied Physics Letters, 2005年01月05日, ［査読有り］

Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light emitting diode based on ZnO
A.Tsukazki; A.Ohtomo; T.Onuma; M.Ohtani; T.Makino; M.Sumiya; K.Ohtani; S.F.Chichibu; S.Fuke; Y.Segawa; H.Ohno; H.Koinuma; and M.Kawasaki
Nature Materials, 2004年12月19日, ［査読有り］

Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer
T.Onuma; S.F.Chichibu; A.Uedono; Y.-Z.Yoo; T.Chikyow; T.Sota; M.Kawasaki; and H.Koinuma
Applied Physics Letters, 2004年12月08日, ［査読有り］

Greenish-white electroluminescence from p-type CuGaS2 heterojunction diodes using n-type ZnO as an electron injector
S.F.Chichibu; T.Ohmori; N.Shibata; T.Koyama; and T.Onuma
Applied Physics Letters, 2004年11月08日, ［査読有り］

Reduction of point defect in cubic GaN epilayers on (001) GaAs substrates using AlxGa1-xN/GaN superlattice underlayers
S.F.Chicihbu; M.Sugiyama; T.Nozaka; T.Suzuki; T.Onuma; K.Nakajima; T.Aoyama; M.Sumiya; T.Chikyow; and A.Uedono
Journal of Crystal Growth, 2004年10月12日, ［査読有り］

Improved surface morphology in GaN homoepitaxy by NH3-source molecular beam epitaxy
T.Koida; Y.Uchinuma; J.Kikuchi; K.R.Wang; M.Terazaki; T.Onuma; J.F.Kaeding; R.Sharma; S.Nakamura; and S.F.Chichibu
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2004年08月20日, ［査読有り］

In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg0.06Zn0.94O films
T.Koyama; T.Ohmori; N.Shibata; T.Onuma; and S.F.Chichibu
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2004年08月20日, ［査読有り］

Radiative and nonradiative processes in strain-free AlxGa1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques
T.Onuma; SF.Chichibu; A.Uedono; T.Sota; P.Cantu; T.M.Katona; J.F.Kaeding; S.Keller; U.K.Mishra; S.Nakamura; and S.P.DenBaars
Journal of Applied Physics, 2004年02月19日, ［査読有り］

V-defect of ZnO thin films grown on Si as an ultraviolet optical path
Y-Z.Yoo; T.Sekiguchi; T.Chikyow; M.Kawasaki; T.Onuma; S.F.Chichibu; H.K.Song; and H.Koinuma
Applied Physics Letters, 2004年01月21日, ［査読有り］

Critical roles of decomposition-shielding layer deposited at low-temperature governing the structural and photoluminescence properties of cubic GaN epilayers grown on (001) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
M.Sugiyama; T.Nosaka; T.Onuma; K.Nakajima; P.Ahmet; T.Aoyama; T.Chikyow; and SF.Chichibu
Japanese Journal of Applied Physics, 2004年01月13日, ［査読有り］

Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450nm
T.Onuma; SF.Chichibu; T.Aoyama; K.Nakajima; P.Ahmet; T.Azuhata; T.Chikyow; T.Sota; S.Nagahama; and T.Mukai
Japanese Journal of Applied Physics, 2003年12月10日, ［査読有り］

Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN
S. P. Lepkowski; T. Suski; H. Teisseyre; T. Kitamura; Y. Ishida; H. Okumura; T. Onuma; T. Koida; S. F. Chichibu
Physica Status Solidi (C), 2003年11月24日, ［査読有り］

Heteroepitaxy of hexagonal ZnS thin films directly on Si(111)
Y-Z.Yoo; T.Chikyow; M.Kawasaki; T.Onuma; S.F.Chichibu; and H.Koinuma
Japanese Journal of Applied Physics, 2003年11月10日, ［査読有り］

Improved emission efficiency in InGaN / GaN quantum wells with compositionally-graded barriers studied by time-resolved photoluminescence spectroscopy
T.Onuma; M.Uchinuma; E.-K.Suh; H.J.Lee; T.Sota; and SF.Chichibu
Japanese Journal of Applied Physics, 2003年11月05日, ［査読有り］

In situ spectral control of Zn species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO
T.Koyama; T.Onuma; and SF.Chichibu
Applied Physics Letters, 2003年09月30日, ［査読有り］

Recombination dynamics of localized excitons in cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown by radio frequency molecular beam epitaxy on 3C-SiC substrate
SF.Chichibu; T.Onuma; T.Aoyama; K.Nakajima; P.Ahmet; T.Chikyow; T.Sota; S.P.DenBaars; S.Nakamura; T.Kitamura; Y.Ishida; and H.Okumura
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2003年08月05日, ［査読有り］

Recombination dynamics of localized excitons in Al1-xInxN epitaxial films on GaN templates grown by metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; SF.Chichibu; Y.Uchinuma; T.Sota; S.Yamaguchi; S.Kamiyama; H.Amano; and I.Akasaki
Journal of Applied Physics, 2003年07月29日, ［査読有り］

Influence of InN mole fraction on the recombination processes of localized excitons in strained cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
SF.Chichibu; T.Onuma; T.Sota; S.P.DenBaars; S.Nakamura; T.Kitamura; Y.Ishida; and H.Okumura
Journal of Applied Physics, 2003年01月30日, ［査読有り］

Recombination dynamics of localized excitons in cubic phase InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC/Si (001)
S.F.Chichibu; T.Onuma; T.Kitamura; T.Sota; S.P.DenBaars; S.Nakamura; and H.Okumura
Physica Status Solidi (b), 2002年12月03日, ［査読有り］

Exciton spectra of an AlN epitaxial film on (0001) sapphire substrate grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; S.F.Chichibu; T.Sota; K.Asai; S.Sumiya; T.Shibata; and M.Tanaka
Applied Physics Letters, 2002年07月16日, ［査読有り］

Decay processes of the C2 2Pai1/2u states of Ar2+, Kr2+, and Xe2+
H.Yoshii; T.Hayaishi; T.Onuma; T.Aoto; Y.Morioka; and K.Ito
Journal of Chemical Physics, 2002年07月11日, ［査読有り］

Cascade processes after 3p-shell threshold photoionization of Kr
T.Matsui; H.Yoshii; A.Higurashi; E.Murakami; T.Aoto; T.Onuma; Y.Morioka; A.Yagishita; and T.Hayaishi
Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys., 2002年07月03日, ［査読有り］

Vibrationally resolved threshold photoelectron--photoion coincidence spectra of ArXe
H.Yoshii; T.Hayaishi; T.Onuma; T.Aoto; Y.Morioka; and K.Ito
Journal of Chemical Physics, 2002年04月15日, ［査読有り］

Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO on sapphire (0001) substrates
S.F.Chichibu; T.Yoshida; T.Onuma; and H.Nakanishi
Journal of Applied Physics, 2001年12月28日, ［査読有り］

Localized exciton dynamics in strained cubic In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum wells
S.F.Chichibu; M.Sugiyama; T.Onuma; T.Kitamura; H.Nakanishi; T.Kuroda; A.Tackeuchi; T.Sota; Y.Ishida; and H.Okumura
Applied Physics Letters, 2001年12月19日, ［査読有り］

Post-collision interaction effects following 4p-shell ionization of Xe
T.Hayaishi; T.Matsui; H.Yoshii; A.Higurashi; E.Murakami; A.Yagishita; T.Aoto; T.Onuma; and Y.Morioka
Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys., 2001年12月19日, ［査読有り］

Formation of a hydrogen plasma from an incandescently heated hydrogen-catalyst gas mixture with an anomalous afterglow duration
R.L.Mills; T.Onuma; and Y.Lu
International Journal of Hydrogen Energy, 2001年06月28日, ［査読有り］

Pulsed-Field Ionization Zero-Kinetic-Energy Photoelectron Spectra of Ar2
T.Onuma; H.Yoshii; H.Ishijima; Y.Itou; T.Hayaishi; and Y.Morioka
Journal of Molecular Spectroscopy, 1999年07月30日, ［査読有り］

放射線教育の充実に向けた取り組み
尾沼猛儀; 中川 修; 多羅尾 進; 綾野秀樹; 一戸隆久; 北越大輔; 衣笠 巧; 黒澤 剛; 前段眞治; 大野秀樹
東京工業高等専門学校研究報告書, 2014年12月

サイズ・面方位の異なるGaN結晶における表面再結合過程
尾沼猛儀
東京工業高等専門学校研究報告書, 2011年03月

AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構
尾沼猛儀; 羽豆耕治; 宗田孝之; 上殿明良; 秩父重英
信学技報, 2009年10月

非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向
尾沼猛儀; 秩父重英
マテリアルインテグレーション (特集：発光材料の新展開), 2008年12月

ScAlMgO4基板上RF-MBE法GaInN成長におけるその場XRD-RSMを用いた成長初期過程観察
守屋 潤希; 佐々木 拓生; 竹内 丈; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広; 名西 憓之
2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月17日

ミストCVD 法による岩塩構造MgZnO 多重量子井戸の製作と井戸層薄層化による量子効果の観測
愛智 宏行; 小川 広太郎; 三富 俊希; 高橋 風貴; 田中 恭輔; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日

Mist CVD法によるα-Cr2O3テンプレート上α-Ga2O3成長と結晶評価
山田 琴乃; 飯田 隆真; 肖 世玉; 村上 和仁; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 渡邊 守道; 山口 智広
2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日

準安定組成域における岩塩構造MgZnO混晶のミストCVD成長
田中 恭輔; 小川 広太郎; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日

InCl3を用いたMist CVD法による極薄膜In2O3成膜
石川 諒; 林 佑哉; 相川 慎也; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日

In-situ monitoring using reflection high-energy electron diffraction and X-ray diffraction in RF molecular beam epitaxy growth of GaInN
T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Moriya; T. Onuma; T. Honda; M. Takahasi; Y. Nanishi
The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025, 2025年01月27日, ［招待有り］

Realization of Smooth Surface and Interface in Mist CVD Growth of Rocksalt structured-MgZnO/MgO MQWs
H. Aichi; K. Ogawa; T. Mitomi; K. Tanaka; Y. Ota; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
50th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-50), 2025年01月21日

Si Diffusion Into Self-Organized GaN Nanocolumns Grown on Si(111) by RF-MBE
T. Honda; N. Goto; Y. Hosoya; T. Onuma; T. Yamaguchi
50th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-50), 2025年01月21日

ミストCVD法による低Mg組成RS-MgZnO薄膜成長における成長温度依存性
田中恭輔; 小川広太郎; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第16回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2024年12月08日

RFマグネトロンスパッタリング法で成膜したNiO薄膜の電気的特性のアニール温度依存性
安田晴信; 秋葉隆行; 宮本広信; 佐々木公平; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第16回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2024年12月08日

Ⅲ族酸化物を原料に用いたMist CVD 法によるα-Ga2O3成長検討
渡辺英二; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第16回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2024年12月08日

大面積成膜に向けたMist CVD法によるα-Al2O3基板上α-Ga2O3成長の成長温度依存性
飯田隆真; 山田琴乃; 杉谷諒; 山口勇豪; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第16回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2024年12月08日

赤色発光ナノコラムLEDにおけるブルーシフトの抑制
進藤 隆太; 赤川 広海; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 富樫 理恵; 岸野 克巳
第5回半導体ナノフォトニクス研究会, 2024年11月23日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の深紫外・真空紫外発光に関与する裾状態とトラップ状態の温度変化
根本亮佑; 小川広太郎; 三富俊希; 太田優一; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第3回結晶工学講演会, 2024年11月22日

ミストCVD法で成長した岩塩構造MgZnO/MgO多重量子井戸の製作および構造評価
愛智宏行; 小川広太郎; 三富俊希; 高橋風貴; 田中恭輔; 本田徹; 山口智広; 尾沼猛儀
第3回結晶工学講演会, 2024年11月22日

原料交互供給式ミストCVD法によるRS-MgZnO/MgOの急峻なヘテロ界面の実現
小川広太郎; 愛智宏行; 三富俊希; 田中恭輔; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第3回結晶工学講演会, 2024年11月22日

Stability of Source Solution with Ethylenediamine in Cu3N Growth by Mist CVD
C. Tsukioka; S. Yoshida; N. Sugita; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 23rd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-23), 2024年11月22日

Toward thin In2O3 film growth on SiO2/Si substrate by Mist CVD method
R. Ishikawa; T. Yamamoto; Y. Hayashi; S. Aikawa; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 23rd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-23), 2024年11月22日

Epitaxial mist CVD growth of oxide and nitride crystal films
T. Yamaguchi; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda
The 23rd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-23), 2024年11月22日

α-In2O3のMistCVD結晶成長とMOSFET製作時におけるチャネル層膜厚調整方法の検討
林佑哉; 田口義士; 山寺真理; 山本拓実; 相川慎也; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 2024年11月18日

Ga2O3パウダーを用いたβ-Ga2O3薄膜のMist CVD成長における原料濃度依存性
阿部翔平; 杉谷諒; 山口智広; 佐々木公平; 本田徹; 尾沼猛儀
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 2024年11月18日

ミストCVD法による界面平坦な岩塩構造MgZnO/MgO 超格子構造の実現
小川広太郎; 愛智宏行; 三富俊希; 田中恭輔; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 2024年11月18日

ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO混晶薄膜のバンド端付近の光学スペクトル
三富俊希; 小川広太郎; 根本亮佑; 田中恭輔; 太田優一; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 2024年11月18日

MgNiO薄膜のRFマグネトロトンスパッタ成長とアニール処理によるPt/MgNiO界面の接触抵抗低減の検討
秋葉隆行; 石川明人; 渡辺英暉; 山口智広; 本田徹; 佐々木公平; 尾沼猛儀
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 2024年11月18日

Red-emission nanocolumn LEDs with semi-polar {10-11} InGaN/InGaN MQW grown on underlying bulk InGaN buffer
R. Shindo; H. Akagawa; T. Yamaguchi; R. Togashi; T. Onuma; I. Nomura; T. Honda; K. Kishino
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), 2024年11月05日

モノリシック集積m-LED におけるNi マスクを用いた高アスペクト比エッチングの検討
藤井遥人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
The 11th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE11), 2024年11月05日

エチレンジアミンを用いたMist CVD 法によるCu3N 成長と銅粉末濃度の影響
月岡知里; 永井裕己; 本田徹; 尾沼猛儀; 山口智広
The 11th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE11), 2024年11月05日

新たな深紫外・真空紫外光源開発に向けた岩塩構造MgZnO/MgO 多重量子井戸の製作
愛智宏行; 高橋風貴; 小川広太郎; 三富俊希; 田中恭輔; 本田徹; 山口智広; 尾沼猛儀
The 11th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE11), 2024年11月05日

RF-MBE Growth of GaInN Film and Nanocolumn Array on GaN
Y. Yamaguchi; T. Sasaki; H. Akagawa; J. Takeuchi; R. Shindo; T. Onuma; T. Honda; R. Togashi; Y. Nanishi; K. Kishino
2024 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2024), 2024年10月17日, ［招待有り］

Dependence of Hydrochloric Acid Concentration Adding to Source Solution in Mist CVD Growth of In2O3 Films on Amorphous SiO2
R. Ishikawa; T. Yamamoto; Y. Hayashi; S. Aikawa; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月03日

Impact of Condition for Alternating-Precursor Supply in Mist CVD Growths of RS-MgZnO/MgO Heterostructures and Superlattices
K. Ogawa; H. Aichi; T. Mitomi; K. Tanaka; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月03日

Characterization of in-gap emission in carbon and oxygen ion implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy
T. Saito; Y. Arai; I. Sakaguchi; T. Onuma; T. Honda; M. Sumiya
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月03日

Growth of GaInN thin film by MOVPE in He ambient
Y. Arai; T. Saito; T. Onuma; T. Honda; M. Sumiya
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月02日

Mist CVD Growth of α-Ga2O3 Films Using Ga(C5H7O2)3-Containing Source Solution with Different Incubation Times
K. Yamada; T. Yamamoto; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月02日

Distinct Satellite Observation in X-ray Diffraction Patterns for Rocksalt-Structured MgZnO/MgO Quantum Wells Grown by Mist CVD Method
H. Aichi; K. Ogawa; T. Mitomi; K. Tanaka; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
43rd Electronic Materials Symposium, 2024年10月02日

岩塩構造MgZnO混晶のバンド端付近における光学特性
三富 俊希; 小川 広太郎; 田中 恭輔; 根本 亮佑; 太田 優一; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月20日

α-Al2O3上及びアモルファスSiO2上へのMist CVD法In2O3成膜における原料溶液添加塩酸濃度依存性
石川 諒; 山本 拓実; 林 佑哉; 相川 慎也; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日

Mist CVD法におけるα-Ga2O3成長用Ga(C5H7O2)3水溶液の静置時間変化
山田 琴乃; 山本 拓実; 永井 裕己; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日

Mist CVD法β-Ga2O3成膜における不純物取り込みの検討
杉谷 諒; 山口 智広; 阿部 翔平; 佐々木 公平; 倉又 朗人; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日

ミストCVD法による岩塩構造MgZnO/MgO量子井戸の井戸層組成依存性
愛智 宏行; 小川 広太郎; 三富 俊希; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日

ミストCVD法による岩塩構造MgZnO/MgOダブルヘテロ及び超格子構造の製作検討
小川 広太郎; 愛智 宏行; 三富 俊希; 田中 恭輔; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日

ナノコラム結晶成長におけるGaInN/GaInN MQWへのAlN 中間層の挿入効果
梅本 匠; 進藤 隆太; 赤川 広海; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 富樫 理恵; 岸野 克巳
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日

光熱偏向分光法によるGaN/GaInN量子井戸構造の評価
齋藤 太助; 新井 雄稀; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 本田 徹; 角谷 正友
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日

MOVPEによるGaInN混晶薄膜成長におけるHeキャリアガスの効果
新井 雄稀; 齋藤 太助; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 本田 徹; 角谷 正友
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月18日

(10-11)ファセットを有するGaInN系ナノコラム上MQWの検討
進藤 隆太; 赤川 広海; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 富樫 理恵; 岸野 克己
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日

Mist CVD法を用いた(001)SrTiO3基板上Cu3N成長
月岡 知里; 吉田 将吾; 杉田 直樹; 永井 裕己; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月17日

Stability of Copper Complex in Ammonia Aqueous Solution Adding Ethylenediamine for Growth by Mist CVD
C. Tsukioka; S. Yoshida; N. Sugita; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
29th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 29), 2024年09月06日

Effect of incubation time on Ga(C5H7O2)3-containing source solutions for growth of alfa-Ga2O3 by Mist CVD
K. Yamada; T. Yamamoto; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
29th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 29), 2024年09月06日

Correlation Between Growth Conditions in Mist CVD Growth of Copper Nitride and Copper Oxides
N. Sugita; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; M. Sato; T. Yamaguchi
29th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 29), 2024年09月06日

真空紫外分光による岩塩構造MgZnOの吸収端と励起子遷移の測定
根本 亮佑; 小川 広太郎; 三富 俊希; 太田 優一; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第1回末松カンファレンス, 2024年08月31日

