ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学, 電子材料

自然科学一般, 数理物理、物性基礎, 電子輸送

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器, 発光ダイオードディスプレイ

自然科学一般, 半導体、光物性、原子物理, 発光ダイオード

半導体デバイスの基礎と応用
長谷川文夫、本田徹, 共著
産業図書, 2011年09月09日
9784782855553

半導体デバイスの基礎と応用
産業図書, 2011年
9784782855553

次世代光記録技術と材料
本田 徹, その他
シーエムシー出版, 2004年01月

面発光レーザの基礎と応用
本田 徹, 共著
共立出版, 1999年06月

Properties, Processing and Application of Gallium Nitride and Related Semiconductors
K. Iga and T. Honda, 共著
emis DATAREVIEWS SERIES NO. 23, INSPEC publications, The Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1999年04月

Properties, Processing and Application of Gallium Nitride and Related Semiconductors
emis DATAREVIEWS SERIES NO. 23, INSPEC publications, The Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1999年

“InGaN/GaN superlattice underlayer for fabricating of red nanocolumn μ-LEDs with (10-11) plane InGaN/AlGaN MQWs
J. Yamada; A. Mizuno; Ta. Honda; K. Yoshida; R. Togashi; I. Nomura; T. Yamaguchi; T. Honda and K. Kishino
Nanotechnology, 2023年08月14日, ［査読有り］

Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1−xO,
T. Onuma; K. Kudo; M. Ono; W. Kosaka; K. Shima; K. Ishii; K. Kaneko; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kojima; S. Fujita; S. F. Chichibu; T. Honda
Journal of Applied Physics, 2023年07月13日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist chemical vapor deposition
A. Taguchi; T. Yamamoto; K. Kaneko; K. Goto; T. Onuma; T. Honda; Y. Kumagai; S. Fujita; and T. Yamaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, 2023年04月19日, ［査読有り］

Vacuum Ultraviolet Emission Properties of Rocksalt- Structured MgZnO Microcrystals Prepared on Quartz Glass Substrates
W. Kosaka; S. Hoshi; K. Kudo; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; and T. Onuma
Physica Status Solidi (b), 2021年12月02日, ［査読有り］

Mist Chemical Vapor Deposition Growth of alfa-In2O3 Films Using Indium Oxide Powder as Source Precursor
A. Taguchi; S. Takahashi; A. Sekiguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Onuma; T. Honda; and T. Yamaguchi
Physica Status Solidi (b), 2021年10月10日, ［査読有り］

Identification of free and bound exciton emission of MgO single crystal in vacuum ultraviolet spectral range
T. Onuma; W. Kosaka; K. Kudo; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; and T. Honda
Applied Physics Letters, 2021年09月30日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Selective observation of transverse optical phonons of Au modes to evaluate free charge carrier parameters in beta-Ga2O3 substrate and homoepitaxial film
T. Onuma; K. Sasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; S. Yamakoshi; and M. Higashiwaki
Applied Physics Letters, 2021年06月21日, ［査読有り］

Effect of thermal annealing on photoexcited carriers in nitrogen-ion-implanted beta-Ga2O3 crystals detected by photocurrent measurement
M. Nakanishi; M. H. Wong; T. Yamaguchi; T. Honda; M. Higashiwaki; and T. Onuma
AIP Advances, 2021年03月25日, ［査読有り］

Impact of hydrochloric acid on the epitaxial growth of In2O3 films on (0001)α-Al2O3 substrates by mist CVD
Tomohiro Yamaguchi; Subaru Takahashi; Takanori Kiguchi; Atsushi Sekiguchi; Kentaro Kaneko; Shizuo Fujita; Hiroki Nagai; Mitsunobu Sato; Takeyoshi Onuma; and Tohru Honda
Applied Physics Express, 2020年06月18日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of Cu3N films on (0001)α-Al2O3 substrates
Tomohiro Yamaguchi; Hiroki Nagai; Takanori Kiguchi; Nao Wakabayashi; Takuto Igawa; Toshimi Hitora; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda; and Mitsunobu Sato
Applied Physics Express, 2020年06月18日, ［査読有り］

Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In2O3 epitaxial thin film grown by mist-CVD
Takahiro Nagata; Tomohiro Yamaguchi; Shigenori Ueda; Wei Yi; Jun Chen; Takuya Kobayashi; Hirokazu Yokoo; Tohru Honda; Yoshiyuki Yamashita; and Toyohiro Chikyow
Japanese Journal of Applied Physics, 2020年05月04日, ［査読有り］

In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
Tomohiro Yamaguchi; Takuo Sasaki; Seiji Fujikawa; Masamitu Takahasi; Tsutomu Araki; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda and Yasushi Nanishi
Crystals, 2019年11月28日, ［査読有り］

Influence on thin MOCVD-grown GaN layer on underlying AlN template
Masatomo Sumiya; Kiyotaka Fukuda; Shuhei Yashiro and Tohru Honda
Journal of Crystal Growth, 2019年11月27日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Growth of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure on AlN Template/Sapphire
Masatomo Sumiya; Dickson Kindole; Kiyotaka Fukuda; Shuhei Yashiro; Kanji Takehana; Tohru Honda; and Yasutaka Imanaka
Physica Status Solidi, 2019年11月08日, ［査読有り］

Growth of InGaN films on hardness-controlled bulk GaN substrates
Masatomo Sumiya; Kiyotaka Fukuda; Hajime Fujikura; Taichiro Konno; Takayuki Suzuki; Tetsuji Fujimoto; Takehiro Yoshida; Shigenori Ueda; Kenji Watanabe; Tsuyoshi Ohnishi and Tohru Honda
Applied Physics Letters, 2019年10月21日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
Haruka Matsuura; Takeyoshi Onuma; Masatomo Sumiya; Tomohiro Yamaguchi; Bing Ren; Meiyong Liao; Tohru Honda and Liwen Sang
Applied Science, 2019年04月27日, ［査読有り］

Pure deep-ultraviolet cathodoluminescence from rocksalt-structured MgZnO grown with carbon-free precursors
Kyohei Ishii; Mizuki Ono; Kentaro Kaneko; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda and Shizuo Fujita
Applied Physics Express, 2019年04月11日, ［査読有り］

Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photo thermal deflection spectroscopy
M Sumiya; K. Fukuda; S. Takashima; S. Ueda; T. Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda and A. Uedono
Journal of Crystal Growth, 2019年01月22日, ［査読有り］

Structural evaluation of ions-implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy
Masatomo Sumiya; Kiyotaka Fukuda; Hideo Iwai; Tpmphiro Yamaguchi; Takeyoshi Onuma and Tohru Honda
AIP Advances, 2018年11月28日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Modeling and interpretation of UV and blue luminescence intensity in beta-Ga2O3 by silicon and nitrogen doping
T.Onuma; Y.Nakata; K.Sasaki; T.Masui; T.Yamaguchi; T.Honda; A.Kuramata; S.Yamakoshi; M.Higashiwaki
Journal of Applied Physics, 2018年08月20日, ［査読有り］

Impact of local arrangement of Mg and Zn atoms in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys on bandgap and deep UV cathodoluminescence peak energies
T.Onuma; M.Ono; K.Ishii; K.Kaneko; T.Yamaguchi; S.Fujita; and T.Honda
Applied Physics Letters, 2018年08月10日, ［査読有り］
ラスト(シニア)オーサー

Deep-Ultraviolet Luminescence of Rocksalt-Structured MgxZn1-xO (x > 0.5) Films on MgO Substrates
Kentaro Kaneko; Keiichi Tsumura; Kyohei Ishii; Takeyoshi Onuma; Tohru Honda and S. Fujita
Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2018年04月25日, ［査読有り］

Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films
M. Ono; K. Saksaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato; T. Honda and T. Onuma
Physica Status Solidi (b), 2018年02月02日, ［査読有り］