Mist CVD法サファイア基板上α-Ga2O3, β-Ga2O3薄膜の電気的特性基礎検討
山口 勇豪; 杉谷 諒; 阿部 翔平; 山田 琴乃; 相川 慎也; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
第1回末松カンファレンス, 2024年08月31日

集積化マイクロ LEDの光アイソレーション評価
森谷 聡; ケラー珠莉杏; 藤井遥人; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田 徹
第1回末松カンファレンス, 2024年08月31日

集積化マイクロ LEDのモノリシック製作検討
本田 徹; 藤井 遥人; ケラー 珠莉杏; 森谷 聡; 山口 智広; 尾沼 猛儀
第1回末松カンファレンス, 2024年08月31日

Mist CVD法を用いたMgO(100)基板上への岩塩構造MgZnO/MgO多重量子井戸構造の結晶成長
愛智 宏行; 小川 広太郎; 三富 俊希; 田中 恭輔; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第1回末松カンファレンス, 2024年08月30日

その場XRD-RSM測定を用いたScAlMgO4基板上GaInN成長の可能性探索
守屋 潤希; 佐々木 拓生; 竹内 丈; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広; 名西 憓之
第1回末松カンファレンス, 2024年08月30日

光熱偏向分光法による炭素、酸素イオン注入GaN薄膜における輻射・非輻射再結合の評価
齋藤 太助; 新井 雄稀; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 坂口 勲; 角谷 正友; 本田 徹
第1回末松カンファレンス, 2024年08月30日

GaInN系ナノコラムを用いた赤色 LEDの製作
進藤 隆太; 赤川 広海; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 富樫 理恵; 岸野 克巳
第1回末松カンファレンス, 2024年08月30日

Na2O-Y2O3-ZrO2-Sm2O3-P2O5-SiO2系結晶化ガラスの合成と発光特性の評価
薗田雪衣; 佐藤泰史; 川田耕司; 山下仁大; 尾沼猛儀; 橋本英樹; 大倉利典
第33回無機リン化学討論会, 2024年08月29日

Impacts of growth temperature on electrical properties of Mg-doped AlGaN films grown by RF-MBE under nitrogen-rich conditions
K. Shida; R. Nakamura; K. Mizumura; M. Hayasaki; Y. Itoh; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
Compound Semiconductor Week 2024 (CSW 2024), 2024年06月05日

Relation between Absorption Edge and Exciton Transition in Rocksalt-structured MgZnO Films
R. Nemoto; K. Ogawa; H. Kusaka; T. Mitomi; Y. Ota; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
Compound Semiconductor Week 2024 (CSW 2024), 2024年06月05日

Development of Rocksalt-structured-MgZnO-based UV-C Lamp Emitting in 190-220 nm Spectral Range
K. Ogawa; H. Yajima; G. Kobayashi; W. Kosaka; H. Kusaka; T. Mitomi; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Kaneko; S. Fujita; I. Serizawa; T. Onuma
Compound Semiconductor Week 2024 (CSW 2024), 2024年06月04日

Impact of ZnO alloying on electrical and optical properties of MgNiZnO alloy films prepared by RF magnetron sputtering
T. Onuma; A. Ishikawa; M. Murayama; T. Akiba; T. Yamaguchi; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Honda
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO5), 2024年05月28日

Optical Isolation in Integrated Micro-LEDs
Julian Keller; Haruto Fujii; Yamato Yamazaki; Takeyoshi Onuma; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’24 (LEDIA ’24), 2024年04月24日

Demonstration of high aspect ratio etching by Ni mask process for m-LED monolithic integration
Haruto Fujii; Takeyoshi Onuma; Tomohiro Yamaguchi; Tohru Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’24 (LEDIA ’24), 2024年04月24日

(ScxGa1−x)2O3薄膜の偏光反射分光とバンド端構造の異方性
是石 和樹; 尾沼 猛儀; 相馬 拓人; 大友 明
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月25日

酸化マグネシウム(MgO)結晶多形のバンドアライメント
太田 優一; 尾沼 猛儀; 藤田 静雄
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日

190-220 nmで蛍光するKr2エキシマ励起岩塩構造MgZnOランプの開発
小川 広太郎; 矢島 英樹; 小林 剛; 高坂 亘; 日下 皓也; 三富 俊希; 山口 智広; 本田 徹; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 芹澤 和泉; 尾沼 猛儀
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日

無添加岩塩構造MgxZn1-xO薄膜の正孔捕獲中心
三富 俊希; 小川 広太郎; 日下 皓也; 根本 亮佑; 太田 優一; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日

岩塩構造MgxZn1-xO薄膜における吸収端と励起子遷移の関係
根本 亮佑; 小川 広太郎; 日下 皓也; 三富 俊希; 太田 優一; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日

遷移金属イオンの添加がNa2O-Y2O3-Sm2O3-P2O5-SiO2系結晶化ガラスの発光特性に与える影響
薗田雪衣; 佐藤泰史; 川田耕司; 山下仁大; 尾沼猛儀; 橋本英樹; 大倉利典
日本セラミックス協会2024年年会, 2024年03月16日

可視光LEDの開発の歴史と発光メカニズム・深紫外から真空紫外LEDへの展開
尾沼猛儀
令和５年度第３回八王子市先端技術セミナー｢用途広がるLED ～最新の紫外LED～」, 2024年02月19日, ［招待有り］

光無線給電可変焦点レンズ応用の基礎検討
山醍醐和典; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀; 牛田泰久
レーザー学会学術講演会第44回年次大会, 2024年01月19日

酸化ガリウムとその関連材料の物性に関する基礎研究
尾沼猛儀; 庄司昂平; 足立龍汰; 山口智広; 佐々木公平; 倉又朗人; 本田徹; 東脇正高
2023年度先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング, 2024年01月19日

Growth of ZnO thin films via sputtering of pressed targets in sub-atmospheric conditions
R. G. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. Vasquez Jr
5th International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines (ISVSP 2024), 2024年01月18日

Impact of Unintentional Boron Supply on Sapphire Nitridation Process for GaN Growth by Rf-MBE
T. Honda; K. Yajima; T. Yayama; T. Onuma; T. Yamaguchi
49th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-49), 2024年01月18日

In Situ Observation Using Synchrotron XRD-RSM in RF-MBE Growth of GaInN/GaN inserting LT-GaInN Buffer Layer
T. Yamaguchi; T. Sasaki; J. Takeuchi; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi
5th International Symposium of the Vacuum Society of the Philippines (ISVSP 2024), 2024年01月18日, ［招待有り］

MgNiO薄膜の抵抗率及び金属電極との接触抵抗に熱アニール処理が及ぼす影響
秋葉隆行; 石川明人; 村山衛; 佐々木公平; 倉又朗人; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第6回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2023年12月16日

ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO薄膜における180 nm帯室温発光の実現
小川広太郎; 高坂亘; 日下皓也; 三富俊希; 山口智広; 本田徹; 太田優一; 金子健太郎; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第6回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2023年12月16日

CTLM測定によるMgNiO薄膜と金属電極の接触抵抗に熱アニールが及ぼす影響の検討
秋葉隆行; 石川明人; 村山衛; 佐々木公平; 倉又朗人; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

Al、Ga、In添加MgO薄膜における欠陥形成が発光特性に与える影響
三富俊希; 高坂亘; 松田真樹; 小川広太郎; 日下皓也; 太田優一; 金子健太郎; 藤田静雄; 山口智広; 本田徹; 尾沼 猛儀
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

炭素フリー原料を用いたMist CVD成長Ga2O3の成長温度依存性
須藤誠; 山田魁; 山田琴乃; 杉谷諒; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

Mist CVD法によるアモルファスSiO2/Si基板上へのIn2O3成長
石川諒; 山本拓実; 相川慎也; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

Mist CVD法α-Ga2O3成長における成長機構の検討
山田琴乃; 山田梨詠; 山本拓実; 関口敦; 永井裕己; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

Mist CVD法によるSrTiO3基板上Cu3N成長の成長温度依存性
月岡知里; 吉田将吾; 永井裕己; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第15回大学コンソーシアム八王子, 2023年12月09日

Mist CVD法を用いたCu3N成長におけるエチレンジアミン添加の効果
吉田将吾; 永井裕己; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, 2023年12月06日

Mist CVD法によるβ-Ga2O3の高速成長への試み
杉谷諒; 山口智広; 佐々木公平; 倉又朗人; 本田徹; 尾沼猛儀
第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, 2023年12月06日

HCl援用Mist CVD法α-In2O3成長における成長機構に関する検討
山本拓実; 田口義士; 山田梨詠; 永井裕己; 関口敦; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, 2023年12月05日

Growth of Cu3N Films by Mist CVD with Ethylenediamine
S. Yoshida; K. Omura; H. Nagai; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
Summit of Materials Science 2023 and GIMRT User Meeting 2023, 2023年11月21日

Fabrication on GaInN nanocolumns LEDs on the underlying bulk GaInN
H. Akagawa; R. Shindo; J. Yamada; T. Yamaguchi; R. Togashi; T. Onuma; I. Nomura; T. Honda; K. Kishino
14th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-14), 2023年11月14日

Study on the in gap emissions form C, O ion implanted GaN films by photothermal deflection sp ectroscopy and photoluminescence
M. Sumiya; T. Saito; Y. Arai; I. Sakaguchi; T. Onuma; T. Honda
14th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-14), 2023年11月14日

Impact of In irradiation on RF MBE growths of high Al content AlGaN films on AlN templates
R. Nakamura; M. Hayasaki; Tomoya Yamaguchi; Tomohiro Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
14th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-14), 2023年11月14日

Growth temperature dependence of lattice relaxation process in RF MBE growth of GaInN with insertion of GaInN buffer layer on GaN
J. Takeuchi; T. Sasaki; G. Okuma; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; Y. Nanishi
14th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-14), 2023年11月14日

エチレンジアミンを加えたMist CVD 法によるCu3N薄膜の成長温度変化
吉田将吾; 永井裕己; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田 徹
The 10th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE10), 2023年11月04日

Structural, electrical and optical properties of alfa-In2O3 grown by mist chemical vapor deposition on (0001) alfa-Al2O3 substrate
T. Yamaguchi; A. Taguchi; K. Shima; T. Nagata; T. Yamamoto; Y. Hayakawa; M. Matsuda; T. Konno; T. Onuma; S. F. Chichibu; H. Honda
The 7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2023), 2023年11月02日

Phase Control of Copper Oxides by Changing Temperatures and Gas Types in Growth of Mist CVD
N. Sugita; S. Yoshida; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月20日

Fabrication of top-down and bottom-up MOSFET using α-In2O3 films grown by Mist CVD
Y. Hayashi; A. Taguchi; S. Yamadera; T. Yamamoto; S. Aikawa; T. Onuma; H. Honda; T. Yamaguchi
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Formation of ITO electrodes on InGaN-based p-n junction ordered nanocolumn arrays with different column periods
R. Shindo; H. Akagawa; T. Yamaguchi; R. Togashi; I. Nomura; T. Onuma; T. Honda; K. Kishino
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Comparison of α-particle Detection Property of α-Ga2O3 and α-GIO Alloys Grown by Mist CVD
Ka. Yamada; Ko. Yamada; Ri. Yamada; T. Yamamoto; T. Sakurai; R. Kudo; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Aoki; T. Nakano; T. Honda
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Realization of Cathodoluminescence in 190 nm Wavelength Range in Rocksalt-Structured MgZnO Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
K. Ogawa; W. Kosaka; H. Kusaka; Y. Ota; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Kaneko; S. Fujita; T. Onuma
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Study on high-speed growth of β-Ga2O3 by Mist CVD method
M. Sugitani; T. Yamaguchi; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Honda; T. Onuma
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Sn-doped α-Ga2O3 Films Grown Using Sn Source Solutions with Different Aging Times and Their Electrical Properties
Ko. Yamada; T. Yamamoto; R. Yamada; Ka. Yamada; H. Nagai; S. Aikawa; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

HCl-assisted Mist CVD Growth and Electrical Properties of α-In2O3 Films Using Various In-based Materials
T. Yamamoto; A. Taguchi; R. Yamada; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Optical transitions in rocksalt-structured MgZnO based metal-semiconductor-metal-type VUV sensor
H. Kusaka; K. Ogawa; T. Mitomi; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Relation between composition ratio and electrical properties in MgNiZnO films prepared by RF magnetron sputtering
A. Ishikawa; M. Murayama; T. Akiba; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 22th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22), 2023年10月19日

Impact of Thermal Annealing on Contact Resistance in MgxNi1-xO Films Studied by CTLM Measurements
T. Akiba; A. Ishikawa; M. Murayama; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
42th Electronic Materials Symposium, 2023年10月13日

Impact of Aging Variation of Source Precursor Solution in Mist CVD Growth of alpha-In2O3
T. Yamamoto; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
42th Electronic Materials Symposium, 2023年10月13日

Impact of Aging Variation of Sn Solution in Mist CVD Growth of Sn-doped alpha-Ga2O3 Thin Film
Ko. Yamada; T. Yamamoto; R. Yamada; Ka. Yamada; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
42th Electronic Materials Symposium, 2023年10月12日

Study on the radiative and non-radiative recombination form C, O ion-implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy
T. Saito; Y. Arai; M. Sumiya; I. Sakaguchi; T. Onuma; T. Honda
42th Electronic Materials Symposium, 2023年10月11日

alpha-GIO Alloy Growth by Mist CVD and its Application for Gamma-ray Detector
Ka. Yamada; Ko. Yamada; R. Yamada; T. Yamamoto; T. Sakurai; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Aoki; T. Nakano; T. Honda
42th Electronic Materials Symposium, 2023年10月11日

ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術
進藤隆太、赤川広海、山口智広、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、富樫理恵、岸野克巳
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日

(10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光
赤川広海; 山田純平; 山口智広; 富樫理恵; 尾沼猛儀; 野村一郎; 本田徹; 岸野克巳
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長－GaInNの成長温度依存性－
竹内丈; 佐々木拓生; 大熊豪; 横山晴香; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広; 名西憓之
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
山本拓実; 田口義士; 山田梨詠; 永井裕己; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
小川広太郎; 高坂亘; 日下皓也; 三富俊希; 山口智広; 本田徹; 太田優一; 金子健太郎; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討
山田魁、山田琴乃、山田梨詠、山本拓実、櫻井辰大、尾沼猛儀、山口智広、青木徹、中野貴之、本田徹
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化
山田琴乃; 山本拓実; 山田梨詠; 山田魁; 永井裕己; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

III族不純物ドープMgO薄膜の正孔捕獲中心
三富俊希; 高坂亘; 松田真樹; 小川広太郎; 日下皓也; 太田優一; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日

光熱偏向分光法によるC, Oイオン注入したGaNの評価
齋藤 太助; 新井 雄稀; 坂口 勲; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 角谷 正友
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日

エチレンジアミンを加えたMist CVD法によるCu3N薄膜成長
吉田 将吾; 大村 和世; 永井 裕己; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 正橋 直哉; 本田 徹
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日

各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
山本 拓実; 田口 義士; 山田 梨詠; 永井 裕己; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日

Growth of ⍺-(AlxGa1-x)2O3 by Suboxide Molecular-Beam Epitaxy
J. Steele; K. Azizie; N. Pieczulewski; J. McCandless; I. M. Kankanamge; M. D. Williams; H. Xing; D. Jena; D. Muller; T. Onuma; D. Schlom
The 37th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2023), 2023年09月18日

Impact of Post-growth Slow-cooling Process on the Growth of Rocksalt-structured MgZnO Films by Mist CVD
K. Ogawa; W. Kosaka; H. Kusaka; Y. Ota; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Kaneko; S. Fujita; T. Onuma
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), 2023年09月07日

micro-LEDの電流拡散層形成に向けたITO薄膜のドライエッチングの検討
山崎大和; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

光無線給電における可変焦点レンズ利用の可能性
醍醐和典; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

Mist CVD法α-GTO薄膜におけるSn溶液静置時間変化の影響
山田琴乃; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

RF-MBE法によりAlN基板上に成長した高Al組成AlGaN薄膜に及ぼすIn照射の効果
中村瑠香; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

GaまたはInドナー不純物添加によるMgO薄膜の発光特性への影響
三富俊希; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

ツインソースミストCVD法によるα-GIO混晶成長
山田魁; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

ナノコラムLEDにおける電極形成技術
進藤隆太; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月24日

ミストCVD法による岩塩構造MgZnO薄膜の結晶成長と室温真空紫外線発光の観測
小川広太郎; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月23日

Mist CVD法酸化銅成長におけるガス種と成長温度が与える影響
杉田直樹; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月23日

モノリシック集積-LEDにおける下部電極の電気的分離
藤井遥人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第45回光通信研究会, 2023年08月23日

RFマグネトロンスパッタ法により成膜したNiZnOの電気的特性評価
石川明人; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月23日

RF-MBE成長赤色発光MQWにおける下地層構造変更の効果
竹内丈; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月23日

In2O3薄膜を用いたMOSFET製作検討
林佑哉; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

RFマグネトロンスパッタ法により成膜したp型MgxNi1-xOと金属電極のCTLM法による接触抵抗評価
秋葉隆行; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

MistCVD法α-In2O3成長における原料溶液中のIn原料の状態に関する検討
山本拓実; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

Mist CVD法を用いたCu3N薄膜の光吸収係数の膜厚依存性
吉田将吾; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

岩塩構造MgZnO薄膜を用いたMSM型光センサーの受光感度特性
日下皓也; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

MistCVD法によるβ-Ga2O3成長の検討
杉谷諒; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

GaNのギャップ内準位における発光、非発光遷移に関する基礎検討
齋藤太助; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第45回光通信研究会, 2023年08月22日

Growth of ⍺-(AlxGa1-x)2O3 by Suboxide Molecular-Beam Epitaxy
J. Steele; K. Azizie; N. Pieczulewski; J. McCandless; D. A. Muller; H. G. Xing; D. Jena; T. Onuma; D. G. Schlom
The 6th U.S. Workshop on Gallium Oxide (GOX 2023), 2023年08月16日

Growth of AZO thin films from pressed-sintered powder targets under subatmospheric conditions
R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr.
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20), 2023年08月03日

Growth of GaInN/GaInN MQWs on nanocolumns with thick GaInN buffer layer using RF-MBE
H. Akagawa; J. Yamada; T. Yamaguchi; R. Togashi; T. Onuma; I. Nomura; T. Honda; and K. Kishino
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20), 2023年07月31日

Epitaxial Growth of a-(AlxGa1-x)2O3 by Suboxide Molecular-Beam Epitaxy at 1 μm/h
J. Steele; K. Azizie; J. McCandless; H. G. Xing; D. Jena; T. Onuma; and D. G. Schlom
65th Electronic Materials Conference (EMC-65), 2023年06月29日

Far UV optical properties of MgO homoepitaxial and Zn doped MgO films prepared by mist chemical vapor deposition method
T. Onuma; W. Kosaka; H. Kusaka; K. Ogawa; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD6), 2023年06月06日, ［招待有り］

Sub-bandgap transition in β-Ga2O3 crystals measured by photoluminescence excitation spectroscopy
T. Onuma; R. Adachi; K. Shoji; T. Yamaguchi; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Honda; and M. Higashiwaki
Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023), 2023年06月01日

Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積したSnOx薄膜におけるN2濃度の影響
川口拓真、渡辺幸太郎、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日