Deep-level defects related to the emissive pits in thick InGaN films on GaN template and bulk substrates
Masatomo Sumiya; Naoki Toyomitsu; Yoshitaka Nakano; Jianyu Wang; Yoshitomo Harada; Liwen Sang; Takashi Sekiguchi; Tomohiro Yamaguchi and Tohru Honda
APL Materials, 2017年01月27日, ［査読有り］

Temperature-dependent exciton resonance energies and their correlation with IR-active optical phonon modes in β-Ga2O3 single crystals
T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata; and M. Higashiwaki
Applied Physics Letters, 2016年03月07日, ［査読有り］

Improvement of strained InGaN solar cell performance with a heavily doped n+-GaN substrate
M. Sumiya; T. Honda; L. Sang; Y. Nakanon; K. Watanabe and F. Hasegawa
Physics Status Solidi (A), 2015年05月, ［査読有り］

Lattice dynamics of a mist-chemical vapor deposition-grown corundum-like Ga2O3 single crystal
Download PDF; R. Cuscó; N. Domènech-Amador; T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; T. Honda and L. Artús
Journal of Applied physics, 2015年05月, ［査読有り］

Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures
T. Onuma; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda; M. Higashiwaki
Appl. Phys. Exp., 2015年04月, ［査読有り］

Conductive and semi-transparent Cu thin film fabricated using molecular precursor solutions
Hiroki Nagai; Shohei Mita; Ichiro Takano; Tohru Honda; Mitsunobu Sato
Materials Letters, 2015年01月, ［査読有り］

Growth of crystallized AlOx on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE
Y. Sugiura; T. Honda; M. Higashiwaki
J. Cryst. Growth, 2014年07月, ［査読有り］

総論：マイクロLED実用化展望とチップ集積化技術
本田 徹
OPTRONICS, 2019年01月10日, ［招待有り］
筆頭著者

Cathodoluminescence spectra of Ga–In–O polycrystalline !lms fabricated by molecular precursor method
T. Onuma; T. Yasuno; S. Takano; R. Goto; S. Fujioka; T. Hatakeyama; T. Oda; H. Hara; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
Cathodoluminescence spectra of Ga–In–O polycrystalline films fabricated by molecular precursor method, 2014年05月

Cathodoluminescence spectra of Ga-In-O polycrystalline films fabricated by molecular precursor method
2014年05月

Effect of (GaN/AlN) alternating-source-feeding buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE
2013年11月

Fabrication of Red, Green, and Blue Pixels Using Integrated GaN-Based Schottky-Type Light-Emitting Diodes
2013年08月

Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in β-Ga2O3 single crystals
T. Onuma; S. Fujioka; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; K. Sasaki; T. Masui; T. Honda
Applied Physics Letters, 2013年07月

Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in beta-Ga2O3 single crystals
2013年07月

GaN growth on (111)Al substrates by CS-MBE and their chemical lift-off technique
2013年03月

Electron-beam incident-angle-resolved cathodoluminescence studies on bulk ZnO crystals
2013年

Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using droplet elimination by radical-beam irradiation
2013年

Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces
2012年09月

Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by surface modification using the aluminum facepack technique
2012年

Surface recombination of hexagonal GaN crystals
2011年

Photoluminescence and photoreactivity affected by oxygen defects in crystal-oriented rutile thin film fabricated by molecular precursor method
2010年10月

Fabrication of c-axis oriented Ga-doped MgZnO-based UV transparent electrodes by molecular precursor method
2010年

Fabrication of GaN-based metal-oxide-semiconductor light-emitting diodes operating in ultraviolet spectral region
2007年07月

Fabrication of surface-oxidized GaN crystallites for UV electrolumineseent devices
2007年06月

GaN films deposited on (111)Si by CS-MBD with re-evaporation enhancement technique for UV light-emitting devices
2007年04月, ［査読有り］

Low-temperature deposition of hexagonal GaN films for UV electroluminescent devices by CS-MBE technique
2007年04月

Compound-source molecular beam epitaxy of GaN using GaN powder and ammonia as sources
2007年04月

Thermal effects on light-emission properties of GaN LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
2007年03月

Integrated light-emitting diodes grown by MOVPE for flat panel displays
2007年01月

ZnO films fabricated by spin coating and their application to UV electroluminescent devices
2007年

GaN-based Schottky-type UV light-emitting diodes and their integration for flat-panel displays
2007年

Fabrication of GaN-based electroluininescent devices on Al substrates and their application to red, green and blue pixels for flat-panel displays
2007年

GaN films deposited on (111)Si by CS-MBD with re-evaporation enhancement technique for UV light-emitting devices
2007年

Compound-source molecular beam epitaxy of GaN on Si at low temperature using GaN powder and ammonia as sources
2006年11月

Fabrication of surface-oxidized GaN crystallites for UV electroluminescent devices
2006年10月

Deposition of GaN films for UV electroluminescent devices by MBE technique
2006年09月

Compound source molecular beam epitaxy of GaN using GaN powder and ammonia sources
2006年09月

Fabrication of GaN-base Electroluminescent devices operating in UV and violet spectral regions
2006年09月

GaN films deposited on (111)Si by CS-MBD with re-evaporation enhancement technique for UV light-emitting devices
2006年08月

Electroluminescent devices fabricated using GaNO crystallites
2006年08月, ［査読有り］

Cathodoluminescence spectra of surface-oxidized GaN crystallites
2006年07月

Thermal effects for the light emission properties of GaN LEDs grown by MOVPE
2006年06月

Fabrication of GaN-based electroluminescent devices on Al substrates and their application to RGB pixels for flat display panels
2006年05月

GaN-based Schottky-type UV light-emitting diodes and their integration for flat display panels
2006年05月

Fabrication of ZnO films using a spin-coating technique and their application to UV electroluminescent devices
2006年05月

Electroluminescent devices using GaNO crystallites
2006年03月

GaNで発光コンデンサを！？低コスト発光素子への挑戦
本田 徹
工業材料、Vol. 54, No.1, pp. 1 － 5 (2006)., 2006年01月

Electroluminescent devices using GaNO crystallites
T. Baba; M. Akiyama; S. Egawa; N. Hasunuma; M. Watanabe; T. Honda; H. Kawanishi
15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (2006). Wed P-19B, 2006年

GaN-based Schottky-type UV light-emitting diodes and their integration for flat display panels
T. Kobayashi; S. Egawa; M. Sawada; T. Honda; H. Kawanishi
6th International Symposium on Blue Laser and light-emitting Diodes, Montpellier, France, 2006, 15-19 May, P2.43, 2006年

Fabrication of GaN-based electroluminescent devices on Al substrates and their application to RGB pixels for flat display panels
K. Sugimoto; S. Egawa; M. Arai; T. Honda; H. Kawanishi
6th International Symposium on Blue Laser and light-emitting Diodes, Montpellier, France, 2006, 15-19 May, P2.24, 2006年

Fabrication of ZnO films using a spin-coating technique and their application to UV electroluminescent devices
K. Yoshioka; S. Egawa; T. Kobayashi; T. Baba; T. Honda; H. Kawanishi
6th International Symposium on Blue Laser and light-emitting Diodes, Montpellier, France, 2006, 15-19 May, P1.47, 2006年

Thermal effects for the light emission properties of GaN LEDs grown by MOVPE
T. Honda; T. Kobayashi; S. Egawa; M. Sawada; K. Sugimoto; T. Baba; H. Kawanishi
First International Symposium on Growth of III-V Nitrides, Linkoping, Sweden, 2006, 4 -7 June, TuP10, 2006年

Deposition of GaN films for UV electroluminescent devices by MBE technique
T. Honda; S. Egawa; K. Sugimoto; M. Arai; H. Kawanishi
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, Japan, 2006, 3 -7 September, MoA3-6, 2006年

Compound source molecular beam epitaxy of GaN using GaN powder and ammonia sources
M. Sawada; H. Yamamoto; M. Arai; T. Honda; H. Kawanishi
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, Japan, 2006, 3 -7 September, ThP-15., 2006年