N2 および Ar/H2 アニールによる SnOx 薄膜の還元状態の比較
渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日

超ワイドバンドギャップ酸化物混晶のバリガ性能指数の評価
太田 優一; 金子 健太郎; 尾沼 猛儀; 藤田 静雄
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日

Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作
田口義士、山寺真理、山本拓実、林佑哉、村山衛、小川広太郎、本田徹、尾沼猛儀、金子健太郎、相川真也、藤田静雄、山口智広
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日

Mist CVD法による各種In系粉末を出発原料に用いたα-In2O3の成長機構に関する検討
山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日

ミストCVD法によるIII族ドープ岩塩構造MgZnO薄膜成長
松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル（II）
日下皓也、高坂亘、小川広太郎、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察
竹内丈、佐々木拓生、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

窒素RFパワー変化によるナノコラム結晶のGaInNバッファ層形状均一化の検討
赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

Sub-200 nm far-UV emission characteristics in rocksalt-structured MgZnO epitaxial films
T. Onuma; W. Kosaka; H. Kusaka; K. Ogawa; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; and T. Honda
15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2023), 2023年03月07日, ［招待有り］

Mist CVD成長a-Ga2O3薄膜の放射線検出応用に向けた基礎検討
山本拓実; 山田梨詠; 山田魁; 橋本真里; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広; 中野貴之
令和4年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会, 2023年03月03日

酸化ガリウムとその関連材料の物性に関する基礎研究 ~熱処理が発光特性に与える影響の調査~
尾沼猛儀; 庄司昂平; 足立龍汰; 山口智広; 佐々木公平; 倉又朗人; 本田徹; 東脇正高
2022年度先端ICTデバイスラボ技術交流会, 2023年02月21日

Control of Mesa Shape by ICP-RIE Condition to Fabricate Monolithically Integrated Micro-LEDs
Y. Yamazaki; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
International Display Workshops ‘22 (IDW ’22), 2022年12月16日

Structural analysis in epitaxial growth of GaInN by RF-MBE using XRD-RSM
J. Takeuchi; T. Sasaki; H. Yokoyama; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Growth and characterization of AlGaN and multiple quantum wells with varying III/V ratios by RF-MBE
M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Electrical property and valence band offset in conductive MgNiO on sapphire substrates
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

TEM evaluation of in-situ nitrogen plasma irradiated GaInN
A. Tokushige; S. Ohno; Y. Hayakawa; T. Honda; T. Onuma; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Realization of high mobility in α-In2O3 film grown by mist CVD with different concentration of In2O3 powder as source precursor
A. Taguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Roles of In doping in rocksalt-structured MgZnO films grown by mist CVD method
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Investigation on the stability of source solution for the α-In2O3 growth by mist CVD
T. Yamamoto; A. Taguchi; R. Yamada; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Study for composition control in mist CVD growth of α-GIO alloys
K. Yamada; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Growth of ZnO thin films via magnetron sputtering using a custom-made sintered target
R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Crystal growth of Cu3N by mist CVD with ethylenediamine
S. Yoshida; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Deposition Of Nitrogen-Doped Titanium Dioxide Thin Films Via Rf Magnetron Sputtering
M. M. Martinez; T. Onuma; H. Nagai; T. Honda; S. Aikawa; T. Yamaguchi; and M. R. Vasquez Jr
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Twin-free α-Ga2O3 films grown by mist CVD on (0001) α-Al2O3 substrates
R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月24日

Toward application of radiation detection in mist CVD growth of a-Ga2O3
R. Yamada; H. Nakagawa; T. Yamamoto; R. Hashimoto; T. Onuma; T. Honda; T. Aoki; T. Nakano; and T. Yamaguchi
The 7th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2022), 2022年11月25日

GaInN 系ナノコラム結晶におけるGaInN バッファ層上GaInN/GaInN MQWs 成長
赤川広海; 山田純平; 山口智広; 富樫理恵; 尾沼猛儀; 本田徹; 岸野克巳
第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2022年11月24日

Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜における高移動度の実現
田口義士; 尾沼猛儀; 後藤健; 金子健太郎; 本田徹; 熊谷義直; 藤田静雄; 山口智広
第5回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2022年11月18日

RFマグネトロンスパッタ法によるサファイア基板上に成膜したp形MgNiOの電気的特性及び価電子帯バンドオフセットの評価
村山衛; 石川明人; 山口智広; 本田徹; 佐々木公平; 倉又朗人; 尾沼猛儀
第5回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2022年11月18日

MgO薄膜へのInドーピングが発光特性に与える影響
高坂亘; 小川広太郎; 松田真樹; 日下皓也; 太田優一; 山口智広; 金子健太郎; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第5回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2022年11月18日

テーパーメサ構造μ-LEDの製作とアレイ構造への応用
山崎大和; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第5回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2022年11月18日

Fabrication of monolithic blue micro-LED pixels and formation of line electrodes on oblique surface of micro-LED pixels
H. Chikui; S. Takeda; T Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月17日

Photocurrent spectra of rocksalt-structured MgZnO films in vacuum UV spectral range
H. Kusaka; W. Kosaka; K. Ogawa; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日

Roles of In doped in MgZnO films grown by mist CVD method
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日

Local composition distribution in high Al content AlGaN/AlN quantum wells grown by RF-MBE
M. Hayasaki; Tomoya Yamaguchi; M. Hashimoto; Tomohiro Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Impact of change in V/III supply ratio on crystallinity and optical property in RF-MBE growth of High-Al Content AlGaN Under Metal-rich Conditions
M. Hayasaki; N. Tachibana; M. Hashimoto; Tomoya Yamaguchi; Tomohiro Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Impact of gas type on formation of twin structure in the growth of a-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition
R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Realization of near-band-edge cathodoluminescence in 190 nm wavelength range by rocksalt-structured MgZnO epitaxial films
T. Onuma; K. Ogawa; W. Kosaka; H. Kusaka; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Mist CVD 法 α-In2O3 成長における原料溶液中の反応に関する検討
山本拓実、永井裕己、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE 成長した Ga 極性及び N 極性 GaN 薄膜の比較検討
板橋大樹、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

in-situ 窒素プラズマ照射された MBE 成長 GaInN の TEM 評価
徳重明人、大野颯一朗、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

顕微フォトルミネッセンス分光による β-Ga2O3 結晶の微細構造の可視化検討
庄司昂平、嘉数誠、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法を用いた Cu3N 成長における原料溶液の検討
吉田将吾、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE による β-Ga2O3(-201)基板上への AlN 及び GaN 成長において成長前処理が成長層に及ぼす影響
山口朋也、早崎真洸、山口智広、本田徹、桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

岩塩構造 MgZnO/MgO ヘテロ接合の製作とバンドアライメント解析
松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE による GaInN 成長における歪み緩和制御
竹内丈、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法 α-Ga2O3成長時に形成される双晶抑制に関する研究
山田梨詠、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法により成長した酸化インジウムの高移動度化に伴う新機能開拓
田口義士、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Impact of RF power on electrical property of NiO films grown by RF magnetron spattering
Akito Ishikawa; M. Murayama; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日

Microstructural characterization of β-Ga2O3,crystals by photoluminescence mapping measurements
K. Shoji; M. Nakanishi; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日

Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist CVD
A. Taguchi; K. Kaneko; K. Goto; T. Onuma; T. Honda; Y. Kumagai; S. Fujita; T. Yamaguchi
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

P-type conductivity in MgxNi1-xO films deposited on sapphire substrates by RF magnetron sputtering
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

RF-MBE growth of Mg doped GaN on β-Ga2O3,(-201) substrates
T. Yamaguchi; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

Strain engineering of β-Ga2O3: Pulsed-laser deposition on (100) θ-Al2O3 templates and,impacts of compressive strain on physical properties
K. Koreishi; T. Soma; M. Kado; T. Onuma; and A. Ohtomo
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO4), 2022年10月24日

Schottky barrier height for Ga2O3 polymorphs: A simple estimation
Y. Ota; K. Kaneko; T. Onuma; and S. Fujita
41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月20日

Analyses of Band Alignment in Rocksalt-structured MgZnO/MgO Interface Grown by Mist CVD
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日

Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown by mist CVD method
A. Taguchi; T. Onuma; K. Goto; K. Kaneko; Y. Kumagai; T. Honda; S. Fujita; T. Yamaguchi
41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日

Importance of dissolving source precursor of Ga(C5H7O2)3 with HCl in mist CVD for α-Ga2O3 growth
R. Yamada; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM202), 2022年09月27日

InドープMgO薄膜の発光特性
高坂亘; 小川広太郎; 松田真樹; 日下皓也; 太田優一; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル
日下皓也; 高坂亘; 小川広太郎; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

ミストCVD法によるInドープMgZnO薄膜の成長
松田真樹; 小川広太郎; 太田優一; 山口智広; 金子健太郎; 藤田静雄; 本田徹; 尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響
山田梨詠; 小林篤; 上野耕平; 関口敦; 尾沼猛儀; 本田徹; 藤岡洋; 山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

RF-MBEによるInN緩衝層を用いたGaInNの格子緩和制御
板橋大樹、吉田 涼介、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日

その場XRD-RSM を用いたRF-MBE GaInNヘテロエピタキシャル成長における緩和過程観察
竹内丈; 佐々木拓生; 藤川誠司; 横山晴香; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広; 名西憓之
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日

Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
田口義士; 尾沼猛儀; 後藤健; 金子健太郎; 熊谷義直; 本田徹; 藤田静雄; 山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

Ar/N2混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化SnOx­­­の特性評価
川口拓真、渡辺幸太郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

窒素アニール還元反応によるSnOx薄膜の局所結合状態
渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

岩塩型MgZnO混晶のドーピング傾向の予測
太田優一; 金子健太郎; 尾沼猛儀; 藤田 静雄
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

Mist CVD法を用いたCu3N成長における安定した原料供給の検討
吉田将吾、山田魁、山口智広、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

Mist CVD 法における原料溶液中の反応がα-In2O3成長に与える影響
山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

Mist CVD法による(Ga1-xInx)2O3混晶成長の組成制御に向けた検討
山田魁、山田梨詠、田口義士、高橋昴、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

赤色ナノコラム成長におけるGaInNバッファ層のⅤ/Ⅲ族比依存性
赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果
山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西憓之、岸野克巳
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

RF-MBEによる低転位密度GaInNへ向けた多層膜緩衝層の製作
板橋大樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD法によるα-In2O3薄膜成長において出発原料種がキャリア濃度とホール移動度に与える影響
田口義士; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

ZnドープMgO薄膜におけるVUV発光の観測
高坂亘; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD法による高塩酸濃度領域におけるGIO混晶成長と構造評価
山田魁; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

その場 XRD-RSM測定によるGaInNヘテロエピタキシャル成長
竹内丈; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

RFマグネトロンスパッタによるサファイア基板上p形MgNiOの成膜と電気的特性の評価
村山衛; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

岩塩構造MgZnO/MgOヘテロ接合界面におけるバンドアライメント評価
松田真樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD法α-Ga2O3成長における出発原料の溶解法に関する研究
山田梨詠; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

顕微フォトルミネッセンス分光によるβ-Ga2O3結晶の微細構造評価
庄司昂平; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD 法を用いたCu3N成長における原料濃度依存性
吉田将吾; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

in-situ 窒素プラズマ照射GaInN表面上MBE再成長GaInNのTEM評価
徳重明人; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

β-Ga2O3(-201)基板へのAlNとGaNのRF-MBE成長
山口朋也; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

マイクロLED集積化におけるメサ側面の制御
山崎大和; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

ナノコラム成長におけるGaInNバッファ層のRFパワー依存性
赤川広海; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

高Al組成AlGaN薄膜とAlGaN/AlN量子井戸のRF-MBE成長と光学特性評価
早崎真洸; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD法における原料溶液の加熱がα-In2O3成長に与える影響
山本拓実; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

RFマグネトロンスパッタ法により成長したNiO薄膜の電気的特性にRF出力が与える影響
石川明人; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Mist CVD法によるIn2O3成長において成長温度が相制御に与える影響
伊藤史穏; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜のVUV領域での光電流スペクトル測定
日下皓也; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第44回光通信研究会, 2022年08月23日

Vacuum UV Emission Property of Zn-doped MgO films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method
W. Kosaka; K. Ogawa; K. Kusaka; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022), 2022年06月03日

岩塩構造MgZnOの結晶成長とサブ200 nmの発光特性評価
尾沼猛儀; 小川広太郎; 太田優一; 金子健太郎; 山口智広; 藤田静雄; 本田徹
第387回蛍光体同学会講演会, 2022年06月03日, ［招待有り］

Analyses of Band Alignment in Rocksalt-structured MgZnO/MgO Interface
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; and T. Onuma
The 5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD5), 2022年05月26日

Potentials of Future Ultra-Wide Bandgap Oxide Semiconductors
S. Fujita; K. Kaneko; and T. Onuma
The 5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD5), 2022年05月25日, ［招待有り］

Electrical Property and Band-offset in MgxNi1-xO Films Deposited on Sapphire Substrates by RF Magnetron Sputtering
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’22 (LEDIA ’22), 2022年04月21日

Vacuum UV Emission Property of Zn-doped MgO films
W. Kosaka; K. Ogawa; H. Kusaka; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda; and T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’22 (LEDIA ’22), 2022年04月21日

岩塩構造MgZnO/MgO界面におけるバンドアライメント解析
松田 真樹; 小川 広太郎; 太田 優一; 山口 智広; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2022年春季応用物理学会, 2022年03月26日

ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO薄膜の室温真空紫外線発光
小川 広太郎; 高坂 亘; 日下 皓也; 芹澤 和泉; 金子 健太郎; 山口 智広; 藤田 静雄; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2022年春季応用物理学会, 2022年03月26日

時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価
高坂 亘; 小川 広太郎; 日下 皓也; 金子 健太郎; 山口 智広; 嶋 紘平; 藤田 静雄; 本田 徹; 秩父 重英; 尾沼 猛儀
2022年春季応用物理学会, 2022年03月26日

β-Ga2O3(-201)基板へのAlNとGaNのRF-MBE成長
山口 朋也; 早崎 真洸1 橋本 真理; 山口 智広; 本田 徹; 桝谷 聡士; 佐々木 公平; 倉又 朗人; 尾沼 猛儀
2022年春季応用物理学会, 2022年03月25日

TEMによるMist CVD法α-Al2O3基板上α-In2O3の結晶構造解析
早川 優香; 大野 颯一朗; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 今野 豊彦
2022年春季応用物理学会, 2022年03月25日

出発原料にIn2O3パウダーおよびIn(acac)3を用いたMist CVD法によるα-In2O3成長と電気的特性評価
田口 義士; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
2022年春季応用物理学会, 2022年03月25日

RF-MBEによる多層膜緩衝層を⽤いた低転位密度GaInNの製作
板橋 大樹; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹
2022年春季応用物理学会, 2022年03月24日

RF-MBE法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸成長と発光特性の評価
早崎 真洸; 橋本 真里; 山口 朋也; 山口 智広; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2022年春季応用物理学会, 2022年03月24日

スピネル構造MgX2O4(X=Al,Ga,In)混晶のバンドエンジニアリング
太田 優一; 金子 健太郎; 尾沼 猛儀; 藤田 静雄
2022年春季応用物理学会, 2022年03月23日

Fabrication of far-UV emitter around 200 nm using ultrawide bandgap semiconductors
T. Onuma; W. Kosaka; M. Hashimoto; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; and T. Honda
The 9th Advanced Functional Materials & Devices & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (9thAFMD&4thSCREST2022), 2022年03月05日, ［招待有り］

Impact of Ga1-xInxN underlayer for growth of Ga1-yInyN/Ga1-xInxN MQW structure
T. Yamaguchi; K. Tahara; J. Yamada; T. Sasaki; H. Yokoyama; T. Onuma; T. Honda; Y. Nanishi; and K. Kishino
The 9th Advanced Functional Materials & Devices & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (9thAFMD&4thSCREST2022), 2022年03月05日, ［招待有り］

Spatially resolved cathodoluminescence studies on α-In2O3 films grown by mist CVD method
A. Taguchi; K. Shima; M. Matsuda; T. Onuma; T. Honda; S. F. Chichibu; and T. Yamaguchi
The 9th Advanced Functional Materials & Devices & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (9thAFMD&4thSCREST2022), 2022年03月05日

RF-MBEによる格子緩和制御層上高In組成GaInN MQWの成長と評価
松田真樹; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日

ミストCVD法におけるGa2O3薄膜成長の塩酸濃度とガス種依存性
山田梨詠; 髙橋昴; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日

Mist CVD成長α-In2O3薄膜の電気的特性評価
田口義士; 金子健太郎; 藤田静雄; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日

真空紫外域で発光する岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
小川広太郎; 高坂亘; 工藤幹太; 芹澤和泉; 山口智広; 本田徹; 金子健太郎; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日

RFマグネトロンスパッタ中の酸素プラズマの状態が酸化ニッケルの抵抗率に与える影響
村山衛; 石川明人; 山口智広; 本田徹; 佐々木公平; 倉又朗人; 尾沼猛儀
第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2021年12月23日

Oxygen vacancy generation in CaF2-doped In2O3 transparent conductive film in terms of bond-dissociation energy
K. Oe; S. Mori; K. Watanabe; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and S. Aikawa
Material Research Meeting 2021 (MRM2021), 2021年12月16日

p-type conversion of n-type SnOx thin-films by post-deposition N2 annealing
K. Watanabe; T. Kawaguchi; N. Wakabayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and S. Aikawa
Material Research Meeting 2021 (MRM2021), 2021年12月14日

岩塩構造MgZnOの200nm発光、Far-UVへの展望
尾沼猛儀
ワイドギャップ半導体学会（WideG）,第４回研究会,「新領域レーザ、発光素子の進展、極限追求と応用展開：深紫外発光素子の新展開と応用展開」, 2021年12月10日, ［招待有り］

Growth and Optical Characteristics of High-AlN Content AlGaN on AlN Templates by RF-MBE Under Metal-rich Conditions
M. Hayasaki; N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
Materials Research Society, 2021 Fall Meeting & Exhibit, 2021年12月09日

Al flux control in growth of AlN on AlN templates by RF-MBE
T. Yamaguchi; N. Tachibana; M. Hashimoto; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
Materials Research Society, 2021 Fall Meeting & Exhibit, 2021年12月09日

ミストCVD法により成長したRS-MgZnOにおける深紫外PL寿命の評価
高坂亘; 工藤幹太; 石井恭平; 小野瑞生; 金子健太郎; 山口智広; 嶋紘平; 小島一信; 藤田静雄; 本田徹; 秩父重英; 尾沼猛儀
第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会, 2021年12月09日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛MSM型真空紫外センサーの受光感度の温度依存性
日下皓也; 高坂亘; 小川広太郎; 金子健太郎; 藤田静雄; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

micro-LED集積化における側面の制御による電極の形成
山崎大和、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

InドープMgZnO薄膜のミストCVD成長
松田真樹; 小川広太郎; 太田優一; 山口智広; 金子健太郎; 藤田静雄; 本田徹; 尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

RF-MBEによるβ-Ga2O3(-201)基板へのMgドープGaNヘテロ構造の製作
山口朋也、早崎真洸、橋本真理、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

ミストCVD法により成膜したInドープMgO薄膜の発光特性
高坂亘; 小川広太郎; 松田真樹; 日下皓也; 太田優一; 金子健太郎; 藤田静雄; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

RF-MBE法によるAlGaN/AlNヘテロ構造と量子井戸構造の成長と評価
早崎真洸; 山口朋也; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

Mist CVDβ型酸化ガリウム成長に塩酸が与える影響
杉谷諒、田口義士、山田梨詠、山本拓実、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

Mist CVDを用いたGTO薄膜成長におけるSnドープ量変化の影響
山田琴乃、山田梨詠、尾沼猛儀、本田徹、永井裕己、山口智広
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

ミストCVDにおけるGa2O3薄膜の成長特性
山田梨詠; 髙橋昴; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第13回大学コンソーシアム八王子, 2021年12月03日

出発原料に酸化インジウムパウダーを用いたMist CVD法による酸化インジウム薄膜成長
田口義士; 高橋昴; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第13回大学コンソーシアム八王子, 2021年12月03日

Mist CVD 法によるα-In2O3成長に及ぼす原料溶液混合経過時間の影響
山本拓実; 田口義士; 永井裕己; 関口敦; 尾沼猛儀; 本田徹; 佐藤光史; 山口智広
第13回大学コンソーシアム八王子, 2021年12月03日

石英ガラス基板上岩塩構造MgZnOにおける殺菌用UVC発光
高坂亘; 工藤幹太; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第13回大学コンソーシアム八王子, 2021年12月03日

赤色発光LEDの製作に向けたRF-MBEによる緩和制御層上GaInN周期構造の成長と評価
松田真樹; 吉田涼介; 田原開悟; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第13回大学コンソーシアム八王子, 2021年12月03日

Fabrication of Line Electrodes on Oblique Surface of Micro-LED Pixels and Impact on Their Characteristics
H. Chikui; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
International Display Workshops ‘21 (IDW ’21), 2021年12月02日

Carrier gas type dependence of Ga2O3 thin film grown by mist Chemical Vapor Deposition
R. Yamada; S. Takahashi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月24日

Growth of GaInN multi quantum well on strain controlled layer by RF-MBE toward realization of light emitting diodes operating in red spectral region
M. Matsuda; R. Yoshida; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月24日

Improvement of Electrical Property of α-In2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Using In2O3 Powder as Source Precursor
A. Taguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Residual strain in GaN nanocolumns grown on Si(111)
N. Goto; Y. Hosoya; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Identification of Killer Defects in β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes by Raman Mapping Measurements
M. Nakanishi; K. Shoji; S. Masuya; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Relationship between resistivity of NiO thin films and oxygen plasma condition at different deposition pressures
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Well width dependence on residual strain in high In composition GaInN/GaInN MQW by RF-MBE
K. Tahara; J. Yamada; T. Yamaguchi; Y. Nanishi; T. Onuma; T. Honda; and K. Kishino
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Emission Properties of Rocksalt-structured MgZnO Microcrystals for VUV Light Emitter
W. Kosaka; S. Hoshi; K. Kanta; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Impact on InN Buffer Layer Inserted into GaInN/GaN Interfaces By RF-MBE
D. Itabashi; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 20th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-20), 2021年11月23日

Impacts of hydrochloric acid concentration and growth temperature on mist chemical vapor deposition growth of Ga2O3
R. Yamada; S. Takahashi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
The 6th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2021), 2021年11月11日

Role of Ca in CaF2 incorporated In2O3 transparent conductive films
K. Oe; S. Mori; K. Watanabe; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and S. Aikawa
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月29日

Demonstration of flexible transparent conductive film using B-doped In2O3
S. Mori; Y. Ichinoseki; K. Watanabe; K. Murano; K. Oe; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and S. Aikawa
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月29日

Charge transfer and conduction type conversion in n-type SnO2 thin films by nitrogen annealing
K. Watanabe; T. Kawaguchi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; and S. Aikawa
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), 2021年10月26日

Evaluation of radiation detection characteristics by alfa-Ga2O3
H. Nakagawa; R. Yamada; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Nakano; and T. Aoki
The 19th International Conference on Global Research and Education inter-Academia 2021, 2021年10月21日

Valence band modulation in MgO1-xYx (Y = S, Se) alloys
Y. Ota; K. Kaneko; T. Onuma; and S. Fujita
40th Electronic Materials Symposium, 2021年10月11日

Impact of oxygen plasma condition on resistivity of RF magnetron sputtered NiO thin films
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
40th Electronic Materials Symposium, 2021年10月11日

Evaluation of Microstructures in β-Ga2O3 Crystals Using Raman Mapping
M. Nakanishi; K. Shoji; S. Masuya; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; and T. Onuma
40th Electronic Materials Symposium, 2021年10月11日

緩和制御層上GaInN周期構造のRF-MBE成長と評価
松田 真樹; 吉田 涼介; 田原 開悟; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月23日

緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価
庄司 昂平; 中西 雅彦; 桝谷 聡士; 佐々木 公平; 倉又 朗人; 嘉数 誠; 本田 徹; 山口 智広; 尾沼 猛儀
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月21日

MgSxO1-x混晶のバンドアライメント
太田 優一; 金子 健太郎; 尾沼 猛儀; 藤田 静雄
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月13日

ミスト化学気相成長法における塩酸と成長温度が酸化ガリウム成長に与える影響
山田 梨詠; 髙橋 昴; 関口 敦; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月13日

Mist CVD法による酸化インジウムパウダーを用いたα-In2O3成長
田口 義士; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 山口 智広
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月13日

CaF2ドープIn2O3透明導電膜における表面ラフネスおよび導電率のドーパント濃度依存性
大榮 海斗; 森 峻; 渡辺 幸太郎; 永井 裕己; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 相川 慎也
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

窒素アニールによるn型SnO2薄膜の電荷移動と伝導型変換
渡辺 幸太郎; 川口 拓真; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 相川 慎也
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

MgO単結晶の真空紫外励起子スペクトル
尾沼 猛儀; 高坂 亘; 工藤 幹太; 太田 優一; 山口 智広; 金子 健太郎; 藤田 静雄; 本田 徹
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

195 nmで発光する岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
小川 広太郎; 高坂 亘; 工藤 幹太; 芹澤 和泉; 金子 健太郎; 山口 智広; 藤田 静雄; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

ZnドープMgO薄膜の発光特性
高坂 亘; 小川 広太郎; 金子 健太郎; 山口 智広; 藤田 静雄; 本田 徹; 尾沼 猛儀
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

BドープIn2O3透明導電膜における微量不純物濃度での移動度向上
森 峻; 一関 夢希也; 渡辺 幸太郎; 大榮 海斗; 永井 裕己; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 相川 慎也
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月12日

RF-MBE法によるGaInN/GaInN多重量子井戸成長と評価
田原 開悟; 山田 純平; 山口 智広; 名西 憓之; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 岸野 克巳
2021年秋季応用物理学会, 2021年09月10日

CaF2ドープIn2O3透明導電膜におけるCaとFの効果
大榮海斗; 渡辺幸太郎; 永井裕己; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹; 相川慎也
日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月03日

窒素アニールによるn型SnOx薄膜の伝導型変換
渡辺幸太郎; 川口拓真; 若林那旺; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹; 相川慎也
日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月03日

BドープIn2O3透明導電膜におけるドーパント濃度の依存性
森峻; 渡辺幸太郎; 大榮海斗; 山口智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹; 相川慎也
日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム, 2021年09月02日

成長初期にSi層を挿入したGaInN膜のin-situおよびex-situ構造観察
横山晴香; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

フォトルミネッセンスマッピングによる酸化ガリウム結晶の構造欠陥評価
庄司昂平; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

RF-MBEによるInN緩衝層を用いた高In組成GaInN薄膜の格子緩和制御
板橋大樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

MgOとAlNの放射パターンの比較
猪狩有生; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

岩塩構造MgZnO微結晶におけるVUV発光の観測
高坂亘; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

Mist CVD法による原料溶液中の塩酸濃度がGa2O3成長に与える影響
山田梨詠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

赤色発光をめざしたRF-MBEによる緩和制御層上GaInN周期構造の成長と評価
松田真樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

RF-MBEによるAlN ホモエピタキシャル成長におけるAlフラックス制御
山口朋也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

NiO薄膜のRFマグネトロンスパッタ成膜における酸素ラジカル発光強度と抵抗率の関係
村山衛; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

不均一Al組成AlGaNのRF-MBE成長過程の検討
早崎真洸; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

Mist CVD 成長α-In2O3における出発原料にIn2O3パウダーを用いた影響
田口義士; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月11日

Mist CVD法(0001)α-Al2O3基板上α-In2O3の微細構造解析
早川優香; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

マイクロLEDディスプレイ応用のための透明ポリイミド薄膜の形成
岩田善行; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

AlN/AlGaN深紫外線センサーの微細化と薄層化検討
橋本真里; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造の可視化
中西雅彦; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

高In組成GaInN多重量子井戸構造の成長
田原開悟; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

ライン電極を形成したμ-LEDピクセルの製作と評価
筑井大義; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

Si基板を用いた自己形成GaNナノコラム構造の製作
後藤尚輝; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第43回光通信研究会, 2021年08月10日

VUV Emission Properties Of Rocksalt-structured MgZnO Microcrystals Prepared On Quartz Glass Substrates
W. Kosaka; K. Kudo; Y. Igari; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma; S. Hoshi; K. Kanako; and S. Fujita
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日

Growth Of AlGaN On AlN Template By RF-MBE And Deep UV Sensor Characteristics
M. Hashimoto; N. Tachibana; M. Nakanishi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma; and J. Cho
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日

Mist CVD Growth Of Alpha-In2O3 Films Using Indium Oxide Powder As Source Precursor
A. Taguchi; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda; S. Fujita; and K. Kaneko
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), 2021年05月11日

In situ XRD RSM measurements in MBE growth of GaInN film with low‐temperature GaInN buffer layer
T. Yamaguchi; T. Sasaki; T. Kiguchi; S. Ohno; H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Onuma; T. Honda; M. Takahasi; T. Araki; and Y. Nanishi
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021年05月02日

Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of α-In2O3 films on α-Al2O3 substrates
T. Yamaguchi; T. Nagata; S. Takahashi; T. Kiguchi; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; K. Goto; Y. Kumagai; K. Kaneko; and S. Fujita
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021年05月02日

Energy conversion efficiency under different input electrical power conditions in visible-LED-based OWPT system
H. Yokoyama; N. Yosuke; T. Yamaguchi; T. Miyamoto; T. Onuma; and T. Honda
The 3rd Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference 2021 (OWPT2021), 2021年04月20日

Deep UV optical properties of high-Mg-content rocksalt-structured MgZnO
T. Onuma; K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
Materials Research Society, 2021 Spring Meeting, 2021年04月18日, ［招待有り］

顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価
中西 雅彦; 飯塚 万友; 庄司 昂平; 桝谷 聡士; 嘉数 誠; 山口 智広; 本田 徹; 佐々木 公平; 倉又 朗人; 尾沼 猛儀
2021年春季応用物理学会, 2021年03月19日

GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化
横山晴香; 山口智広; 佐々木拓生; 大野颯一朗; 木口賢紀; 比留川大輝; 藤川誠司; 高橋正光; 尾沼猛儀; 本田徹
2021年春季応用物理学会, 2021年03月18日

合成石英基板上に成長した岩塩構造 MgZnO 微結晶の真空紫外域での発光特性
高坂 亘; 星 翔馬; 工藤 幹太; 猪狩 有生; 金子 健太郎; 山口 智広; 藤田 静雄; 尾沼 猛儀
2021年春季応用物理学会, 2021年03月18日

モノリシック青色マイクロLEDピクセルの製作とフルカラー化の検討
筑井 大義; 武田 翔馬; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 本田 徹
2021年春季応用物理学会, 2021年03月17日

岩塩構造MgZnO 混晶の電子有効質量の推定
太田 優一; 金子 健太郎; 尾沼 猛儀; 藤田 静雄
2021年春季応用物理学会, 2021年03月17日

TEMによるMist CVD法 (0001)α-Al2O3基板上α-In2O3の欠陥解析
早川 優香; 大野 颯一朗; 山口 智広; 木口 賢紀; 高橋 昴; 横尾 浩和; 尾沼 猛儀; 本田 徹
2021年春季応用物理学会, 2021年03月16日

Developments of Semiconductor-based UVC Emitters and Sensors for Sterilization
T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日, ［招待有り］

Impact of hydrochloric acid on the Mist CVD growth of Ga2O3
R. Yamada; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日

Impact of Indium Oxide Powder as Source Precursor on alfa-In2O3 Films Grown by Mist CVD
A. Taguchi; S. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日

Characterization of GaInN multi-layers grown on strain-controlled layer by RF-MBE
M. Matsuda; R. Yoshida; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 3rd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-3rd), 2021年03月05日

殺菌応用を目指した真空・深紫外線半導体発光材料の開発
尾沼猛儀; 工藤幹太; 小野瑞生; 橘直純; 橋本真里; 石井恭平; 太田優一; 金子健太郎; 山口智広; 藤田静雄; 本田徹
応用物理学会関西支部2020年度第1回＋第2回合同講演会「工業的空間殺菌技術の最前線」, 2021年01月27日, ［招待有り］

Fabrication of monolithic blue μ-LED pixels and their color conversion by phosphors
H. Chikui; S. Takeda; T. Abe; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日

Radiation patterns of MgO and AlN evaluated by angle-resolved cathodoluminescence measurements
Y. Igari; K. Kudo; W. Kosaka; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日

Parametric study of fabrication processes of micro-LEDs array and characterization of emission properties
S. Takeda; H. Chikui; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 19th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-19), 2021年01月14日

RF-MBE法による高In組成GaInN/GaInN周期構造の成長と評価
田原 開悟,吉田涼介,比留川大輝,山口智広,尾沼猛儀,本田徹
第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日

Mist CVD法における(0001)α-Al2O3基板上In2O3成長に塩酸が与える影響
高橋昴; 山口智広; 木口賢紀; 関口敦; 金子健太郎; 藤田静雄; 永井祐己; 佐藤光史; 尾沼猛儀; 本田徹
第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日

窒素イオン注入による酸化ガリウム結晶の光電流スペクトルの変化
中西雅彦; ワンマンホイ; 山口智広; 本田徹; 東脇正高; 尾沼猛儀
第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日

ICP-RIEによるモノリシック青色μ-LEDピクセルの製作
筑井大義; 武田翔馬; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日

AlNテンプレート上のAlGaNの分極電場と深紫外線センサー特性の関係
橋本真里; 橘直純; 中西雅彦; Jaehee Cho; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2020年12月23日

Designing optically isolated LED arrays embedded in Si Micro-cup Substrates
K. Sato; Y. Iwata; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
International Display Workshops ‘20 (IDW ’20), 2020年12月10日

マイクロLEDディスプレイ応用のための透明ポリイミド薄膜の形成
岩田善行; 佐藤滉太; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第12回大学コンソーシアム八王子, 2020年12月05日

酸化物半導体MgZnOの結晶成長とサブ200 nmの発光特性
尾沼猛儀; 工藤幹太; 石井恭平; 小野瑞生; 太田優一; 金子健太郎; 山口智広; 藤田静雄; 本田徹
応用物理学会第結晶工学分科会１５３回研究会「紫外材料・デバイス開発の最前線～結晶成長の理解とデバイス開発～」, 2020年11月19日, ［招待有り］

人にやさしい深紫外線光源の開発
Y. Igari; K. Kudo; T.Onuma
The 7th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE7), 2020年10月30日

Comparison of Microstructures in alpha-Ga2O3 and alpha-In2O3 Films Grown on alpha-Al2O3 Substrates by Mist CVD
Y. Hayakawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; S.Takahashi; H. Yokoo; T. Onuma; and T. Honda
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日

Band alignment of MgZnO alloys and the related band offset calculations
Y. Ota; K. Kaneko; T. Onuma; and S. Fujita
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日

Growth of AlGaN on AlN Template by RF-MBE and Their Spectral Responsivity in Deep UV Spectral Region
M. Hashimoto; N. Tachibana; M. Nakanishi; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日

Relationship between crystallinity and emission property in RF-MBE growth of GaN
N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月08日

RF-MBE growth and characterization of high-In-content GaInN/GaInN multiple layers
K. Tahara; R. Yoshida; H. Hirukawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月07日

Deep and Vacuum UV Emission Properties in Rocksalt-structured MgZnO
T.Onuma; K.Kudo; K.Ishii; M.Ono; Y.Ota; K.Kaneko; T.Yamaguchi; S.Fujita; and T.Honda
39th Electronic Materials Symposium, 2020年10月07日, ［招待有り］

GaNのRF-MBE成長における結晶性と発光特性の関係
橘直純; 橋本真里; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月11日

RF-MBE成長した高In組成GaInN/ GaInN多重量子井戸における障壁層のIn組成と周期数が発光特性へ及ぼす影響
吉田 涼介; 比留川 大輝; 大野 颯一朗; 田原 開悟; 山口 智広; 尾沼 猛儀; 本田 徹
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月11日

GaInN/GaN成長時の格子緩和に対するSiアンチサーファクタントの効果
横山 晴香; 山口 智広; 佐々木 拓生; 大野 颯一朗; 木口 賢紀; 比留川 大輝; 藤川 誠司; 高橋 正光; 尾沼 猛儀; 本田 徹
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月11日

溶媒キャスト法を用いたLED素子分離用透明ポリイミド絶縁膜の形成
佐藤 滉太; 尾沼 猛儀; 山口 智広; 本田 徹
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月11日

酸化ガリウム結晶への窒素イオン注入が分光感度特性に及ぼす影響
中西 雅彦; ワン マンホイ; 山口 智広; 本田 徹; 東脇 正高; 尾沼 猛儀
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月09日

岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価
工藤 幹太; 石井 恭平; 小野 瑞生; 金子 健太郎; 山口 智広; 嶋 紘平; 小島 一信; 藤田 静雄; 本田 徹; 秩父 重英; 尾沼 猛儀
2020年秋季応用物理学会, 2020年09月09日

UVC～真空紫外発光を目指すMgZnOの研究
星翔馬; 工藤幹太; 尾沼猛儀; 本田徹; 金子健太郎; 藤田静雄
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 第1回研究会, 2020年08月01日

Optical characteristics of high–indium–content GaInN MQWs grown on different templates by RF–MBE
R. Yoshida; H. Hirukawa; K. Tahara; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日

Structural analyses of α-In2O3 grown on α-Al2O3 substrates by mist CVD
Y. Hayakawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; H. Yokoo; T. Onuma; T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日

Fabrication of μ-LED pixels and evaluation of luminescent characteristics
H. Chikui; S. Takeda; K. Sato; T. Onuma; T. Yamaguchi; M. Shimizu; T. Takahashi; T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日

Growth of AlGaN films on AlN template by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy
M. Hashimoto; N. Tachibana; T. Honda; T. Yamaguchi; T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’20 (LEDIA ’20), 2020年04月21日

Power Supply Efficiency of Optical Wireless Power Transmission Systems Using Visible LEDs and Silicon Solar Cells
H. Yokoyama; T. Yamaguchi; T. Onuma; R. Yoshida; Y. Ushida; T. Honda
Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference 2020 (OWPT2020), 2020年04月21日