Fabrication of GaN-base Electroluminescent devices operating in UV and violet spectral regions
K. Sugimoto; S. Egawa; T. Baba; M. Arai; K. Watanabe; T. Honda
13th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2006 International Conference on the Science and Technology of Emissive Display and Lightning (EL2006), Jeju, Korea, 18 － 22 September, 2006, P-I-B3, 2006年

UV electroluminescent devices fabricated using GaN crystallites
T. Baba; K. Sugimoto; M. Watanabe; T. Okuhata; T. Honda
13th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2006 International Conference on the Science and Technology of Emissive Display and Lightning (EL2006), Jeju, Korea, 18 － 22 September, 2006, P-I-B5, 2006年

Fabrication of surface-oxidized GaN crystallites for UV electroluminescent devices
T. Honda; T. Baba; M. Watanabe; T. Okuhata
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Japan, 22 － 27 October 2006, WeOD2-1, 2006年

Compound-source molecular beam epitaxy of GaN on Si at low temperature using GaN powder and ammonia as sources
T. Honda; M. Sawada; H. Yamamoto; M. Sawadaishi
Materials Research Society 2006 Fall Meeting, Boston MA, USA, 28 November － 1 December 2006, I7.23, 2006年

Photoluminescence spectra of GaN films grown at low temperature by compound-source molecular beam epitaxy
2006年

Electroluminescent devices fabricated using GaNO crystallites
2006年

Relationship between excess Ga and residual oxides in amorphous GaN films deposited by compound source molecular beam epitaxy
2005年12月, ［査読有り］

Low-temperature deposition of GaN films by compound source MBE
2005年09月

GaN films deposited by compound source MBE for light emitting devices
2005年09月

Photoluminescence spectra of GaN layers grown at low temperature by compound source MBE
2005年08月

GaN films deposited at low temperature on (111)Si by compound-source molecular beam epitaxy technique
2005年07月

GaN films deposited at low temperature on Al substrates by compound source molecular beam deposition for electroluminescent devices
2005年07月

Fabrication of BAlGaInN Multi-layer or quantum well structure for blue to UV light emitter and its application to optical devices
2005年02月, ［査読有り］

Fabrication of BAlGaInN Multi-layer or quantum well structure for blue to UV light emitter and its application to optical devices
H. Kawanishi; T. Honda
IPAP books, 2005年

GaN films deposited at low temperature on Al substrates by compound source molecular beam deposition for electroluminescent devices
S. Egawa; T. Honda; N. Obinata; K. Sugimoto; H. Kawanishi
International Quantum Electronics Conference 2005 and the Pasific Rim Conference on Laser and Electro-optics 2005, 2005年

Photoluminescence spectra of GaN layers grown at low temperature by compound source MBE
T. Honda; M. Sawada; T. Kobayashi; S. Egawa; Y. Aoki; M. Akiyama; H. Kawanishi
The 6th International Conference on Nitride Semiconductors. Thp-088, 2005年

GaN films deposited by compound source MBE for light emitting devices
S. Egawa; T. Honda; K. Sugimoto; N. Obinata; H. Kawanishi
British Association for Crystal Growth. (2005) C5, 2005年

Low-temperature deposition of GaN films by compound source MBE
K. Sugimoto; N. Obinata; S. Egawa; M. Sawada; M. Arai; T. Honda; H. Kawanishi
British Association for Crystal Growth. (2005) A2, 2005年

Relationship between excess Ga and residual oxides in amorphous GaN films deposited by compound source molecular beam epitaxy
N. Obinata; K. Ijima; M. Ishibiki; S. Egawa; K. Sugimoto; H. Kawanishi
Japanese Journal of Applied Physics, 2005年

Fabrication of GaN nanocrystallites and their application to UV/blue electroluminescent devices
2004年09月

Size selection of oxidized GaN crystallites and their cathodoluminescence properties
2004年07月

Low-temperature growth of GaN layers on (0001)6H-SiC by compound source molecular beam epitaxy
2004年07月

GaN-based UV/blue electroluminescent devices deposited on Si at low temperature
2004年

Emission characteristics of CuGaS2-based light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy
2003年09月

Amorphous GaN:Zn films deposited by molecular beam epitaxy
2003年08月, ［査読有り］

Reflection high-energy electron diffraction pattern of GaN grown on 6H-SiC by metalorganic molecular beam epitaxy using AlGaN template
2003年07月

Amorphous GaN:Zn films deposited by molecular beam epitaxy
T. Honda; K. Shimanuki; M. Akiyama; Y. Amahori; H. Kimura; H. Kawanishi
Physica Status Solidi (c), 2003年

Amorphous GaN-based electroluminescent devices operating in UV spectral region
2002年12月, ［査読有り］

Deposition of amorphous GaN by compound source molecular beam epitaxy for electroluminescent devices
2002年08月

Application of amorphous GaN for elctroluminescence device
2002年04月

Growth of CuGaS2-based Chalcopyrite compounds and their heterostructure by MOVPE
2002年02月, ［査読有り］

Growth of CuGaS2-based Chalcopyrite compounds and their heterostructure by MOVPE
T. Honda; K. Hara; J. Yoshino; H. Kukimoto
IPAP Books, 2002年

Application of amorphous GaN for elctroluminescence device
T. Honda; H. Kawanishi
Material Research Society Symposium Proceedings, 2002年

Amorphous GaN-based electroluminescent devices operating in UV spectral region
T. Honda; Y. Inao; K. Konno; K. Mineo; S. Kumabe; H. Kawanishi
Physica Status Solidi (c), 2002年

GaN growth by compound source molecular beam epitaxy
2002年

GaN growth by compound source MBE using GaN powder
2001年12月, ［査読有り］

Emission Characteristics of GaN-based EL device with AC operation
2001年04月

Emission Characteristics of GaN-based EL device with AC operation
T. Honda; H. Kawanishi
Material Research Society Symposium Proceedings, 2001年

GaN growth by compound source MBE using GaN powder
2001年

GaN-based electroluminescence devices with AC operation using GaN powder
2000年12月

Lattice constant of GaN grown on 6H-SiC by MOMBE
2000年06月

Excitonic emission of BGaN grown on (0001) 6H-SiC by metal-organic vapor-phase epitaxy
2000年05月

Band-gap energy and effective mass of BGaN
2000年04月

Initial growth monitoring of GaN epitaxy on 6H-SiC by MOMBE
2000年02月, ［査読有り］

GaN-based electroluminescence devices with AC operation using GaN powder
T. Honda; K. Maki; H. Kawanishi
IPAP Conference Series, 2000年

Excitonic emission of BGaN grown on (0001) 6H-SiC by metal-organic vapor-phase epitaxy
2000年

Initial growth monitoring of GaN epitaxy on 6H-SiC by MOMBE
2000年

Possibility of strain control in AlN layer grown by MOVPE on (0001)6H-SiC with AlN/GaN buffer
1999年12月, ［査読有り］

Dependence on crystal quality on residual strain in strain-controlled thin AlN layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy
1999年11月, ［査読有り］

GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
本田徹; 白澤智恵; 持田宣晃; 井上彰; 松谷晃宏; 坂口孝浩; 小山二三夫; 伊賀健一
電子通信情報学会論文誌C-II, 1999年06月, ［査読有り］

Tensile strain introduced in AlN layer grown by metal-organic vapor phase epitaxy on (0001)6H-SiC with (GaN/AlN) buffer
1999年05月, ［査読有り］

Design and fabrication process consideration of GaN-based surface emitting laser
T. Honda; T. Shirasawa; N. Mochida; A. Inoue; A. Matsutani; T. Sakaguchi; F. Koyama; H. Kawanishi; K. Iga
Electronics and Communication inJapan part 2, 1999年

Tensile strain introduced in AlN layer grown by metal-organic vapor phase epitaxy on (0001)6H-SiC with (GaN/AlN) buffer
1999年

Design and fabrication process consideration of GaN-based surface emitting laser
1999年