RF-MBEサファイア基板窒化時にPBN放電管が与える影響
矢島賢一; 桑原尚人; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2020年春季応用物理学会, 2020年03月15日

ポリイミド薄膜を用いたLED素子分離の検討
佐藤滉太; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2020年春季応用物理学会, 2020年03月14日

窒素イオン注入酸化ガリウム結晶の光電流スペクトル
中西雅彦; ワン マンホイ; 山口智広; 本田徹; 東脇正高; 尾沼猛儀
2020年春季応用物理学会, 2020年03月13日

GaInN/GaN 規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係
吉田圭吾; 滝本啓司; 富樫理恵; 野村一郎; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹; 岸野克巳
2020年春季応用物理学会, 2020年03月13日

RF-MBE法によるGaN及びAlNテンプレートへのGaN成長にV/III比が及ぼす影響
橘直純; 橋本真里; 山口智弘; 本田徹; 尾沼猛儀
2020年春季応用物理学会, 2020年03月13日

岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光
工藤幹太; 石井恭平; 小野瑞生; 金子健太郎; 山口智広; 嶋紘平; 小島一信; 藤田静雄; 本田徹; 秩父重英; 尾沼猛儀
2020年春季応用物理学会, 2020年03月12日

DUV cathodoluminescence in rocksalt-structured MgZnO films
T. Onuma; M. Ono; K. Kudo; K. Ishii; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda
The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020,,OPTO, the optoelectronics, photonic materials and devices conference, 2020年02月05日, ［招待有り］

Epitaxial relationship of Cu3N grown on YSZ(001) substrate by mist CVD method
N. Wakabayashi; R. Takigasaki; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
47th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-47), 2020年01月22日

Optical characteristics of high-In-incorporated GaInN MQWs grown by RF-MBE
R. Yoshida; Y. Nakajima; H. Hirukawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日

LED miniaturization for monolithic μ-LED using ICP etching
S. Takeda; T. Yanaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日

Structural characterization of epitaxial GaInN films by X-ray diffraction
H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日

Microstructural analysis using TEM in GaInN film grown by RF-MBE
S. Ohno; H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Kiguchi; H. Hashimoto; T. Onuma; T. Honda
The 18th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-18), 2019年12月13日

Toward the Realizaiton of Optical Wireless Power Transmission System Using Visible Light
T. Yamaguchi; H. Hirukawa; H. Yokoyama; S. Ohno; Y. Ushida; T. Onuma; T. Honda
2019 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2019), 2019年12月12日, ［招待有り］

Mist CVD法によるGa2O3成長に塩酸が与える影響
高橋昴; 力武健一朗; 山口智広; 永井裕己; 佐藤光史; 尾沼猛儀; 本田徹
第11回大学コンソーシアム八王子, 2019年12月07日

Si基板上GaNナノコラム構造への低温層挿入による結晶品質向上の検討
細谷優人; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2019年11月20日

高品質GaInN薄膜製作に向けたRF-MBE法により成長したGaN薄膜の不純物検討
矢島賢一; 桑原尚人; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2019年11月20日

RF-MBE法によるGaNテンプレート上へのAlGaN成長におけるGaNバッファ層のV/III比依存性の検討
橘直純; 橋本真里; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀
第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2019年11月20日

分子プレカーサー法を用いたスプレーコートによるZnO 薄膜形成の検討
一之瀬嗣人; 永井裕己; 山口智広; 尾沼猛儀; 佐藤光史; 本田徹
第2回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2019年11月20日

Deep UV cathodoluminescence properties of rocksalt-structured MgZnO alloys
T.Onuma; M.Ono; K.Kudo; K.Ishii; K.Kaneko; S.Fujita; and T.Honda
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), 2019年11月13日, ［招待有り］

VUV Exciton Emission Spectra of MgO Single Crystals
K.Kudo; S.Hoshi; M.Ono; Y.Fujiwara; K.Kaneko; T.Yamaguchi; T.Honda; S.Fujita; and T.Onuma
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), 2019年11月12日

Optical-isolation of micro-LED pixels integrated in Si micro-cup substrate
K.Sato; Y.Kamei; R.Nawa; S.Aikawa; Y.Usida; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), 2019年11月11日

Red Emitting InGaN-based Ordered Nanocolumns Exhibiting Photonic Crystal Effects at 671 nm
K.Takimoto; K.Narita; K.Yoshida; T.Oto; T.Yamaguchi; T.Honda; T.Onuma; R.Togashi; I.Nomura; and K.Kishino
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), 2019年11月11日

InGaN/GaNハニカム構造ナノコラム結晶の成長と評価
吉田圭吾; 今村暁; 滝本啓司; 富樫理恵; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹; 岸野克巳
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）, 2019年10月31日

Growth and optical characterization of ultra-wide bandgap semiconductors for solid-state DUV and VUV light emitters
N.Tachibana; K.Kudo; T.Onuma
The 6th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE6), 2019年10月30日

RF-MBEによるGaInN薄膜の成長温度特性
比留川大輝; 吉田涼介; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2019年日本表面真空学会学術講演会, 2019年10月29日

Optical characteristics of high In composition GaInN MQWs grown by RF-MBE
R. Yoshida; Y. Nakajima; H. Hirukawa; S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月10日

Epitaxial relationship in Cu3N layer grown on c-plane sapphire substrate by Mist CVD
N. Wakabayashi; M. Takahashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月10日

Impact of hydrochloric acid on mist CVD growth of GIO ternary alloys
S. Takahashi; K. Rikitake; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma; T. Honda
38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月09日

Comparative study on DUV emission properties of rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys
K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
38th Electronic Materials Symposium, 2019年10月09日

Characterization of MgZnO Thin Films for Deep Ultraviolet Light Emitters
S. Fujita; S. Hoshi; K. Ishii; M. Ono; K. Kudo; T. Onuma; T. Honda; and K. Kaneko
The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, 2019年10月02日, ［招待有り］

MgO薄膜のホモエピタキシャル成長および光学特性
星翔馬; 工藤幹太; 尾沼猛儀; 本田徹; 金子健太郎; 藤田静雄
2019年秋季応用物理学会, 2019年09月20日

RF-MBE成長した高In組成GaInN MQWsの光学特性
吉田涼介; 中島裕亮; 比留川大輝; 大野 颯一郎; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2019年秋季応用物理学会, 2019年09月18日

MgO単結晶の真空紫外線領域のカソードルミネセンススペクトル
工藤幹太; 星翔馬; 小野瑞生; 藤原有基; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
2019年秋季応用物理学会, 2019年09月18日

Observation of deep UV cathodoluminescence from rocksalt-structured MgZnO alloys
T. Onuma; M. Ono; K. Kudo; K. Ishii; K. Kaneko; S. Fujita; T. Hond
The 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD4), 2019年09月10日, ［招待有り］

スプレー塗布によるMgZnO薄膜形成の検討
一之瀬嗣人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

16x16array構造のSiマイクロカップ基板を用いたマイクロLEDディスプレイ実現に向けた製作検討
佐藤滉太; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

RF-MBEによりGaN/alfa-Al2O3上に異なる温度で成長させたGaInNの構造解析
大野颯一朗; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

ミストCVD法により成長した各種基板上In2O3の結晶構造と電気的特性評価
横尾浩和; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

誘導結合プラズマを用いたモノリシック型-LEDの製作検討
武田翔馬; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

RF-MBE法により成長したN極性GaN薄膜の不純物検討
矢島賢一; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

RF-MBEにより成長させたInGaN/GaNハニカム構造ナノコラム結晶の光学特性評価
吉田圭吾; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

RF-MBEにより成長したGa極性GaN薄膜の電気的特性評価
桑原尚人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

Si基板上GaNナノコラム構造製作における低温層挿入による結晶形状への影響
細谷優人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

Sapphire基板上GaNのPDS測定による価電子帯構造及び透過率測定における相関性について
矢代秀平; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月28日

AlGaN成長におけるバッファGaN成長条件の検討
橘直純; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

RF-MBE成長した高In組成GaInN周期構造の光学特性
吉田涼介; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

RS-MgZnO/MgOの量子閉じ込め効果の検討
工藤幹太; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

可視光給電デバイスのためのMBEによるGaInN成長温度特性
比留川大輝; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

Mist CVD法により成長したGIO三元混晶の塩酸濃度依存特性
高橋昴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

ミストCVD法によるCu3Nエピタキシ成長と構造評価
若林那旺; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第42回光通信研究会, 2019年08月27日

Optical Transitions in beta-Ga2O3 Single Crystal Studied by Electroreflectance Measurements
T.Onuma; K.Tanaka; K.Sasaki; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; S.Yamakoshi; and M.Higashiwaki
The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2019年08月15日

In Situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN at Different Temperatures
T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; S. Ohno; T. Araki; Y. Nanishi; T. Onuma; T. Honda
13th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月11日

Fabrication of LED Pixels of 16 × 16 Array Structure Using Si Micro-Cup Substrate
K. Sato; Y. Kamei; R. Nawa; S. Aikawa; Y. Usida; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
13th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月09日

Strain Relaxation in Al-rich AlxGa1-xN Films Grown by RF Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
N. Tachibana; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
13th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月09日

Structural and electrical properties of In2O3 grown by mist CVD on various substrates
H. Yokoo; T. Kobayashi; K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11), 2019年07月09日

Structural Analyses of GaInN Films Grown at Different Temperatures on (0001)GaN/alfa-Al2O3 Templates by RF-MBE
S. Ohno; T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda; T. Onuma; H. Hashimoto; Y. Nakajima; H. Hirukawa; R. Yoshida
13th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月08日

Growth and Structural Characterization of Cu3N by Mist CVD
N. Wakabayashi; M. Takahashi; T. Yamaguchi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma; T. Honda
The 2nd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-2nd), 2019年07月05日

XRD-RSM Measurements of GaInN Films Grown at Different Temperatures by RF-MBE
H. Hirukawa; R. Yoshida; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 2nd Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-2nd), 2019年07月05日

Vacuum Ultraviolet Light Emission from MgZnO-Based Thin Films and Quantum Wells
K. Kaneko; K. Ishii; M. Ono; K. Kudo; T. Onuma; T. Honda; S. Fujita
61th Electronic Materials Conference (EMC-61), 2019年06月27日

ミストCVD法によるCu3Nエピタキシャル成長
若林那旺; 高橋幹夫; 山口智広; 永井裕己; 佐藤光史; 尾沼猛儀; 本田徹
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019年06月14日

Mist CVD法によるGIO混晶成長に塩酸が与える影響
髙橋昴; 力武健一郎; 山口智広; 永井裕己; 佐藤光史; 尾沼猛儀; 本田徹
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019年06月14日

規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色域発光結晶
滝本啓司; 成田一貴; 吉田圭吾; 大音隆男; 山口智広; 本田徹; 尾沼猛儀; 富樫理恵; 野村一郎; 岸野克巳
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019年06月14日

Observation of Electroreflectance Spectra of beta-Ga2O3 Single Crystal
T. Onuma; K. Tanaka; K. Sasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; S. Yamakoshi; and M. Higashiwaki
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), 2019年05月21日

Growth and Deep UV Luminescent Properties of Rocksalt-Structured Ultra-Wide Bandgap MgZnO on MgO Substrates
K. Kaneko; K. Ishii; M. Ono; K. Kudo; T. Onuma; T. Honda; and S. Fujita
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), 2019年05月21日

Electrical and structural properties of Sn-doped alfa-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition
S. Mochizuki; T. Yamaguchi; K. Rikitake; T. Onuma; and T. Honda
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), 2019年05月21日

VUV Cathodoluminescence Spectra of Rocksalt-structured MgZnO/MgO Quantum Wells
K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), 2019年05月20日

Cathodoluminescence properties of Rocksalt-structured MgZnO/MgO Quantum Wells for VUV Light Emitter
K. Kudo; K. Ishii; M. Ono; Y. Fujiwara; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日

Fabrication of micro-LED display of 16 × 16 array structure using Si micro-cup substrate
K. Sato; Y. Kamei; R. Nawa; S. Aikawa; Y. Ushida; T. Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日

Fabrication of monolithic micro-LED using inductively coupled plasma etching
S. Takeda; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Takahashi; M. Shimizu; and T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日

Growth of AlxGa1-xN Films by RF Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy for Deep UV Optical Devices
N. Tachibana; T. Yamaguchi; T. Honda; and T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日

Structural analyses using TEM and XRD of GaInN films grown on GaN templates by RF-MBE
S. Ohno; T. Yamaguchi; H. Hirukawa; T. Araki; H. Hashimoto; T. Onuma; and T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’19 (LEDIA ’19), 2019年04月24日

Prototype optical wireless power teansmission system using bule LD as light source and LED as photovoltaic receiver
H. Hirukawa; T. Yamaguchi; Y. Ushida; T. Onuma; and T. Honda
Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference 2019 (OWPT2019), 2019年04月24日

光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価
福田清貴; 矢代秀平; 藤倉序章; 今野泰一郎; 鈴木貴征; 藤本哲爾; 吉田丈洋; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹; 角谷正友
2019年春季応用物理学会, 2019年03月12日

RF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定
山口智広; 佐々木拓生; 高橋正光; 尾沼猛儀; 本田徹; 荒木努; 名西やすし
2019年春季応用物理学会シンポジウム, 2019年03月11日

RF-MBEより成長した高In組成GaInNの成長温度特性
吉田涼介; 中島 裕亮; 比留川大輝; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2019年春季応用物理学会, 2019年03月11日

酸化ガリウム結晶における電界変調反射スペクトルの観測
田中広也; 佐々木公平; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 山腰茂伸; 東脇正高; 尾沼猛儀
2019年春季応用物理学会, 2019年03月11日

岩塩構造MgZnO/MgO量子井戸における量子閉じ込め効果
工藤幹太; 石井恭平; 小野瑞生; 藤原有基; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
2019年春季応用物理学会, 2019年03月11日

マイクロLEDチップの集積化技術の検討と技術課題
尾沼猛儀
マイクロLEDセミナー (次世代マイクロLEDディスプレイの開発に向けたLED集積化・周辺部材の技術動向), 2019年01月29日

Toward fabrication of GaInN-based devices: Epitaxial growth and characterization of GaInN by RF-MBE
T.Yamaguchi; Y.Nakajima; H.Hirukawa; R.Yoshida; T.Onuma; and T.Honda
The 1st Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST-1st), 2019年01月10日, ［招待有り］

Efficient 210-250 nm Deep UV Near-Band-Edge Emission from Rocksalt-Structured MgxZn1-xO Films
T.Onuma; M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; S.Fujita; and T.Honda
28th Annual Meeting of MRS-J, 2018年12月19日

マイクロLEDディスプレイの実現のためのブラックマトリクス原料の比較検討
仲納林祐貴; 名和遼祐; 一之瀬嗣人; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第10回大学コンソーシアム八王子, 2018年12月08日

Relationship between Relaxation ratio and growth temperature of GaInN by RF-MBE
Y. Nakajima; T.Honda; T.Yamaguchi; and T.Onuma
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月05日

Effect of alfa-(AlxGa1-x)2O3 Overgrowth on MSM-Type alfa-Ga2O3 Ultraviolet Photodetectors Grown by Mist CVD
K.Rikitake; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月05日

Carbon-nanotube Dispersed Ga2O3 Films for UV Transparent Electrodes Fabricated by Molecular Precursor Method
T.Honda; Y.Takahashi; R.Yoshida; C.Mochizuki; H.Nagai; T.Onuma; T.Yamaguchi; and M.Sato
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (Pacsurf2018), 2018年12月03日

Fabrication of rocksalt-structured MgZnO/MgO layered structures and their DUV light emission properties
K.Ishii; M.Ono; T.Onuma; K.Kaneko; and S.Fujita
Materials Research Society, 2018 Fall Meeting & Exhibit, 2018年11月29日

μ-LEDディスプレイの実現に向けたμ-LEDアレイ構造の製作
名和遼祐; 武田翔馬; 亀井義史; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2018年11月29日

岩塩構造MgxZn1-xO薄膜における深紫外線NBE発光特性の解析
小野瑞生; 石井恭平; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2018年11月29日

各種基板上に成長したIn2O3の結晶構造と電気的特性評価
横尾浩和; 小林拓也; 力武健一郎; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会, 2018年11月29日

Epitaxial Growth of Cu3N Films on (0001)Al2O3 Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition
T.Yamaguchi; H.Itoh; M.Takahashi; H.Nagai; T.Onuma; T.Honda; and M.Sato
The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日

Fabrication of µ-LED arrays toward future realization of µ-LED display
R.Nawa; STakeda; Y.Kamei; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日

Analysis of Deep Ultraviolet Emission Properties in Rocksalt-structured MgxZn1-xO Films
M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; T.Honda; S.Fujita; and T.Onuma
The 17th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-17), 2018年11月14日

Evaluation of Al2O3 /n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy
K.Fukuda; Y.Asai; L.Sang; A.Yoshigoe; A.Uedono; T.Onuma; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Sumiya
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月13日

GaInN growth by RF-MBE for underlying layers in red LEDs
Y.Nakajima; K.Uehara; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), 2018年11月13日

Recent Progress in solid state physics Onuma labratory
Y.Kamei; K.Kudo; N.Tachibana; K.Tanaka; Y.Fujiwara; Y.Chunobayashi; R.Nawa; M.Ono; and T.Onuma
The 5th Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE5), 2018年11月01日

マイクロLEDチップの集積化技術の検討と技術課題
尾沼猛儀
技術情報協会セミナー (マイクロLEDのディスプレイ応用展望とチップ集積化), 2018年10月15日

PDS measurement for III-V nitride samples ~InxGa1-xN, ion-implanted GaN and MOS structure~
K.Fukuda; T.Onuma; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Sumiya
37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月12日

Fabrication of double Schottky type photodetector using corundum-structured gallium oxide
K.Rikitake; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月11日

Fabrication of rocksalt-MgZnO/MgO layered structure and the characteristic of DUV light emission
K.Ishii; M.Ono; T.Onuma; K.Kaneko; and S.Fujita
37th Electronic Materials Symposium, 2018年10月10日

Growth of Cu3N Films by mist Chemical Vapor Deposition
T.Yamaguchi; H.Itoh; M.Takahashi; T.Onuma; H.Nagai; T.Honda; M.Sato
2018 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2018), 2018年10月05日, ［招待有り］

岩塩構造MgZnO/MgO積層構造の作製と深紫外発光
石井恭平; 小野瑞生; 尾沼猛儀; 金子健太郎; 藤田静雄
2018年秋季応用物理学会, 2018年09月20日

光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価
福田清貴; 高島信也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹; 上殿明良; 角谷正友
2018年秋季応用物理学会, 2018年09月19日

Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価
福田清貴; 浅井祐哉; 関慶祐; S.Liwen; 吉越章隆; 上殿明良; 石垣隆正; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹; 角谷正友
2018年秋季応用物理学会, 2018年09月19日

Bandgap fluctuation in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys
T.Onuma; M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; S.Fujita; and T.Honda
The 10th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO 2018), 2018年09月13日

Excitation density and temperature dependence of deep ultraviolet cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO
M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; T.Honda; S.Fujita; and T.Onuma
The 10th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO 2018), 2018年09月11日