Dependence on crystal quality on residual strain in strain-controlled thin AlN layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy
1999年

Possibility of strain control in AlN layer grown by MOVPE on (0001)6H-SiC with AlN/GaN buffer
1999年

MO-MBE Growth of GaN on 6H-SiC without Buffer Layer Using Preheated Nh3
1998年07月

GaN/BAlN heterostructure grown on a (0 0 0 1)6H-SiC substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
1998年06月15日

Origin of cracks in GaN/AlGaN DH structure grown on 6H-SiC by metalorganic vapor phase epitaxy
1998年06月

Interface control of GaN/AlGaN quantum well structures in MOVPE growth
1998年06月

Crystal orientation dependence of p-type contact resistance of GaN
1998年06月

Effect of piezo electric field on emission characteristics in GaN/AlGaN quantum wells
1998年06月

Direct growth of GaN on (0001) 6H-SiC by low-pressure MOVPE with a flow channel
1998年06月

Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
1998年04月

P-type Doping for CuGaS2 Grown by MOVPE
1998年04月, ［査読有り］

Optical and Carrier Confinement of UV Lasers Based on BAlGaN Quaternary Systems
1998年03月

Thermodynamic Analisys of MOVPE Growth of BAlGaN
Y. Kuga; M. Tsubamoto; T. Honda; H. Kawanishi; A. Koukitu; H. Seki
Optoelectronics'98 3283, Physics and Simulation of Optoelectronics Devices VI, 1998年

Optical and Carrier Confinement of UV Lasers Based on BAlGaN Quaternary Systems
M. Tsubamoto; J. Yamamoto; T. Honda; H. Kawanishi
15th Semiconductor Laser Symposium, 1998年

P-type Doping for CuGaS2 Grown by MOVPE
T. Honda; K. Hara; J. Yoshino; H. Kukimoto
Inst. Phys. Conf. Ser., 1998年

MO-MBE Growth of GaN on 6H-SiC without Buffer Layer Using Preheated Nh3
T. Honda; Y. Yamamoto; H. Kawanishi
17th Electric Materials Symposium, 1998年

Thermodynamic Analisys of MOVPE Growth of BAlGaN
1998年01月

Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
1998年

Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
1997年12月

Low Pressure MOCVD Growth of GaAlN and Related Compound for UV Emission
1997年11月

BGaNの有機金属気相成長における熱力学解析
久我裕一郎、鍔元美恵子、本田徹、川西英雄、纐纈明伯、関壽
第40回工学院大学研究発表講演会, 1997年10月, ［査読有り］

Effect of Piezo Electric Field on Emission Characteristics in GaN/AlGaN Quantum Wells
T. Honda; T. Miyamoto; T. Sakaguchi; H. Kawanishi; F. Koyama; K. Iga
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年10月

GaN/BAlN Heterostructures Grown on (0001)6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
1997年10月

Direct Growth of GaN on (0001)6H-SiC by Low Pressure MOVPE with Flow Channel
1997年10月

Basic Consideration of Bx1Aly1Ga(1-x1-y2)N/Bx2Aly2Ga(1-x2-y2)N Double Hetero-Structure Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
1997年10月

Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
1997年10月

Crystal Orientation Dependence of p-Type Contact Resistance of GaN
1997年10月

Origin of Cracks in GaN/AlGaN DH Structure Grown on 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
1997年10月

P-type Doping for CuGaS2 Grown by MOVPE
1997年09月

Piezo Effect on Emission Characteristics of GaN/AlGaN Quantum Wells
1997年07月

ZnO Buffer Layer on Si and Sapphire Substrates for GaN MOVPE
1997年04月, ［査読有り］

Design Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
1997年04月, ［査読有り］

Design of Low Threshold GaN-Based Quantum Well Surface Emitting Lasers
1997年04月, ［査読有り］

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE
1997年04月, ［査読有り］

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors Formed by Electron-Beam Evapolation for GaN Surafce Emitting Lasers
1997年04月, ［査読有り］

GaN Growth by MOVPE on Ozonized Sapphire (0001) Substrates
1997年03月

GaN Growth by MOVPE on Ozonized Sapphire Substrates
1997年03月

Diode Characetristics of Li3N Diffused ZnSe Grown by MOVPE
1997年02月, ［査読有り］

GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
本田徹、五月女耕二、白澤智恵、森美由紀、持田宣晃、井上彰、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
電子通信情報学会技術研究報告, 1997年01月, ［査読有り］

GaN Growth by MOVPE on Ozonized Sapphire Substrates
T. Honda; A. Inoue; M. Mori; T. Shirasawa; K. Saotome; N. Mochida; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
Fourth Workshop on Wide Gap Nitrides, 1997年

GaN Growth by MOVPE on Ozonized Sapphire (0001) Substrates
T. Honda; A. Inoue; M. Mori; T. Shihrasawa; K. Saotome; N. Mochida; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
14th Smiconductor Symposium, 1997年

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors Formed by Electron-Beam Evapolation for GaN Surafce Emitting Lasers
T. Sakaguchi; T. Honda; A. Katsube; F. Koyama; K. Iga
Proc. Topical Nitride Workshops Ed. By I. Akasaki and K. Onabe (Pergamon Press,1997), 1997年

ZnO Buffer Layer on Si and Sapphire Substrates for GaN MOVPE
T. Shirasawa; T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Mat. Res. Symp. Proc., 1997年

Design of Low Threshold GaN-Based Quantum Well Surface Emitting Lasers
T. Honda; A. Katsube; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
Proc. Topical Nitride Workshops Ed. By I. Akasaki and K. Onabe (Pergamon Press,1997), 1997年

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE
K. Saotome; A. Matsutani; T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Mat. Res. Symp. Proc., 1997年

Design Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Mat. Res. Symp. Proc., 1997年

Piezo Effect on Emission Characteristics of GaN/AlGaN Quantum Wells
T. Honda; T. Miyamoto; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
16th Elecric Materials Symposium, 1997年

P-type Doping for CuGaS2 Grown by MOVPE
T. Honda; K. Hara; J. Yoshino; H. Kukimoto
11th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 1997年

Origin of Cracks in GaN/AlGaN DH Structure Grown on 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
J. Yamamoto; M. Kurimoto; M. Shibata; T. Honda; H. Kawanishi
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

Basic Consideration of Bx1Aly1Ga(1-x1-y2)N/Bx2Aly2Ga(1-x2-y2)N Double Hetero-Structure Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
M. Tsubamoto; T. Honda; J. Yamamoto; M. Kurimoto; M. Shibata; M. Haruyama; H. Kawanishi
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
T. Shirasawa; N. Mochida; A. Inoue; T. Honda; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

Direct Growth of GaN on (0001)6H-SiC by Low Pressure MOVPE with Flow Channel
M. Kurimoto; M. Shibata; J. Yamamoto; M.Tsubamoto; T. Honda; H. Kawanishi
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

GaN/BAlN Heterostructures Grown on (0001)6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
M. Shibata; M. Kurimoto; J. Yamamoto; T. Honda; H. Kawanishi
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

Crystal Orientation Dependence of p-Type Contact Resistance of GaN
N. Mochida; T. Honda; T. Shirasawa; A. Inoue; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
The Second International Conference on Nitride Semiconductors, 1997年

Low Pressure MOCVD Growth of GaAlN and Related Compound for UV Emission
H. Kawanishi; M. Kurimoto; J. Yamamoto; M. Shibata; T. Honda
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1997 Annual Meeting, 1997年

Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001)6H-SiC
T. Honda; M. Tsubamoto; Y. Kuga; H. Kawanishi
Materials Research Society 1997 Fall Meeting, 1997年

Diode characteristics of Li3N-diffused ZnSe grown by MOVPE
1997年01月

ZnO Buffer Layer on Si and Sapphire Substrates for GaN MOVPE
1997年

Effect of Piezo Electric Field on Emission Characteristics in GaN/AlGaN Quantum Wells
1997年