In situ XRD RSM Measurements in MBE Growth of GaInN on InN
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Onuma; T.Honda; T.Araki; Y. Nanishi
20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018), 2018年09月04日

光熱偏向分光法によるイオン注入したGaNの評価
福田清貴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月30日

岩塩構造MgxZn1-xO薄膜における深紫外線発光メカニズム
小野瑞生; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月29日

水溶液スプレー法によるZnO薄膜製作検討
一之瀬嗣人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月29日

赤色LED製作に向けたRF-MBE法によるSi基板上自己形成GaNナノコラム構造の製作検討
細谷優人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月29日

10×10アレイ構造Siマイクロカップ基板を用いたμ-LEDディスプレイの製作
名和遼祐; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月29日

ミストCVD法によるα-In2O3の結晶成長と電気的特性評価
横尾浩和; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月29日

RF-MBE法を用いたGaInNの成長温度と緩和率の関係検討
中島祐亮; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月28日

深紫外光検出器のためのGa2O3薄膜のミストCVD成長
力武健一郎; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第41回光通信研究会, 2018年08月28日

Evaluation of Structural Disorder and In-Gap States of III-V nitrides by Photothermal Deflection Spectroscopy
M.Sumiya; K.Fukuda; Y.Nakano; S.Ueda; L.Sang; H.Iwai; T.Yamaguchi; T.Onuma; T.Honda
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), 2018年08月09日, ［招待有り］

酸化ガリウム結晶の光学評価とデバイス応用
尾沼猛儀
先端デバイス開発に関するコンソーシアム, 第１回講演会, 2018年07月25日, 東京都立産業技術研究センター／兵庫県立大学, ［招待有り］

Growth of Rocksalt-Structured MgZnO Thin-Films and Their Optical Properties
K.Ishii; M.Ono; T.Onuma; K.Kaneko; S.Fujita
60th Electronic Materials Conference (EMC-60), 2018年06月28日

Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy
M.Sumiya; K.Fukuda; S.Takashima; T.Yamaguchi; T.Onuma; T.Honda; A.Uedono:
The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19), 2018年06月07日

Blue Luminescence Quenching in beta-Ga2O3 Epitaxial Films by Nitrogen Doping
T.Onuma; Y.Nakata; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Higashiwaki
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), 2018年06月01日

Spectroscopic ellipsometry study on p-type NiO films
M.Ono; K.Sasaki; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; T.Honda; T.Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18), 2018年04月27日

Fabrication of 10x10 array structure of micro-LED display using Si micro-cup substrate
R.Nawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18), 2018年04月26日

岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
尾沼猛儀; 小野瑞生; 石井恭平; 金子健太郎; 山口智広; 藤田静雄; 本田徹
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
小野瑞生; 石井恭平; 金子健太郎; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄; 尾沼猛儀
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価
角谷正友; 福田清貴; 上田茂典; 浅井祐哉; Cho Yujin; 関口隆史; 上殿明良; 尾沼猛儀; S.Liwen; 山口智広; 本田徹
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価
福田清貴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹; 岩井秀夫; S.Liwen; 角谷正友
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

10×10 Siマイクロカップ基板でのμ-LED集積化
名和遼祐; 相沢空; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

窒素ドープ酸化ガリウム薄膜における青色発光の強度変化
尾沼猛儀; 中田義昭; 佐々木公平; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 山腰茂伸; 東脇正高
2018年春季応用物理学会, 2018年03月20日

alfa-Ga2O3を用いたダブルショットキー型光検出器の製作
力武健一郎; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田 徹
2018年春季応用物理学会, 2018年03月19日

放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察～InN解離温度領域での振る舞い～
山口智広; 佐々木拓生; 高橋正光; 尾沼猛儀; 本田徹; 荒木努; 名西やすし
2018年春季応用物理学会, 2018年03月18日

岩塩構造MgZnO薄膜の成長と光物性
石井恭平; 小野瑞生; 内田貴之; 神野莉衣奈; 尾沼猛儀; 金子健太郎; 藤田静雄
2018年春季応用物理学会, 2018年03月18日

放射光を活用したIn 系窒化物半導体成長中のその場観察
山口智広; 佐々木拓生; 高橋正光; 尾沼猛儀; 本田徹; 荒木努; 名西憓之
JAEA-QST放射光科学シンポジウム2018, 2018年03月12日

Influence of interface state and band bending on In and N polar InN from Angle-resolved XPS
Y.Nakajima; T.Onuma; T.Yamaguchi; T.Honda
45th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-45), 2018年01月14日

コランダム構造酸化ガリウムソーラーブラインド光検出器の開発
力武健一郎; 小林拓也; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月09日

ミストCVD法により成長したIn2O3薄膜を用いたTFT製作検討
小林拓也; 澤本一輝; 尾沼猛儀; 本田徹; 相川慎也; 山口智広
第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月09日

Growth of Ga2-xSnxO3 Films by Mist Chemical Vapor Deposition
K.Rikitake; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; T.Honda
Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月30日

Crystal Structure Control in Epitaxial Growth of In2O3 by Mist CVD
T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; T.Honda
Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月30日

XPS spectra of Ga2O3, In2O3 and their alloys fabricated by molecular precursor method
T.Honda; Y.Takahashi; T.Onuma; T.Yamaguchi; H.Nagai; and M.Sato
24th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 24), 2017年11月24日, ［招待有り］

Relationship between Temperature and Growth Rate of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys in the Growth of Mist CVD
T.Yamaguchi; K.Tanuma; T.Kobayashi; H.Nagai; M.Sato; T.Onuma; T.Honda
4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2017), 2017年11月24日

Deep-UV emission properties of rocksalt-structured MgxZn1-xO Films Grown on MgO (001) Substrates
M.Ono; K.Ishii; T.Uchida; R.Jinno; K.Kaneko; T.Yamaguchi; T.Honda; S.Fujita; and T.Onuma
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月09日

Study on growth of high quality MgZnO films on MgO substrates for DUV light emission
K.Ishii; T.Onuma; T.Uchida; R.Jinno; K.Kaneko; and S.Fujita
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月09日

Angle-resolved XPS spectra of InN/GaN grown by DERI method
Y.Nakajima; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月09日

MSM-type solar-blind photodetector with alfa-Ga2O3 film grown by mist CVD
K.Rikitake; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月08日

Effect of low temperature buffer layer in mist CVD growth of In2O3 on alfa-Al2O3 substrate
T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月08日

Near surface band bending in InN films grown by DERI method
Y.Nakajima; K.Uehara; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Fabrication of Si micro-cup substrate and its application for integration of micro-LEDs
R.Nawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Origin of free holes and visible light absorption in p-type NiO films
M.Ono; T.Onuma; K.Sasaki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Sato; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Bandgap Engineering of α-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
K.Rikitake; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Fabrication of TFT using amorphous In2O3 thin film by mist CVD
T.Kobayashi; K.Sawamoto; S.Aikawa; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Formation of Black Matrix for Realization of Micro-LED Display
Y.Chunobayashi; R.Nawa; Y.Takahashi; H.Matsuura; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Unintentionally Doped Impurities in GaN Layer Grown by RF-MBE
D.Taka; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Photothermal Deflection Spectra of Gallium indium nitride layers grown by MOVPE
K.Fukuda; T.Onuma; L.Sang; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Sumiya
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Impact of mask materials on dry etching of GaN using ICP-RIE
H.Matsuura; T.Onuma; T.Honda; and T.Yamaguchi
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Near-the surface Fermi level measured In2O3 and Ga2O3 thin films by molecular precursor method
Y.Takahashi; T.Onuma; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月02日

Outstanding capability of In-situ Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN and GaInN
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Araki; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
2017 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2017), 2017年10月19日, ［招待有り］

GaN growth on Al template by MBE for the fabrication of micro displays
T.Honda; Y.Hoshikawa; K.Uehara; T.Onuma and T.Yamaguchi
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017), 2017年10月12日

深紫外発光受光デバイスの現状と酸化ガリウム系材料受光デバイスの可能性
尾沼猛儀
日本フォトニクス協議会アカデミック・パートナーシップ・ゼミナール, 2017年09月26日, ［招待有り］

Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Araki; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月21日

Fabrication of MSM-Type Photodetector Using Sn-Doped α-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
K.Rikitake; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月20日

Cathodoluminescence spectra of Si-doped and Si-implanted β-Ga2O3 single crystals
T.Onuma; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki
2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月14日

Photoresponsivity of alfa-Ga2O3-based deep UV photodetector grown by mist CVD
K.Rikitake; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月14日

低温In2O3バッファ層を用いたalfa-Al2O3基板上In2O3のミストCVD成長
小林拓也; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月08日

Ga2-xSnxO膜のミストCVD成長
力武健一郎; 小林拓也; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月08日

シリコンマイクロカップ基板の製作とµ-LEDの集積化の検討
名和遼祐; 光成将矢; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月08日

GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察
山口智広; 佐々木拓生; 高橋正光; 尾沼猛儀; 本田徹; 荒木努; 名西やすし
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月07日

SiドープとSiイオン注入単結晶酸化ガリウム結晶の光学的特性
尾沼猛儀; 佐々木公平; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 東脇正高
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月07日

光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価
福田清貴; 尾沼猛儀; Sang Liwen; 山口智広; 本田徹; 角谷正友
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月06日

高品質MgZnO薄膜の成長と深紫外発光に関する研究
石井恭平; 尾沼猛儀; 内田貴之; 神野莉衣奈; 金子健太郎; 藤田静雄
2017年秋季応用物理学会, 2017年09月05日

分子プレカーサー法により形成した金属酸化物薄膜の表面近傍フェルミ準位の測定
高橋勇貴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

RF-MBE法により成長したGaN薄膜中の不純物に関する考察
高大地; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

赤色LEDに向けたDERI法によるGaInN薄膜のRF-MBE成長検討
上原和樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

第一原理計算とX線光電子分光法によるp形NiO薄膜の電子構造の解析
小野瑞生; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

ミストCVD法によるIn2O3薄膜の結晶構造制御
小林拓也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

ミストCVD法によるSn添加Ga2O3成長とそのデバイス応用
力武健一郎; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月09日

ICP-RIEによるGaNテンプレートのアレイエッチングの製作検討
名和遼祐; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月08日

素子分離のためのICP-RIEによるエッチング垂直性の検討
松浦悠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月08日

RF-MBE法を用いたDERI法によるInN薄膜成長における極性が与える影響
中島祐亮; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月08日

光熱偏向分光法を用いたGa1-xInxN薄膜における非発光再結合の検討
福田清貴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月08日

In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN growth on GaN and InN by RF-MBE
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
12th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017年07月26日

MgO基板上MgZnOの断面TEM観察とその発光
石井恭平; 尾沼猛儀; 内田貴之; 神野莉衣奈; 金子健太郎; 藤田静雄
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 2017年07月15日

Optical Properties of Ga2O3 Films and Crystals
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; K.Goto; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki
Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月16日, ［招待有り］

Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films
M.Ono; T.Onuma; R.Goto; K.Sasaki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Sato; and T.Honda
Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月16日

Fabrication of µ-LED array structures using ICP dry-etching
R.Nawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; J.-S. Jang; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日

Comparison of III-polar and N-polar GaInN films grown by RF-MBE
Y.Nakajima; K.Uehara; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日

Charge transfer transitions in p-type NiO films studied by optical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy
M.Ono; T.Onuma; K.Sasaki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Sato; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日

Mist CVD growth of Sn-doped Ga2O3 thin films and its device application
K.Rikitake; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月20日

単斜晶酸化ガリウム結晶における光学遷移過程
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 後藤健; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 東脇正高
2017年春季応用物理学会シンポジウム, 2017年03月15日

p形NiO薄膜における電気的特性と光学的特性の関係
小野瑞生; 尾沼猛儀; 後藤良介; 佐々木公平; 永井裕己; 山口智広; 東脇正高; 倉又朗人; 山腰茂伸; 佐藤光史; 本田徹
2017年春季応用物理学会, 2017年03月14日

ワイドギャップ半導体の魅力 ～物性物理からデバイス工学まで～
尾沼猛儀
第６回工学院大学先進工学部コロキウム, 2017年01月24日

b-Ga2O3結晶における光学的異方性の解析
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 後藤健; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 東脇正高
結晶成長の科学と技術第１６１委員会, 2017年01月13日

ミストCVD法を用いたCu3N成長
高橋幹夫; 伊藤裕俊; 尾沼猛儀; 永井裕己; 佐藤光史; 本田徹; 山口智広
第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日

ミストCVD法を用いたNiO結晶成長
齊藤千紘; 小林拓也; 高橋幹夫; 尾沼猛儀; 永井裕己; 佐藤光史; 本田徹; 山口智広
第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日

(0001)a-Al2O3基板上へのGa2-xSnxO3薄膜のミストCVD成長
力武健一郎; 小林拓也; 尾沼猛儀; 本田徹; 山口智広
第8回大学コンソーシアム八王子, 2016年12月03日

Growth and characterization of In2O3 on various substrates by mist CVD
T.Kobayashi; K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
Materials Research Society, 2016 Fall Meeting & Exhibit, Symposium, 2016年11月30日

Characterization of GaN layers grown on Al templates by RF-MBE
K.Uehara; Y.Hoshikawa; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

Growth and characterization of bixbite-type In2O3 thin films by mist CVD
T.Kobayashi; K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

Fabrication of CNT-doped Ga2O3 Thin Films by Molecular Precursor Method
Y.Takahashi; T.Onuma; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

Demonstration of monolithic GaN Based UV MOS-LEDs for Flat-Panel Display
H.Matsuura; K.Serizawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

In-situ monitoring in RF-MBE growth of In-based nitrides
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Araki; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

Toward the Growth of Cu3N by mist CVD
M.Takahashi; H.Ito; T.Yamaguchi; H.Nagai; T.Onuma; M.Sato; and T.Honda
The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15), 2016年11月10日

Al薄膜上GaN成長における低温GaN緩衝層挿入の影響
星川侑也; 鈴木悠希; 上原和樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第5回結晶工学未来塾, 2016年11月07日

パルスインジェクショ法を用いたCu2O結晶成長
高橋幹夫; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
第5回結晶工学未来塾, 2016年11月07日

Temperature-Dependent Cathodoluminescence Spectra of Rocksalt MgxZn1-xO films grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method
T.Onuma; K.Tsumura; K.Kaneko; R.Nawa; M.Ono; T.Uchida; R.Jinno; T.Yamaguchi; S.Fujita; and T.Honda
The 9th International Workshop on ZnO and Related Materials (IWZnO 2016), 2016年11月01日

Relation between electrical and optical properties in p-type NiO
M.Ono; T.Onuma; R.Goto; K.Sasaki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Sato; and T.Honda
The 3rd Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE3), 2016年11月01日

Fabrication of Vertical-Injection Type GaN-Based MIS Diodes with Near UV Transparent Oxide Electrodes
T.Honda; S.Fujioka; T.Onuma; T.Yamaguchi; H.Nagai; and M.Sato
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), 2016年10月02日

Local Structural Analysis around In Atoms in Al0.82In0.18N alloy by Using X-Ray Absorption Fine-Structure Measurements
R.Seiki; D.Komori; K.Ikeyama; T.Ina; T.Onuma; T.Miyajima; T.Takeuchi; S.Kamiyama; M.Iwaya; and I.Akasaki
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), 2016年10月02日

Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt-structured Mg1-xZnxO thin films on MgO substrates
K.Kaneko; K.Tsumura; T.Onuma; T.Uchida; R.Jinno; T.Yamaguchi; T.Honda; and S.Fujita
European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting, 2016年09月19日

RF-MBE法による低温GaN緩衝層を挿入したAl薄膜上GaN成長検討
上原和樹; 星川侑也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2016年秋季応用物理学会, 2016年09月16日

b-Ga2O3薄膜と単結晶の光学定数の比較
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 東脇正高
2016年秋季応用物理学会, 2016年09月16日

岩塩構造Mg1−xZnxO薄膜の深紫外発光
金子健太郎; 津村圭一; 尾沼猛儀; 内田貴之; 神野莉衣奈; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄
2016年秋季応用物理学会, 2016年09月15日

X線吸収微細構造測定によるAl0.82In0.18Nの局所構造解析
清木良麻; 小森大資; 池山和希; 伊奈稔哲; 尾沼猛儀; 宮嶋孝夫; 竹内哲也; 上山智; 岩谷素顕; 赤崎勇
2016年秋季応用物理学会, 2016年09月13日

Observation of exciton-LO-phonon interaction in β-Ga2O3 single crystals
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; K.Goto; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016 (GJGOTM2016), 2016年09月09日

Impact of GaN low-temperature buffer layer on GaN growth on Al templates
Y.Hoshikawa; Y.Suzuki; K.Uehara; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016), 2016年09月04日

窒化物系面発光レーザに用いられた混晶半導体Al0.82In0.18NにおけるIn原子近傍の局所構造と光学特性との関係
清木良麻; 小森大資; 池山和希; 伊奈稔哲; 尾沼猛儀; 宮嶋孝夫; 竹内哲也; 上山智; 岩谷素顕; 赤崎勇
第19回XAFS討論会, 2016年09月03日

Mist CVD法によるIn2O3薄膜の結晶成長
小林拓也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

ミストCVD法を用いたCu2O薄膜成長
高橋幹夫; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

銀分散亜鉛薄膜によるプラズモン共鳴放出
高大地; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

RF-MBE法を用いたAl薄膜上GaN成長における低温GaNバッファ層挿入の影響
星川侑也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

MOVPE法で成長したGaN薄膜におけるバッファ層堆積後の昇温時間とバッファ層膜厚の影響
松浦悠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

分子プレカーサー法を用いたMgO添加GIO薄膜製作検討
高橋勇貴; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

プラズマ生成条件を考慮したRF-MBE法によるAlInN薄膜成長
上原和樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第39回光通信研究会, 2016年08月09日

Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN
T.Yamaguchi; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), 2016年08月07日

Mist-CVD-Grown Crystalline In2O3 Thin-Film Transistors with Low Off-State Current
S.Aikawa; K.Tanuma; T.Kobayashi; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), 2016年08月07日

Rock salt型MgZnO薄膜の成長とその深紫外発光特性
金子健太郎; 津村圭一; 尾沼猛儀; 内田貴之; 神野莉衣奈; 山口智広; 本田徹; 藤田静雄
第2回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会, 2016年07月30日

Effects of GaN low-temperature buffer layer on GaN surface flatness grown on Al templates
Y.Hoshikawa; Y.Suzuki; K.Uehara; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
35th Electronic Materials Symposium, Moriyama, 2016年07月06日

Mist CVD growth of In2O3 on various substrates
T.Kobayashi; K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
35th Electronic Materials Symposium, Moriyama, 2016年07月06日

Deep-ultraviolet luminescence in rocksalt- structured Mg1-xZnxO thin films
K.Kaneko; K.Tsumura; T.Onuma; T.Uchida; R.Jinno; T.Yamaguchi; T.Honda; and S.Fujita
35th Electronic Materials Symposium, 2016年07月06日

Surface plasmon resonant emission from Ag dispersed ZnO films fabricated by molecular precursor method
D.Taka; T.Onuma; T.Shibukawa; H.Nagai; T.Yamaguchi; J-.S.Jang; M.Sato; and T.Honda
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), 2016年06月26日