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE
K. Saotome; A. Matsutani; T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Materials Research Society 1996 Fall Meeting, 1996年12月

Design Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
1996年12月

Precleaning of Al2O3 Substrate for MOVPE Growth of GaN Layers
1996年12月

Formation of highly conductive p-type ZnSe using Li3N diffusion
1996年07月

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE on Sapphire
1996年07月

Growth Rate and Crystal Quality of GaN Grown by MOVPE
1996年07月

Formation of ZnO Buffer Layer on Si for GaN Growth by MOVPE
1996年07月

Characteristics Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
1996年07月

Dielectric Multilayer Reflector for ZnSe-Based Blue Surface Emitting Lasers
1996年06月, ［査読有り］

Fundamental Study on Surface Emitting Lasers in Green to Ultraviolet Spectral Region
1996年03月

Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers with Low Threshold Operation
1996年02月, ［査読有り］

Design and fabrication of ZnSe-based blue/green surface emitting lasers
1996年02月

Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers with Low Threshold Operation
T. Honda; A. Katsube; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
Institute of Physics Conference Series, 1996年

Fundamental Study on Surface Emitting Lasers in Green to Ultraviolet Spectral Region
T. Honda; T. Sakaguchi; T. Shirasawa; F. Koyama; K. Iga
13th Semiconductor Laser Symposium, 1996年

Estimation of Etched Reflectivity of GaN-Based Semiconductor Lasers
K. Saotome; T. Honda; A. Matsutani; F. Koyama; K. Iga
The International symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 1996年

Dielectric Multilayer Reflector for ZnSe-Based Blue Surface Emitting Lasers
T. Shirasawa; M. Mori; K. Saotome; A. Katsube; T. Honda; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
The International symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, 1996年

Characteristics Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
T. Honda; T. Sakaguchi; K. Saotome; T. Shirasawa; M. Mori; F. Koyama; K. Iga
15th Electric Materials Symposium, 1996年

Growth Rate and Crystal Quality of GaN Grown by MOVPE
M. Mori; T. Honda; T. Shirasawa; K. Saotome; T. Sakagichi; F. Koyama; K. Iga
15th Electric Materials Symposium, 1996年

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE on Sapphire
K. Saotome; A. Matsutani; T. Shirasawa; M. Mori; T. Honda; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
15th Electric Materials Symposium, 1996年

Diode Characetristics of Li3N Diffused ZnSe Grown by MOVPE
T. Honda; S. W. Lim; K. Inoue; K. Hara; H. Munekata; H. Kukimoto; F. Koyama; K. Iga
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 1996年

Formation of ZnO Buffer Layer on Si for GaN Growth by MOVPE
T. Shirasawa; T. Honda; M. Mori; K. Saotome; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
15th Electric Materials Symposium, 1996年

Design Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Materials Research Society 1996 Fall Meeting, 1996年

ZnO Buffer Layer on Si and Sapphire Substrates for GaN MOVPE
T. Shirasawa; T. Honda; F. Koyama; K. Iga
Materials Research Society 1996 Fall Meeting, 1996年

Precleaning of Al2O3 Substrate for MOVPE Growth of GaN Layers
T. Honda; K. Saotome; T. Shirasawa; M. Mori; N. Mochida; A. Inoue; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
5th Meeting of Silicon Carbide and Related Widegap Materials, 1996年

Design and fabrication of ZnSe-based blue/green surface emitting lasers
1996年

Estimation of Etched Reflectivity of GaN-Based Semiconductor Lasers
1996年

Dielectric multilayer reflector for ZnSe-based blue surface emitting lasers
1996年

Estimation of etched facet reflectivity of GaN-based semiconductor lasers
1996年

Reactive Ion Beam Etching of GaN Grown by MOVPE
1996年

Design and Fabrication of Mirror for GaN-Based Surface Emitting Lasers
1995年12月

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors for GaN-Based Ultraviolet Surafce Emitting Lasers
1995年11月

OPTICALLY PUMPED ZNSE-BASED VERTICAL-CAVITY SURFACE EMITTER WITH SIO2/TIO2 MULTILAYER REFLECTOR
1995年10月

Design of Low Threshold GaN-Based Quantum Well Surface Emitting Laser
A. Katsube; T. Honda; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
Topical Workshop on III-V Nitrires, 1995年09月

Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers with Low Threshold Operation
1995年09月

THRESHOLD ESTIMATION OF GAN-BASED SURFACE-EMITTING LASERS OPERATING IN ULTRAVIOLET SPECTRAL REGION
1995年07月

ZnSe-based Vertical Fabry Perot Cavity for Blue Surface Emitting Lasers
1995年07月

Ohmic Contact Formation for p-type ZnSe Using Li3N Diffusion
1995年07月

Possibility of GaN-/ZnSe-Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Operating in Short Wavelength Spectral Region
1995年07月

Li3N拡散を用いたp型ZnSeへのオーミックコンタクト
本田徹、S. W. Lim; 梁嶋克典、井上浩介、宗片比呂夫、柊元宏、小山二三夫、伊賀健一
第42回応用物理学会関係連合講演会, 1995年03月

電子ビーム蒸着によるGaN系面発光レーザ用誘電体多層膜反射鏡
坂口孝浩、本田徹、勝部敦史、小山二三夫、伊賀健一
第42回応用物理学会関係連合講演会, 1995年03月

Basic Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers
1995年03月

Basic Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers
T.Honda; T.Sakaguchi; A. Katsube; F. Koyama; K.Iga
12th Smiconductor Laser Symposium, 1995年

ZnSe-based Vertical Fabry Perot Cavity for Blue Surface Emitting Lasers
T. Honda; K. Inoue; H. Munekata; H. Kukimoto; F. Koyama; K.Iga
The Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, 1995年

Ohmic Contact Formation for p-type ZnSe Using Li3N Diffusion
T. Honda; S. W. Lim; K. Inoue; K. Hara; H. Munekata; H. Kukimoto; F. Koyama; K. Iga
14th Electric Materials Symposium, 1995年

Possibility of GaN-/ZnSe-Based Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Operating in Short Wavelength Spectral Region
T. Honda; F. Koyama; K. Iga
57th Group of Microoptics Meeting､Optical Society of Jaopan, 1995年

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors Formed by Electron-Beam Evapolation for GaN Surafce Emitting Lasers
T. Sakaguchi; T. Honda; A. Katsube; F. Koyama; K. Iga
Topical Workshop on III-V Nitrires, 1995年

Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers with Low Threshold Operation
T. Honda; A. Katsube; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 1995年

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors for GaN-Based Ultraviolet Surafce Emitting Lasers
T. Sakaguchi; T. Honda; A. Katsube; F. Koyama; K. Iga
LEOS95 Annual Meeting Conference Proceedings, 1995年

Design and Fabrication of Mirror for GaN-Based Surface Emitting Lasers
T. Honda; A. Katsube; K. Saotome; T. Shirasawa; M. Mori; T. Sakaguchi; F. Koyama; K. Iga
4th Meeing of Silicon Carbide and Related Widegap Materials, 1995年

Design of Low Threshold GaN-Based Quantum Well Surface Emitting Laser
1995年

MgO/SiO2 Dielectric Multilayer Reflectors Formed by Electron-Beam Evapolation for GaN Surafce Emitting Lasers
1995年

Fundamental Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers
1994年12月

Highly‐doped p‐ZnSe Formation by Li3N Diffusion
S. W. Lim; T. Honda; K. Yanashima; F. Koyama and K. Iga
IEEE Lasters and Electro‐Optics Society Annal Meeting，Boston，MA，USA, 1994年11月

HIGH P-TYPE DOPING OF ZNSE USING LI3N DIFFUSION
1994年11月

Highly Conduitive p-type ZnSe Formation Using Li3N Diffusion
1994年08月

FABRICATION OF A ZNSE-BASED VERTICAL FABRY-PEROT CAVITY USING SIO2/TIO2 MULTILAYER REFLECTORS AND RESONANT EMISSION CHARACTERISTICS
1994年07月