Anisotropic optical constants in b-Ga2O3 single crystal
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; and M.Higashiwaki
58th Electronic Materials Conference (EMC-58), 2016年06月23日

Optical properties of ZnO films dispersed with Ag nanocrystals fabricated by molecular precursor method
D.Taka; T.Onuma; T.Shibukawa; H.Nagai; T.Yamaguchi; J-.S.Jang; M.Sato; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’16 (LEDIA ’16), 2016年05月19日

Mist CVD growth of In2O3 films on (0001)alfa-Al2O3 substrates and (0001)GaN templates
T.Kobayashi; K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’16 (LEDIA ’16), 2016年05月19日

β-Ga2O3結晶における励起子-LOフォノン相互作用
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 後藤健; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 倉又朗人; 東脇正高
2016年春季応用物理学会, 2016年03月21日

(0001)α-Al2O3基板上および(0001)GaNテンプレート上へのIn2O3膜のミストCVD成長
小林拓也; 田沼圭亮; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2016年春季応用物理学会, 2016年03月19日

分子プレカーサー法を用いたIn-Ga-Mg-O薄膜製作検討
高橋勇貴; 後藤良介; 安野泰平; 尾沼猛儀; 永井裕己; 山口智広; 佐藤光史; 本田徹
2016年春季応用物理学会, 2016年03月19日

分子プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性
高大地; 尾沼猛儀; 澁川貴史; 永井裕己; 山口智広; Ja-Soon Jang; 佐藤光史; 本田徹
2016年春季応用物理学会, 2016年03月19日

Valence band structure of monoclinic gallium oxide studied by polarized optical measurements
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; K.Goto; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), 2015年12月15日

Technical issues of GaInN growth with high indium composition for LEDs
T.Honda; T.Yamaguchi; and T.Onuma
The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), 2015年12月15日

Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
T.Yamaguchi; T.Honda; T.Onuma; T.Sasaki; M.Takahasi; T.Araki and Y.Nanishi
第25回日本MRS年次大会, 2015年12月09日

Study of nitridation conditions of Al layer for GaN growth by RF-MBE
Y.Hoshikawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
Materials Research Society, 2015 Fall Meeting & Exhibit, 2015年12月03日

Growth temperature dependence of Ga2O3 and In2O3 growth rates in Mist CVD
K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
Materials Research Society, 2015 Fall Meeting & Exhibit, 2015年12月02日

Impact of nitridation on GaN growth on (0001)sapphire with an Al layer as a release layer by RF-MBE
Y.Hoshikawa; S.Osawa; Y.Matsumoto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015年11月10日

Optical Anisotropy in (010) Plane of beta-Ga2O3 Single Crystals
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; K.Goto; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月06日

Measurements of Third-Order Nonlinear Optical Susceptibility of beta-Ga2O3 Single Crystals
S.Saito; M.Ichida; T.Onuma; K.Sasaki; A.Kuramata; N.Sekine; A.Kasamatsu; and M.Higashiwaki
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日

Growth of alfa-(AlGa)2O3 by mist CVD and evaluation of its thermal stability
M.Takahashi; T.Hatakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日

Growth temperature dependence of Ga2O3 growth rate by mist CVD
K.Tanuma; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日

Fabrication of p-type NiO thin films by molecular precursor method
R.Goto; T.Onuma; T.Yamaguchi; H.Nagai; M.Sato; and T.Honda
1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2015年11月04日

Investigation of in-situ X-ray reciprocal space mapping measurements in GaInN growth on GaN by RF-MBE
M.Sawada; T.Yamaguchi; T.Sasaki; K.Narutani; R.Deki; T.Onuma; T.Honda; M.Takahashi; and Y. Nanishi
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

Impact of nitridation on GaN growth on sapphire with an Al layer as a sacrifice layer by RF-MBE
Y.Hoshikawa; S.Osawa; Y.Matsumoto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

AR-XPS measurement of AlOx/AlN/GaN heterostructures
D.Isono; S.Takahashi; Y.Sugiura; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

Comprehensive study on GaN and InN etching by inductively coupled plasma reactive ion etching
K.Narutani; T.Yamaguchi; T.Araki; Y.Nanishi; T.Onuma; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

Fundamental Study on Local Surface Plasmons in Ag-nanocrystallites ZnO films toward Future Applications in Nitride-based LEDs
D.Taka; T.Onuma; T.Shibukawa; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

Mist-CVD Growth of In2O3
T.Kobayashi; K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

Study on the Phase Transition Temperature of alfa-(AlGa)2O3 Grown by Mist CVD
M.Takahashi; T.Hayakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 14th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-14), 2015年11月02日

ICP-RIEによるGaN,GaInN,InNエッチングとGaInN系LED製作への応用
鳴谷建人; 山口智広; 荒木努; 名西憓之; 尾沼猛儀; 本田徹
第4回結晶工学未来塾, 2015年10月29日

In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE
T.Yamaguchi; T.Sasaki; K.Narutani; M.Sawada; R.Deki; T.Onuma; T.Honda; M.Takahasi; and Y.Nanishi
The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日

Comprehensive study on inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
K.Narutani; T.Yamaguchi; T.Araki; Y.Nanishi; T.Onuma; and T.Honda
The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日

Thermal stability of alfa-(AlGa)2O3 grown by mist CVD
M.Takahashi,T.Hatakeyama,T.Onuma,T.Yamaguchi,and T.Honda
The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015), 2015年10月07日

β-Ga2O3結晶の(010)面における光学的異方性
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 東脇正高
2015年秋季応用物理学会, 2015年09月15日

MgZnO growth on (0001)sapphire by mist chemical vapor deposition
R.Goto; H.Nagai; T.Yamaguchi; T.Onuma; M.Sato; and T.Honda
17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, 2015年09月14日

RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定
澤田匡崇; 山口智広; 佐々木拓生; 鳴谷建人; 出来亮太; 尾沼猛儀; 本田徹; 高橋正光; 名西憓之
2015年秋季応用物理学会, 2015年09月14日

ミストCVD法により製作したα-(AlGa)2O3の熱的安定性
高橋幹夫; 畠山匠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2015年秋季応用物理学会, 2015年09月13日

β-Ga2O3単結晶の光学非線形屈折率測定
齋藤伸吾; 市田正夫; 尾沼猛儀; 佐々木公平; 倉又朗人; 関根徳彦; 笠松章史; 東脇正高
2015年秋季応用物理学会, 2015年09月13日

alfa-Ga2O3 and alfa-(AlGa)2O3 Buffer Layers in Growth of GaN
T.Yamaguchi; T.Hatakeyama; K.Tanuma; T.Hirasaki; H.Murakami; T.Onuma; and T.Honda
11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11), 2015年09月01日

Estimation of Carrier Density of Widegap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystals by THz Reflectance Measurement
S.Saito; T.Onuma; K.Sasaki; A.Kuramata; N.Sekine; A.Kasamatsu; M.Higashiwaki
40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 40), 2015年08月23日

Fabrication of (Ga, In)2O3-x films on GaN-based LED structures by molecular precursor method for near-UV transparent electrodes
T.Honda; H.Nagai; S.Fujioka; R.Goto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and M.Sato
22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22), 2015年08月14日

Fabrication of copper thin films using the molecular precursor method
H.Nagai; T.Yamaguchi; T.Onuma; I.Takano; and T.Honda
22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22), 2015年08月14日

Study on spontaneous emission in nitride-based LEDs with Ag-nanocrystallites ZnO films fabricated by molecular precursor method
T.Onuma; T.Shibukawa; D.Taka; K.Serizawa; E.Adachi; H.Nagai; T.Yamaguchi; J.-S.Jang; M.Sato; and T.Honda
22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22), 2015年08月14日

Growth of Group-III Oxides by Mist Chemical Vapor Deposition and Discussion on Thier Growth Mechanisms
T.Yamaguchi; K.Tanuma; H.Nagai; T.Onuma; T.Honda; and M.Sato
22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22), 2015年08月14日

分子プレカーサー水溶液を用いたミスト化学気相成長による酸化亜鉛薄膜製作
後藤良介; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

ミストCVD法により製作したα-(AlGa)2O3の熱的安定性
高橋幹夫; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

ICP-RIEによるInNおよびGaN温度依存性エッチング
鳴谷建人; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

RF-MBE法によるSapphire基板上Al犠牲層の窒化処理によるGaN成長の影響
星川侑也; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

ミストCVD法を用いたGa2O3成長における成長速度の温度依存性
田沼圭亮; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

RF-MBE法を用いたSapphire基板上GaN成長
渡邉悠斗; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月09日

MOCVD法を用いて成長したGaInN薄膜の欠陥評価
豊満直樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月08日

AR-XPS法を用いたAlOX/AlN/GaN構造のバンド構造解析
磯野大樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月08日

RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定
澤田匡崇; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第38回光通信研究会, 2015年08月08日

Growth condition dependence of Ga-In-O films by mist-CVD
K.Tanuma; R.Goto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月15日

Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
K.Narutani; T.Yamaguchi; T.Araki; Y.Nanishi; T.Onuma; and T.Honda
34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月15日

THz Time-domain Spectroscopy of Widegap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystals
S.Saito; N.Sekine; A.Kasamatsu; M.Higashiwaki; T.Onuma; K.Sasaki; and A.Kuramata
3rd International Symposium on Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA 2015), 2015年06月30日

Determination of Direct and Indirect Bandgap-Energies of beta-Ga2O3 by Polarized Transmittance and Reflectance Spectroscopy
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
57th Electronic Materials Conference (EMC-57), 2015年06月24日

Growth mechanisms of InN and its Alloys using droplet elimination by radical beam irradiation
T.Yamaguchi; T.Araki; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
The Energy Materials Nanotechnology Meeting on Droplets 2015 (EMN 2015), 2015年05月08日

Aluminum Growth on Sapphire Substrate with Surface Nitridation by RF-MBE
Y.Hoshikawa; S.Osawa; Y.Matsumoto; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’15 (LEDIA ’15), 2015年04月22日

Fundamental Study on Growth of alfa-(AlGa)2O3 Alloys by Mist CVD −A Study on Growth Rate of alfa-Al2O3 Compared with alfa-Ga2O3−
M.Takahashi; T.Hatakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’15 (LEDIA ’15), 2015年04月22日

Optical Anisotropy in beta-Ga2O3 Crystals Grown by Melt-Growth Methods
T.Onuma; S.Saito; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; and M.Higashiwaki
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’15 (LEDIA ’15), 2015年04月22日

Ga-In-O薄膜のウェットエッチングプロセス検討
吉田邦晃; 藤岡秀平; 後藤良介; 尾沼猛儀; 永井裕己; 山口智広; 本田徹
2015年春季応用物理学会, 2015年03月13日

ワイドギャップ半導体beta-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波反射測定によるキャリア密度評価
齋藤伸吾; 尾沼猛儀; 佐々木公平; 倉又朗人; 関根徳彦; 笠松章史; 東脇正高
2015年春季応用物理学会, 2015年03月13日

ミストCVDによるalfa-(AlGa)2O3混晶成長の基礎検討-alfa-Ga2O3と比較したalfa-Al2O3の成長速度の検討-
高橋幹夫; 畠山匠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2015年春季応用物理学会, 2015年03月13日

RF-MBE法による窒化サファイア基板上アルミニウム薄膜成長
星川侑也; 大澤真弥; 松本雄大; 山口智広; 尾沼猛儀; 本田徹
2015年春季応用物理学会, 2015年03月12日

beta-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性
尾沼猛儀; 齋藤伸吾; 佐々木公平; 増井建和; 山口智広; 本田徹; 東脇正高
2015年春季応用物理学会, 2015年03月12日

Growth and doping of In-based nitride semiconductors using DERI method
T.Yamaguchi; T.Araki; T.Onuma; T.Honda; and Y.Nanishi
The 2015 Materials Challenges in Alternative and Renewable Energy Conference (MCARE 2015), 2015年02月25日

Fabrication of alfa-(AlGa)2O3 on sapphire substrate by mist CVD
T.Hatakeyama; K.Tanuma; S.Osawa; Y.Sugiura; T.Onuma; T.Hirasaki; H.Murakami; T.Yamaguchi; and T.Honda
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), 2014年12月16日

Properties of near-UV transparent Ga-In-O electrode in GaN-based MOS-LED
S.Fujioka; T.Yasuno; T.Onuma; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), 2014年12月15日

AR-XPS spectra and band-bending properties of +c, -c and m-GaN surfaces
D.Isono; S.Fujioka; Y.Sugiura; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
Materials Research Society, 2014 Fall Meeting & Exhibit, 2014年12月02日

THz wave Absorption Spectra of Widegap Semiconductor beta-Ga2O3 Single Crystals
S.Saito; T.Onuma; K.Sasaki; A.Kuramata; N.Sekine; A.Kasamatsu; and M.Higashiwaki
Materials Research Society, 2014 Fall Meeting & Exhibit, 2014年12月01日

Growth of oxide thin films by mist chemical vapor deposition,-Application of corundum-structured oxides for growth of GaN-
T.Hatakeyama; K.Tanuma; S.Osawa; Y.Sugiura; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT13), 2014年11月14日

Growth and characterization of Ga-In-O by mist CVD
K.Tanuma; T.Hatakeyama; R.Goto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT13), 2014年11月14日

六方晶GaN中に挿入した一分子層InNの構造完全性による影響
渡邊菜月; 多次見大樹; 尾沼猛儀; 橋本直樹; 草部一秀; 王科; 山口智広; 吉川明彦; 本田徹
第3回結晶工学未来塾, 2014年11月13日

Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga-In-O films
K.Tanuma; T.Hatakeyama; R.Goto; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE), 2014年11月01日

Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
T.Onuma; C.Mochizuki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
The Joint symposia of the 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE) and the 21st International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium, 2014年11月01日

Interface reaction between Al and N atoms in GaN growth on Al by RF-MBE
S.Osawa; T.Yamaguchi; T.Onuma; and T.Honda
The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE), 2014年11月01日

Characterization of GaN thin film grown on pseudo Al template by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
Y.Watanabe; S.Osawa; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE), 2014年11月01日

Mist chemical vapor deposition growth of low Al-composition alfa-(AlGa)2O3
T.Hatakeyama; K.Tanuma; S.Osawa; Y.Sugiura; T.Onuma; T.Hirasaki; H.Murakami; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE), 2014年11月01日

Ga2O3基板の光学的特性評価
尾沼猛儀; 山口智広; 伊藤雄三; 本田徹; 佐々木公平; 増井建和; 東脇正高
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会,第９１回研究会「酸化物材料の最近の進展」, 2014年09月26日

AlOx/AlN/GaNヘテロ構造の発光特性
尾沼猛儀; 杉浦洋平; 山口智広; 本田徹; 東脇正高
2014年秋季応用物理学会, 2014年09月20日

疑似Al基板上GaN薄膜のフォトルミネッセンス評価
渡邉悠斗; 大澤真弥; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2014年秋季応用物理学会, 2014年09月19日

RF-MBE法を用いたGaN成長が疑似Al基板に与える影響
大澤真弥; 渡邉悠斗; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2014年秋季応用物理学会, 2014年09月19日

Mist CVD法を用いて製作したalfa-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価
田沼圭亮; 畠山匠; 尾沼猛儀; 山口智広; 窪谷茂幸; 片山竜二; 松岡隆志; 本田徹
2014年秋季応用物理学会, 2014年09月18日

ワイドギャップ半導体beta-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波吸収測定
齋藤伸吾; 尾沼猛儀; 佐々木公平; 倉又朗人; 関根徳彦; 笠松章史; 東脇正高
2014年秋季応用物理学会, 2014年09月17日

Growth of alfa-Ga2O3 on alfa-Al2O3 substrate by mist CVD and growth of GaN on alfa-Ga2O3 buffer layer by RF-MBE
T.Yamaguchi; T.Hatakeyama; Y.Sugiura; T.Onuma; and T.Honda
18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014), 2014年09月07日

Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
K.Narutani; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; Y.Nanishi; L.Sang; M.Sumiya; S.Fujioka; T.Onuma; and T. Honda
18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014), 2014年09月07日

Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes
T.Onuma; K.Narutani; S.Fujioka; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; Y.Nanishi; L.Sang; M.Sumiya; and T.Honda
International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), 2014年08月24日

Thickness Dependence of Pseudo Aluminum Templates in Growth of GaN by RF-MBE
S.Osawa; Y.Watanabe; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), 2014年08月24日

Study on structure perfection of one-monolayer thick InN in hexagonal GaN using XRD techniques
N.Watanabe; D.Tajimi; N.Hashimoto; K.Kusakabe; K.Wang; T.Yamaguchi; T.Onuma; A.Yoshikawa; and T.Honda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), 2014年08月24日

RF-MBE growth of group-III nitrides and mist CVD growth of group-III oxides
T.Yamaguchi; T.Onuma; H.Nagai; C.Mochizuki; M.Sato; T.Honda; T.Araki; and Y.Nanishi
6th International Conference on Mechanical and Electronics Engineering (ICMEE 2014), 2014年08月16日

RF-MBE法を用いた膜厚の異なるAlテンプレート上GaN 成長
大澤真弥; 渡邉悠斗; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014年07月26日

RF-MBE 法によるGaInN 厚膜成長とpn ホモ接合型青緑色LED の製作
鳴谷建人; 山口智広; Ke Wang; 荒木努; 名西憓之; Liwen Sang; 角谷正友; 藤岡秀平; 尾沼猛儀; 本田徹
第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014年07月26日

Impact of UV transparent Ga-In-O electrode in vertical-type GaN-based metal oxide semiconductor light-emitting diodes
S.Fujioka; T.Yasuno; A.Sato; T.Onuma; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
33th Electronic Materials Symposium, 2014年07月09日

Blue-green light emitting diodes using pn-GaInN homojunction-type structure
K.Narutani; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; Y.Nanishi; L.Sang; M.Sumiya; S.Fujioka; T.Onuma; and T. Honda
33th Electronic Materials Symposium, 2014年07月09日

Investigation of Ga-In-O films grown on alfa-Al2O3 substrates by mist CVD
K.Tanuma; T.Hatakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
33th Electronic Materials Symposium, 2014年07月09日

Impact of perfection on one-monolayer thick InN in hexagonal GaN
N.Watanabe; D.Tajimi; T.Onuma; N.Hashimoto; K.Kusakabe; K.Wang; T.Yamaguchi; A.Yoshikawa; and T.Honda
33th Electronic Materials Symposium, 2014年07月09日

Mist CVD growth of Ga-In-O films grown on alfa-Al2O3 substrates
K.Tanuma; T.Hatakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014), 2014年06月10日

Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys
T.Yamaguchi; K.Tanuma; T.Hatakeyama; T.Onuma; and T.Honda
The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012), 2014年05月11日

RF-MBE growth of GaInN ternary alloys using DERI method and fabrication of pn-GaInN LEDs
T.Yamaguchi; K.Narutani; T.Onuma; T.Honda; T.Araki; and Y.Nanishi
2014 International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014), 2014年05月01日

Light emission properties of ultra thin InN in the GaN matrix
T.Honda; T.Yamaguchi; T.Onuma; D.Tajimi; N.Watanabe; N.Hashimoto; K.Kusakabe; and A.Yoshikawa
The International Conference on Metamaterials and Nanophysics 2014 (METANANO 2014), 2014年04月22日