Formation of p-ZnSe Contact Layaer by (Li,N) Diffusion for MOCVD-Grown II-VI Injection Lasers
1994年07月

Threshold Estimation of GaN-based Surface Emitting Lasers Operating in Blue-Ultraviolet Spectral Region
1994年07月

SELECTIVE ETCHING OF GAAS FOR ZNSE BASED SURFACE-EMITTING LASERS
1994年02月

Formation of p-ZnSe Contact Layaer by (Li,N) Diffusion for MOCVD-Grown II-VI Injection Lasers
S. W. Lim; T. Honda; K. Yanashima; K. Inoue; H. Munekata; H. Kukimoto; F. Koyama; K. Iga
The 5th Optoelectronics Conference, 1994年

Threshold Estimation of GaN-based Surface Emitting Lasers Operating in Blue-Ultraviolet Spectral Region
T.Honda; T.Sakaguchi; A. Katsube; F. Koyama; K.Iga
13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, 1994年

Highly Conduitive p-type ZnSe Formation Using Li3N Diffusion
S. W. Lim; T. Honda; K. Yanashima; K. Inoue; H. Munekata; H. Kukimoto; F. Koyama; K. Iga
The 1994 Intrenational Conference on Solid State Devices and Materials,Yokohama,Japan, 1994年

Fundamental Design of GaN-Based Surface Emitting Lasers
T.Honda; T.Sakaguchi; A. Katsube; F. Koyama; K.Iga
Nitride Smiconductor Seminar, 1994年

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuAlxGa1-x(SySe1-y)2
1993年04月, ［査読有り］

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuGaS2 Using Ditertiary-buthylsulfide
1993年04月, ［査読有り］

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuGaS2 Using Ditertiary-buthylsulfide
T. Honda; H. Otoma; K. Hara; J. Yoshino; H. Kukimoto
Japanese Journal of Applied Physics, 1993年

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuAlxGa1-x(SySe1-y)2
1993年

GROWTH OF CUGAS2 BY ALTERNATING-SOURCE-FEEDING MOVPE
1991年12月

Growth of CuGaS2 by Alternating-Source-Feeding MOVPE
H. Otoma; T. Honda; K. Hara; J. Yoshino; H. Kukimoto
The Seventh Intenational Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Nagoya, Japan, 1991年

Growth of CuGaS2 by Alternating-Source-Feeding MOVPE
1991年

ワイドギャップI-III-VI2族化合物のMOVPE
原和彦; 篠沢太郎; 本田徹; 吉野淳二; 柊元宏
応用物理, 1989年

ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術
進藤隆太、赤川広海、山口智広、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、富樫理恵、岸野克巳
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日

(10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光
赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長－GaInNの成長温度依存性－
竹内丈、佐々木拓生、大熊豪、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
小川広太郎、高坂亘、日下皓也、三富俊希、山口智広、本田徹、太田優一、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討
山田魁、山田琴乃、山田梨詠、山本拓実、櫻井辰大、尾沼猛儀、山口智広、青木徹、中野貴之、本田徹
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化
山田琴乃、山本拓実、山田梨詠、山田魁、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月21日

III族不純物ドープMgO薄膜の正孔捕獲中心
三富俊希、高坂亘、松田真樹、小川広太郎、日下皓也、太田優一、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日

Growth of AZO thin films from pressed-sintered powder targets under subatmospheric conditions
R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr.
20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20), 2023年08月03日

Growth of GaInN/GaInN MQWs on nanocolumns with thick GaInN buffer layer using RF-MBE
H. Akagawa; J. Yamada; T. Yamaguchi; R. Togashi; T. Onuma; I. Nomura; T. Honda; K. Kishino
20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20), 2023年07月31日

発光径Φ5μmのナノコラム発光デバイスの作製
山田純平、水野愛、赤川広海、吉村賢哉、高橋昂司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日

N2 および Ar/H2 アニールによる SnOx 薄膜の還元状態の比較
渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日

Ar/N2混合ガス中スパッタリングで堆積したSnOx薄膜におけるN2濃度の影響
川口拓真、渡辺幸太郎、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日

Mist CVD法による各種In系粉末を出発原料に用いたα-In2O3の成長機構に関する検討
山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日

Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作
田口義士、山寺真理、山本拓実、林佑哉、村山衛、小川広太郎、本田徹、尾沼猛儀、金子健太郎、相川真也、藤田静雄、山口智広
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日

窒素RFパワー変化によるナノコラム結晶のGaInNバッファ層形状均一化の検討
赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長における格子緩和過程観察
竹内丈、佐々木拓生、横山晴香、尾沼猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル（II）
日下皓也、高坂亘、小川広太郎、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

ミストCVD法によるIII族ドープ岩塩構造MgZnO薄膜成長
松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日

Crystal growth of Cu3N by mist CVD with ethylenediamine
S. Yoshida; H. Nagai; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Growth of ZnO thin films via magnetron sputtering using a custom-made sintered target
R. G. B. Madera; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi; M. R. Vasquez Jr
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Study for composition control in mist CVD growth of α-GIO alloys
K. Yamada; T. Yamaguchi; T. Onuma; T. Honda
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Investigation on the stability of source solution for the α-In2O3 growth by mist CVD
T. Yamamoto; A. Taguchi; R. Yamada; H. Nagai; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Roles of In doping in rocksalt-structured MgZnO films grown by mist CVD method
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Realization of high mobility in α-In2O3 film grown by mist CVD with different concentration of In2O3 powder as source precursor
A. Taguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

TEM evaluation of in-situ nitrogen plasma irradiated GaInN
A. Tokushige; S. Ohno; Y. Hayakawa; T. Honda; T. Onuma; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Electrical property and valence band offset in conductive MgNiO on sapphire substrates
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Growth and characterization of AlGaN and multiple quantum wells with varying III/V ratios by RF-MBE
M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Structural analysis in epitaxial growth of GaInN by RF-MBE using XRD-RSM
J. Takeuchi; T. Sasaki; H. Yokoyama; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月25日

Twin-free α-Ga2O3 films grown by mist CVD on (0001) α-Al2O3 substrates
R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
The 21st International Symposium on Advanced Technology (ISAT-21), 2022年11月24日

Fabrication of monolithic blue micro-LED pixels and investigation of full colorization
H. Chikui; S. Takeda; T Onuma; T. Yamaguchi; T. Honda
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月17日

Roles of In doped in MgZnO films grown by mist CVD method
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日

Photocurrent spectra of rocksalt-structured MgZnO films in vacuum UV spectral range
H. Kusaka; W. Kosaka; K. Ogawa; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月15日

Realization of near-band-edge cathodoluminescence in 190 nm wavelength range by rocksalt-structured MgZnO epitaxial films
T. Onuma; K. Ogawa; W. Kosaka; H. Kusaka; Y. Ota; K. Kaneko; T. Yamaguchi; S. Fujita; T. Honda
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Impact of gas type on formation of twin structure in the growth of a-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition
R. Yamada; A. Kobayashi; K. Ueno; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; H. Fujioka; T. Yamaguchi
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Growth and optical characteristics of high-Al content AlGaN on AlN templates by RF-MBE,under metal-rich conditions
M. Hayasaki; N. Tachibana; M. Hashimoto; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Local composition distribution in high Al content AlGaN/AlN quantum wells grown by RF-MBE
M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Yamaguchi; T. Honda; T. Onuma
The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), 2022年11月14日

Mist CVD 法により成長した酸化インジウムの高移動度化に伴う新機能開拓
田口義士、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法 α-Ga2O3成長時に形成される双晶抑制に関する研究
山田梨詠、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法 α-In2O3 成長における原料溶液中の反応に関する検討
山本拓実、永井裕己、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE による GaInN 成長における歪み緩和制御
竹内丈、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