Fabrication of Vertical-Type GaN-Based Metal Oxide Semiconductor Light-Emitting Diodes
S.Fujioka; T.Yasuno; A.Sato; T.Onuma; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14), 2014年04月22日

RF-MBE Growth of pn-GaInN Structure and Fabrication of Blue-Green Homojunction-Type Light Emitting Diode
K.Narutani; T.Yamaguchi; K.Wang; T.Araki; Y.Nanishi; L.Sang; M.Sumiya; S.Fujioka; T.Onuma; and T.Honda
Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14), 2014年04月22日

Optical Properties of Ga-In-O Polycrystalline Films Fabricated by Molecular Precursor Method
T.Onuma; T.Yasuno; S.Takano; R.Goto; S.Fujioka; T.Hatakeyama; H.Hara; C.Mochizuki; H.Nagai; T.Yamaguchi; M.Sato; and T.Honda
Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14), 2014年04月22日

GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作
鳴谷建人; 山口智広; KeWang; 荒木努; 名西やすし; LiwenSang; 角谷正友; 藤岡秀平; 尾沼猛儀; 本田徹
2014年春季応用物理学会, 2014年03月20日

自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(I)
秩父重英; 古澤健太郎; 大友友美; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 石川陽一; 田代公則; 池田宏隆; 藤戸健史
2014年春季応用物理学会, 2014年03月19日

ミストCVD法を用いたGa2O3結晶成長における成長速度の温度依存性
田沼圭亮; 杉本麻佑花; 畠山匠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2014年春季応用物理学会, 2014年03月18日

分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性
尾沼猛儀; 安野泰平; 高野宗一郎; 後藤良介; 藤岡秀平; 畠山匠; 原広樹; 望月千尋; 永井裕己; 山口智広; 佐藤光史; 本田徹
2014年春季応用物理学会, 2014年03月17日

光・電子線を用いたワイドギャップ窒化物・酸化物半導体の評価
尾沼猛儀
第５回半導体材料・デバイスフォーラム, 2013年11月26日

Mist CVD growth of alfa-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on alfa-Ga2O3/sapphire templetes
T.Hatakeyama; T.Yamaguchi; D.Tajimi; Y.Sugiura; R.Amiya; T.Onuma; and T.Honda
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT12), 2013年11月13日

Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD
K.Tanuma; T.Yamaguchi; T.Hatakeyama; T.Onuma; and T.Honda
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT12), 2013年11月13日

Effects of (Al,Ga)Ox/GaN interface states on GaN-based Schottky-type light-emitting diodes
S.Fujioka; R.Amiya; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials, 2013年11月12日

Ga2O3上GaN成長とGaN上Ga2O3成長
山口智広; 畠山匠; 多次見大樹; 尾沼猛儀; 本田徹
第43回結晶成長国内会議, 2013年11月06日

ミストCVD 法を用いたGa2O3及びIn2O3成長
田沼圭亮; 山口智広; 畠山匠; 尾沼猛儀; 本田徹
第43回結晶成長国内会議, 2013年11月06日

GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響
藤岡秀平; 網谷良介; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2013年秋季応用物理学会, 2013年09月17日

Temperature dependent cathodoluminescence spectra of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
T.Onuma; T.Yasuno; S.Fujioka; S.Takano; T.Oda; H.Nagai; H.Hara; C.Mochizuki; M.Sato; and T.Hond
The 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 2013年09月16日

ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長
多次見大樹; 奥秋良隆; 畠山匠; 金子健太郎; 藤田静雄; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2013年秋季応用物理学会, 2013年09月16日

beta-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関
尾沼猛儀; 藤岡秀平; 山口智広; 東脇正高; 佐々木公平; 増井建和; 本田徹
2013年秋季応用物理学会, 2013年09月16日

RF-MBE growth of GaN films on nitridated alfa-Ga2O3 buffer layer
T.Yamaguchi; T.Hatakeyama; D.Tajimi; Y.Sugiura; T.Onuma; and T.Honda
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月11日

Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
T.Onuma; S.Fujioka; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; K.Sasaki; T.Masui; and T.Honda
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月11日

Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes
S.Fujioka; R.Amiya; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月10日

Impact of ultra-thin InN layers in GaN matrix for light-emitting diodes with super weak waveguide
D.Tajimi; Y.Sugiura; T.Hatakeyama; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月10日

Temperature Dependent Cathodoluminescence Spectra of beta-Ga2O3 Crystals
T.Onuma; S.Fujioka; T.Yamaguchi; M.Higashiwaki; K.Sasaki; T.Masui; and T.Honda
Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13), 2013年04月23日

Surface Modification of GaN Crystals and Its Effects on Optical Properties
S.Fujioka; R.Amiya; T.Onuma; T.Yamaguchi; and T.Honda
Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13), 2013年04月23日

Cathodoluminescence Spectra of beta-gallium Oxide Thin Film Fabricated by Molecular Precursor Method
S.Takano; H.Nagai; H.Hara; C.Mochizuki; I.Takano; T.Onuma; T.Honda; and M.Sato
Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13), 2013年04月23日

beta-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル
尾沼猛儀; 藤岡秀平; 山口智広; 東脇正高; 佐々木公平; 増井建和; 本田徹
2013年春季応用物理学会, 2013年03月28日

Growth of ultra-thin InN/GaN quantum well with super-weak waveguide by RF-MBE
T.Honda; D.Tajimi; Y.Sugiura; T.Onuma; and T.Yamaguchi
The 17th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (Euro-MBE 2013), 2013年03月10日

Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals
T.Honda; T.Onuma; Y.Sugiura; and T.Yamaguchi
Materials Research Society, 2012 Fall Meeting, 2012年11月25日

Structure and optical properties of transparent Ga2O3-x thin films fabricated by the molecular precursor method
H.Nagai; S.Takano; H.Hara; C.Mochizuki; I.Takano; T.Onuma; T.Honda; and M.Sato
The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-Special), 2012年10月30日

Electron-beam incident-angle-resolved cathodoluminescence studies on bulk ZnO crystals
T.Onuma; S.Fujioka; F.Tomori; T.Yamaguchi; and T.Honda
The 11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-Special), 2012年10月30日

ZnO単結晶の電子線入射角度依存カソードルミネセンス測定
尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2012年秋季応用物理学会, 2012年09月13日

酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性
尾沼猛儀; 藤岡秀平; 山口智広; 東脇正高; 佐々木公平; 増井建和; 本田徹
2012年秋季応用物理学会, 2012年09月13日

集積化GaN系発光素子のための超薄膜InNを挿入した弱導波路発光層の検討
多次見大樹; 林才人; 杉浦洋平; 尾沼猛儀; 本田徹
2012年秋季応用物理学会, 2012年09月12日

Incident Angle Resolved Cathodoluminescence Study of ZnO Single Crystals
T.Onuma; T. Yamaguchi; and T. Honda
The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012), 2012年08月27日

AlおよびAlOx膜堆積が極性GaNのPL強度に与える影響
坂井直之; 尾沼猛儀; 山口敦史; 山口智広; 本田徹
2012年春季応用物理学会, 2012年03月16日

高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価
秩父重英; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 上殿明良
2012年春季応用物理学会, 2012年03月16日

極性・非極性バルクZnO表面におけるCLスペクトルの比較
尾沼猛儀; 大林亨; 山口智広; 山口敦史; 本田徹
2012年春季応用物理学会, 2012年03月15日

アモノサーマルGaN基板上に形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価
秩父重英; 羽豆耕治; 鏡谷勇二; 尾沼猛儀; Dirs Ehrentraut; 福田承生; 石黒徹
2011年秋季応用物理学会, 2011年09月01日

六方晶GaNとZnOにおける表面再結合の比較
尾沼猛儀; 坂井直之; 井垣辰浩; 山口智広; 山口敦史; 本田徹
2011年秋季応用物理学会, 2011年09月01日

極性および非極性GaN表面における表面再結合過程
坂井直之; 井垣辰浩; 尾沼猛儀; 山口敦史; 山口智広; 本田徹
2011年秋季応用物理学会, 2011年09月01日

化合物原料MBE法を用いたZnO薄膜の結晶成長とその評価
杉浦洋平; 小田拓人; 小畑聡; 芳原義大; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
2011年秋季応用物理学会, 2011年08月31日

AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について
秩父重英; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 上殿明良
2011年秋季応用物理学会, 2011年08月31日

Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces
T.Onuma; N.Sakai; T.Igaki; T.Yamaguchi; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年08月14日

Ammonothermal growth of low oxygen concentration GaN using a dry acidic mineralizer and fabrication of an Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure
S.F.Chichibu; K.Hazu; Y.Kagamitani; T.Onuma; D.Ehrentraut; T.Fukuda; and T.Ishiguro
The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), 2011年07月10日

Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
S.F.Chichibu; T.Onuma; K.Hazu; T.Sota; and A.Uedono
The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), 2011年07月10日

Recombination dynamics in polar and nonpolar GaN surfaces
N.Sakai; T.Igaki; T.Onuma; A.A.Yamaguchi; T.Yamaguchi; and T.Honda
30th Electronic Materials Symposium, 2011年06月29日

Optical properties of GaN films and an AlGaN/GaN heterostructure fabricated on GaN substrates grown by the ammonothermal method using gas-phase synthesized NH4Cl mineralizer
S.F.Chichibu; K.Hazu; Y.Kagamitani; T.Onuma; D.Ehrentraut; T.Fukuda; and T.Ishiguro
The 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011), 2011年05月22日

ZnO growth for transparent electrodes by compound-source MBE
Y.Sugiura; T.Oda; S.Obata; Y.Yoshihara; T.Onuma; and T.Honda
The 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011), 2011年05月22日

Surface recombination in polar and nonpolar GaN surfaces
N.Sakai; T.Onuma; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
The 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011), 2011年05月22日

Time-resolved photoluminescence of a two-dimentional electron gas in an Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure fabricated on GaN substrates grown by the ammonothermal method using acidic mineralizers
K.Hazu; Y.Kagamitani; T.Onuma; D.Ehrentraut; T.Fukuda; T.Ishiguro; and S.F.Chichibu
Eoropean Materials Research Society, 2011年05月09日

Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
S.F.Chichibu; T.Onuma; K.Hazu; T.Sota; and A.Uedono
Eoropean Materials Research Society, 2011年05月09日

m面自立GaN基板のチルトモゼイク異方性がNH3-MBE成長m面Al0.25Ga0.75N薄膜の発光特性に与える影響
秩父重英; 加賀谷宗仁; 尾沼猛儀; 羽豆耕治
2011年春季応用物理学会, 2011年03月26日

極性・非極性(Al,In,Ga)N混晶薄膜における振動子強度の歪依存性
尾沼猛儀; 羽豆耕治; 秩父重英
2011年春季応用物理学会, 2011年03月26日

気相合成NH4Cl鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN基板上にMOVPE形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価
秩父重英; 羽豆耕治; 鏡谷勇二; 尾沼猛儀; D.Ehrentraut; 福田承生; 石黒徹
2011年春季応用物理学会, 2011年03月26日

MOVPE成長AlN薄膜の点欠陥・不純物が発光寿命に及ぼす影響
秩父重英; 尾沼猛儀; 羽豆耕治; 上殿明良
2011年春季応用物理学会, 2011年03月25日

化合物原料MBE法によるZnO薄膜の製作検討
杉浦洋平; 小田拓人; 小畑聡; 芳原義大; 尾沼猛儀; 本田徹
2011年春季応用物理学会, 2011年03月25日

Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals
N.Sakai; T.Onuma; T.Okuhata; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT9), 2010年11月04日

Time-resolved Photoluminescence and Time-resolved Cathodoluminescence Studies on AlN Epilayers Grown by Low-pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
S.F.Chichibu; K.Hazu; T.Onuma; T.Sota; and A.Uedono
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), 2010年09月19日

Optical Properties of GaN Crystals Grown by Ammonothermal Method Using Acidic Mineralizers and Homoepitaxial Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
K.Hazu; Y.Kagamitani; T.Onuma; T.Ishiguro; T.Fukuda; and S.F.Chichibu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), 2010年09月19日

Surface recombination of hexagonal GaN crystals
N.Sakai; T.Okuhata; T.Onuma; A.A.Yamaguchi; and T.Honda
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), 2010年09月19日

気相合成した酸性鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN及びMOVPEホモエピタキシャル層の評価
秩父重英; 羽豆耕治; 鏡谷勇二; 尾沼猛儀; D.Ehrentraut; 福田承生; 石黒徹
2010年秋季応用物理学会, 2010年09月14日

ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成
鏡谷勇二; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 秩父重英; 横山千昭; 石黒徹; 福田承生
2010年秋季応用物理学会, 2010年09月14日

Ammonothermal growth of GaN using a gas-phase synthesized acidic mineralizer and homoepitaxy by metalorganic vapor phase epitaxy
S.F.Chichibu; Y.Kagamitani; K.Hazu; T.Onuma; T.Ishiguro; and T.Fukuda
The Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3), 2010年07月04日

Identification of cathodoluminescence peaks in m-plane AlxGa1-xN epilayers grown on freestanding GaN substrates prepared by halide vapor phase epitaxy
K.Hazu; M.Kagaya; T.Hoshi; T.Onuma; and S.F.Chichibu
The Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3), 2010年07月04日

パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3) - MOVPE成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測-
秩父重英; 尾沼猛儀; 羽豆耕治
2010年春季応用物理学会, 2010年03月18日

パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2) - MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較 -
尾沼猛儀; 秩父重英
2010年春季応用物理学会, 2010年03月18日

パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1) -パルス電子線発生とGaN計測-
秩父重英; 尾沼猛儀; 羽豆耕治; 鏡谷勇二; 石黒徹; 福田承生
2010年春季応用物理学会, 2010年03月18日

自立GaN基板へのm面Al1-xInxN薄膜のMOVPE成長
秩父重英; 羽豆耕治; 尾沼猛儀
2010年春季応用物理学会, 2010年03月17日

アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響
鏡谷勇二; 石鍋隆幸; 栗林岳人; 増田善雄; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 秩父重英; 横山千昭; 石黒徹
2010年春季応用物理学会, 2010年03月17日

AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構
尾沼猛儀; 羽豆耕治; 宗田孝之; 上殿明良; 秩父重英
電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会/電子デバイス研究会/電子部品・材料研究会, 2009年11月19日

Capability of the bulk GaN single crystals spontaneously nucleated by the Na-flux method as an homoepitaxial substrate
T.Onuma; T.Yamada; H.Yamane; and S.F.Chichibu
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月18日

Polarization properties of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic stress
K.Hazu; T.Hoshi; M.Kagaya; T.Onuma; and S.F.Chichibu
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月18日

Time-resolved photoluminescence study of AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; K.Hazu; T.Shibata; K.Kosaka; K.Asai; S.Sumiya; M.Tanaka; T.Sota; and S.F.Chichibu
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月18日

Spatially-resolved cathodoluminescence study on m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane free-standing GaN substrates
S.F.Chichibu; K.Hazu; T.Hoshi; M.Kagaya; and T.Onuma
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月18日

AlN薄膜の時間分解フォトルミネッセンス
尾沼猛儀; 羽豆耕治; 柴田智彦; 小坂圭; 浅井圭一郎; 角谷茂明; 田中光浩; 宗田孝之; 秩父重英
2009年秋季応用物理学会, 2009年09月10日

m面AlxGa1-xN薄膜の偏光特性の面内異方性歪依存性
羽豆耕治; 星拓也; 加賀谷宗仁; 尾沼猛儀; 秩父重英
2009年秋季応用物理学会, 2009年09月10日

NH3-MBE成長m面AlxGa1-xN薄膜の空間分解陰極線蛍光評価
秩父重英; 羽豆耕治; 加賀谷宗仁; 尾沼猛儀
2009年秋季応用物理学会, 2009年09月10日

陽電子消滅を用いたAlNの点欠陥と光学特性の研究
窪田翔二; 渡邉宏理; 上殿明良; 尾沼猛儀; 秩父重英; 石橋章司; S.Keller; C.Moe; P.Cantu; T.M.Katona; D.S.Kamber; U.K.Mishra; 中村修二
2009年秋季応用物理学会, 2009年09月08日

アモノサーマル法による高純度GaN結晶育成
鏡谷勇二; 秩父重英; 羽豆耕治; 尾沼猛儀; 石黒徹; 福田承生
2009年秋季応用物理学会, 2009年09月08日

Optical Properties of m-plane (In,Ga)N Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
T.Onuma; H.Yamaguchi; L.Zhao; M.Kubota; K.Okamoto; H.Ohta; and S.F.Chichibu
International Symposium of post-silicon materials and devices research alliance project, 2009年09月05日

High purity GaN growth by the ammonothermal method using an acidic mineralizer
Y.Kagamitani; S.F.Chichibu; T.Onuma; K.Hazu; T.Fukuda; and T.Ishiguro
The 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2009), 2009年08月30日

Time-resolved photoluminescence studies of excitons in AlN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
T.Onuma; K.Hazu; T.Shibata; K.Kosaka; K.Asai; S.Sumiya; M.Tanaka; T.Sota; and S.F.Chichibu
The 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2009), 2009年08月30日

Longitudinal-transverse splitting of A-excitons in ZnO homoepitaxial films grown by HWPSE method
Y.Sawai; H.Amaike; T.Onuma; K.Hazu; and S.F.Chichibu
9th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN9), 2009年04月16日

Polarization properties of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic stress
K.Hazu; T.Hoshi; M.Kagaya; T.Onuma; K.Fujito; H.Namita; and S.F.Chichibu
9th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN9), 2009年04月16日

ヘリコン波励起プラズマスパッタ法成長ZnOエピタキシャル薄膜の励起子ポラリトン発光
澤井泰; 天池宏明; 尾沼猛儀; 羽豆耕治; 秩父重英
2009年春季応用物理学会, 2009年03月30日

m面自立GaN基板上NH3-MBE成長ホモエピタキシャル薄膜の構造的・光学的特性のV/III比依存性
羽豆耕治; 星拓也; 加賀谷宗仁; 尾沼猛儀; 藤戸健史; 浪田秀郎; 秩父重英
2009年春季応用物理学会, 2009年03月30日

Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN and InGaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing substrates
S.F.Chichibu; H.Yamaguchi; L.Zhao; M.Kubota; T.Onuma; K.Okamoto; and H.Ohta
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), 2008年10月06日

Impacts of dislocation bending and growth polar direction on the local cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth
S.F.Chichibu; T.Onuma; T.Hashimoto; K.Fujito; F.Wu; J.S.Speck; and S.Nakamura
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), 2008年10月06日

Optical gain in low dislocation density nonpolar m-plane InGaN/GaN MQW LD wafers lased at 400 nm and 426 nm
T.Onuma; K.Okamoto; H.Ohta; and S.F.Chichibu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), 2008年10月06日

Ammonia source molecular beam epitaxy of m-plane AlxGa1-xN films exhibiting negligible deep emission bands on low defect density free-standing GaN substrates
T.Hoshi; K.Oshita; M.Kagaya; K.Fujito; H.Namita; K.Hazu; T.Onuma; and S.F.Chichibu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), 2008年10月06日