岩塩構造 MgZnO/MgO ヘテロ接合の製作とバンドアライメント解析
松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE による β-Ga2O3(-201)基板上への AlN 及び GaN 成長において成長前処理が成長層に及ぼす影響
山口朋也、早崎真洸、山口智広、本田徹、桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Mist CVD 法を用いた Cu3N 成長における原料溶液の検討
吉田将吾、永井裕己、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

顕微フォトルミネッセンス分光による β-Ga2O3 結晶の微細構造の可視化検討
庄司昂平、嘉数誠、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

in-situ 窒素プラズマ照射された MBE 成長 GaInN の TEM 評価
徳重明人、大野颯一朗、本田徹、尾沼猛儀、山口智広
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

RF-MBE 成長した Ga 極性及び N 極性 GaN 薄膜の比較検討
板橋大樹、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第9回先進工学部イノベーションフォーラム (IFAEE 9th), 2022年11月12日

Microstructural characterization of β-Ga2O3,crystals by photoluminescence mapping measurements
K. Shoji; M. Nakanishi; M. Kasu; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日

Impact of RF power on electrical property of NiO films grown by RF magnetron spattering
Akito Ishikawa; M. Murayama; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月25日

RF-MBE growth of Mg doped GaN on β-Ga2O3,(-201) substrates
T. Yamaguchi; M. Hayasaki; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

P-type conductivity in MgxNi1-xO films deposited on sapphire substrates by RF magnetron sputtering
M. Murayama; A. Ishikawa; T. Yamaguchi; T. Honda; K. Sasaki; A. Kuramata; T. Onuma
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist CVD
A. Taguchi; K. Kaneko; K. Goto; T. Onuma; T. Honda; Y. Kumagai; S. Fujita; T. Yamaguchi
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022), 2022年10月24日

Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown by mist CVD method
A. Taguchi; T. Onuma; K. Goto; K. Kaneko; Y. Kumagai; T. Honda; S. Fujita; T. Yamaguchi
41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日

Analyses of Band Alignment in Rocksalt-structured MgZnO/MgO Interface Grown by Mist CVD
M. Matsuda; K. Ogawa; Y. Ota; T. Yamaguchi; K. Kaneko; S. Fujita; T. Honda; T. Onuma
41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月19日

Importance of dissolving source precursor of Ga(C5H7O2)3 with HCl in mist CVD for α-Ga2O3 growth
R. Yamada; A. Sekiguchi; T. Onuma; T. Honda; T. Yamaguchi
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM202), 2022年09月27日

ナノコラム形状制御技術を用いた赤色発光ナノコラムμ-LED構造の成長と作製
山田純平、水野愛、赤川広海、吉村賢哉、高橋昂司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響
山田梨詠、小林篤、上野耕平、関口敦、尾沼猛儀、本田徹、藤岡洋、山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

ミストCVD法によるInドープMgZnO薄膜の成長
松田真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、本田徹、尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での光電流スペクトル
日下皓也、高坂亘、小川広太郎、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

InドープMgO薄膜の発光特性
高坂亘、小川広太郎、松田真樹、日下皓也、太田優一、金子健太郎、山口智広、本田徹、藤田静雄、尾沼猛儀
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日

その場XRD-RSM を用いたRF-MBE GaInNヘテロエピタキシャル成長における緩和過程観察
竹内丈、佐々木拓生、藤川誠司、横山晴香、尾沼 猛儀、本田徹、山口智広、名西憓之
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日

RF-MBEによるInN緩衝層を用いたGaInNの格子緩和制御
板橋大樹、吉田 涼介、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日

Mist CVD法を用いたCu3N成長における安定した原料供給の検討
吉田将吾、山田魁、山口智広、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

窒素アニール還元反応によるSnOx薄膜の局所結合状態
渡辺幸太郎、川口拓真、山口智広、尾沼猛義、本田徹、相川慎也
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

Ar/N2混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化SnOx­­­の特性評価
川口拓真、渡辺幸太郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、相川慎也
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
田口義士、尾沼猛儀、後藤健、金子健太郎、熊谷義直、本田徹、藤田静雄、山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日

RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果
山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西憓之、岸野克巳
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

赤色ナノコラム成長におけるGaInNバッファ層のⅤ/Ⅲ族比依存性
赤川広海、山田純平、山口智広、富樫理恵、尾沼猛儀、野村一郎、本田徹、岸野克巳
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

Mist CVD法による(Ga1-xInx)2O3混晶成長の組成制御に向けた検討
山田魁、山田梨詠、田口義士、高橋昴、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

Mist CVD 法における原料溶液中の反応がα-In2O3成長に与える影響
山本拓実、田口義士、山田梨詠、永井裕己、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日

Mist CVDを用いたGTO薄膜成長におけるSnドープ量変化の影響
山田琴乃、山田梨詠、尾沼猛儀、本田徹、永井裕己、山口智広
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

Mist CVDβ型酸化ガリウム成長に塩酸が与える影響
杉谷諒、田口義士、山田梨詠、山本拓実、尾沼猛儀、本田徹、山口智広
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

RF-MBE法によるAlGaN/AlNヘテロ構造と量子井戸構造の成長と評価
早崎真洸、山口朋也、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

ミストCVD法により成膜したInドープMgO薄膜の発光特性
高坂亘、小川広太郎、松田真樹、日下皓也、太田優一、金子健太郎、藤田静雄、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

RF-MBEによるβ-Ga2O3(-201)基板へのMgドープGaNヘテロ構造の製作
山口朋也、早崎真洸、橋本真理、山口智広、本田徹、佐々木公平、倉又朗人、尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

InドープMgZnO薄膜のミストCVD成長
松田 真樹、小川広太郎、太田優一、山口智広、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、本田徹
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

micro-LED集積化における側面の制御による電極の形成
山崎大和、山口智広、尾沼猛儀、本田徹
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛MSM型真空紫外センサーの受光感度の温度依存性
日下皓也、小川広太郎、金子健太郎、藤田静雄、山口智広、本田徹、尾沼猛儀
第14回大学コンソーシアム八王子学生発表会, 2022年12月03日

放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察～InN解離温度領域での振る舞い～
山口 智広、佐々木 拓生、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹、荒木 努、名西 やすし
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月

alpha-Ga2O3を用いたダブルショットキー型光検出器の製作
力武 健一郎、山口 智広、尾沼 猛儀、本田 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価
角谷 正友、福田 清貴、上田 茂典、浅井 祐哉、Cho Yujin、関口 隆史、上殿 明良、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
尾沼 猛儀、小野 瑞生、石井 恭平、金子 健太郎、山口 智広、藤田 静雄、本田 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価
福田 清貴、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹、岩井 秀夫、Sang Liwen、角谷 正友
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
小野 瑞生、石井 恭平、金子 健太郎、山口 智広、本田 徹、藤田 静雄、尾沼 猛儀
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

窒素ドープ酸化ガリウム薄膜における青色発光の強度変化
尾沼 猛儀、中田 義昭、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 応用物理学会

Influence of interface state and band bending on In and N polar InN from Angle-resolved XPS
Y. Nakajima; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
45th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI 45), 2018年01月, American Vacuum Society

ミストCVD法により成長したIn2O3薄膜を用いたTFT製作検討
小林拓也,澤本一輝,尾沼猛儀,本田徹,相川慎也,山口智広
第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月

コランダム構造酸化ガリウムソーラーブラインド光検出器の開発
力武健一郎,小林拓也,尾沼猛儀,本田徹,山口智広
第9回大学コンソーシアム八王子, 2017年12月

Near surface band bending in InN films grown by DERI method
Y. Nakajima; K. Uehara; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Fabrication of Si micro-cup substrate and its application for integration of μ-LEDs
R. Nawa; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Origin of free holes and visible light absorption in p-type NiO films
M. Ono; T. Onuma; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Bandgap Engineering of α-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Fabrication of TFT using amorphous In2O3 thin film by mist CVD
T. Kobayashi; K. Sawamoto; S. Aikawa; T. Yamaguchi; T. Onuma; and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Formation of Black Matrix for Realization of Micro-LED Display
Y. Chunobayashi; R. Nawa; Y. Takahashi; H. Matsuura; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Unintentionally Doped Impurities in GaN Layer Grown by RF-MBE
D. Taka; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Photothermal Deflection Spectra of Gallium indium nitride layers grown by MOVPE
K. Fukuda; T. Onuma; L. Sang; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Sumiya
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Impact of mask materials on dry etching of GaN using ICP-RIE
H. Matsuura; T. Onuma; T. Honda and T. Yamaguchi
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

Near-the surface Fermi level measured In2O3 and Ga2O3 thin films by molecular precursor method
Y. Takahashi; T. Onuma; H. Nagai; T. Yamaguchi and T. Honda
The 16th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-16), 2017年11月, Kogakuin Univ.

MSM-type solar-blind photodetector with alpha-Ga2O3 film grown by mist CVD
K. Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月

Effect of low temperature buffer layer in mist CVD growth of In2O3 on alfa-Al2O3 substrate
T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月

Deep-UV emission properties of rocksalt-structured MgxZn1-xO Films Grown on MgO (001) Substrates
M. Ono; K. Ishii; T. Uchida; R. Jinno; K. Kaneko; T. Yamaguchi; T. Honda; S. Fujita and T. Onuma
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月

Angle-resolved XPS spectra of InN/GaN grown by DERI method
Y. Nakajima; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
36th Electronic Materials Symposium, 2017年11月

Relationship between Temperature and Growth Rate of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys in the Growth of Mist CVD
T. Yamaguchi; K. Tanuma; T. Kobayashi; H. Nagai; M. Sato; T. Onuma and T. Honda
th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2017), 2017年11月, ［招待有り］

XPS spectra of Ga2O3, In2O3 and their alloys fabricated by molecular precursor method
T. Honda; Y. Takahashi; T. Onuma; T. Yamaguchi; H. Nagai and M. Sato
24th International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 24), 2017年11月

Growth of Ga2-xSnxO3 films by mist chemical vapor deposition
K.Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月, Materials Research Society

Crystal Structure Control in Epitaxial Growth of In2O3 by Mist CVD
T. Kobayashi; K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
Materials Research Society, 2017 Fall Meeting & Exhibit, 2017年11月, Materials Research Society

GaN growth on Al template by MBE for the fabrication of micro displays
T. Honda; Y. Hoshikawa; K. Uehara; T. Onuma and T. Yamaguchi
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017), 2017年10月

Outstanding capability of In-situ Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN and GaInN
T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
2017 International Symposium on Novel and Sustainable Technology (ISNST2017), 2017年10月, ［招待有り］

光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価
田 清貴、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹、角谷 正友
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月

GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察
山口 智広、佐々木 拓生、高橋 正光、尾沼 猛儀、本田 徹、荒木 努、名西 やすし
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月

SiドープとSiイオン注入単結晶酸化ガリウム結晶の光学的特性
尾沼 猛儀、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月, ［招待有り］

低温In2O3バッファ層を用いたa-Al2O3基板上In2O3のミストCVD成長
小林 拓也、山口 智広、尾沼 猛義、本田 徹
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月, 応用物理学会

Ga2-xSnxO膜のミストCVD成長
力武 健一郎、小林 拓也、山口 智広、尾沼 猛義、本田 徹
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月, 応用物理学会

シリコンマイクロカップ基板の製作とµ-LEDの集積化の検討
名和 遼祐、光成 将矢、尾沼 猛義、山口 智広、本田 徹
第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月

Photoresponsivity of alpha-Ga2O3-based deep UV photodetector grown by mist CVD
K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月

Cathodoluminescence spectra of Si-doped and Si-implanted β-Ga2O3 single crystals
T. Onuma; K. Sasaki; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata and M. Higashiwaki
2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, 2017年09月, ［招待有り］

Fabrication of MSM-Type Photodetector Using Sn-Doped alpha-Ga2O3 Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition
K. Rikitake; T. Yamaguchi; T. Onuma and T. Honda
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月

Compositional Pulling Effect in Epitaxial Growth of GaInN by RF-MBE
T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Araki; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), 2017年09月, ［招待有り］

ミストCVD法によるSn添加Ga2O3成長とそのデバイス応用
力武健一郎、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

ミストCVD法によるIn2O3薄膜の結晶構造制御
小林拓也、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

第一原理計算とX線光電子分光法によるp形NiO薄膜の電子構造の解析
小野瑞生、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

赤色LEDに向けたDERI法によるGaInN薄膜のRF-MBE成長検討
上原和樹、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

RF-MBE法により成長したGaN薄膜中の不純物に関する考察
高大地、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

分子プレカーサー法により形成した金属酸化物薄膜の表面近傍フェルミ準位の測定
高橋勇貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

光熱偏向分光法を用いたGa1-xInxN薄膜における非発光再結合の検討
福田清貴、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

RF-MBE法を用いたDERI法によるInN薄膜成長における極性が与える影響
中島裕亮、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

素子分離のためのICP-RIEによるエッチング垂直性の検討
松浦悠、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

ICP-RIEによるGaNテンプレートのアレイエッチングの製作検討
名和遼祐、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
第40回光通信研究会, 2017年08月

In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN growth on GaN and InN by RF-MBE
T. Yamaguchi; T. Sasaki; M. Takahasi; T. Onuma; T. Honda and Y. Nanishi
12th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017年07月

Optical Properties of Ga2O3 Films and Crystals
T. Onuma; S. Saito; K. Sasaki; K. Goto; T. Masui; T. Yamaguchi; T. Honda; A. Kuramata and M. Higashiwaki
Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月

Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films
M. Ono; T. Onuma; R. Goto; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato and T. Honda
Compund Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月

Mist CVD growth of Sn-doped Ga2O3 thin films and its device application
K. Rikitake; T. Kobayashi; T. Yamaguchi; T. Onuma; T.Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月, Akasaki memorial research center, Nagoya Univ.

Charge transfer transitions in p-type NiO films studied by optical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy
M. Ono; T. Onuma; K. Sasaki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; A. Kuramata; S. Yamakoshi; M. Sato; T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月, Akasaki Memorial Research Center, Nagoya Univ,

Comparison of III-polar and N-polar GaInN films grown by RF-MBE
Y. Nakajima; K. Uehara; T. Honda; T. Yamaguchi; T. Onuma
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月, Akasaki Memorial Research Center, Nagoya Univ.

Fabrication of µ-LED array structures using ICP dry-etching
R. Nawa; T. Onuma; T. Yamaguchi; J. -S. Jang; T. Honda
International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17), 2017年04月

GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作
鳴谷建人; 山口智広; Ke Wang; 荒木 努; 名西やすし; Liwen Sang; 角谷正友; 藤岡秀平; 尾沼猛儀; 本田 徹
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月20日, 応用物理学会

ミストCVD法を用いたGa2O3結晶成長における成長速度の温度依存性
田沼圭亮; 杉本麻佑花; 畠山 匠; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田 徹
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月18日, 応用物理学会

分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性
尾沼猛儀; 安野泰平; 高野宗一郎; 後藤良介; 藤岡秀平; 畠山 匠; 原 広樹; 望月千尋; 永井裕己; 山口智広; 佐藤光史; 本田 徹
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 応用物理学会

分子プレカーサー法を用いたIn添加ZnO薄膜製作検討
後藤良介; 安野泰平; 永井裕己; 原 広樹; 佐藤光史; 本田 徹
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 応用物理学会

蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価
豊満直樹; Liwen Sang; 山口智広; 本田 徹; 角谷正友
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月17日, 応用物理学会

RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3 and mist-CVD growth of Ga2O3 on GaN
T. Honda; T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; D. Tajimi and Y. Sugiura
SPIE Photonic West 2014 OPTO conference, 2014年02月04日, SPIE

RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3 and mist-CVD growth of Ga2O3 on GaN
SPIE Photonic West 2014 OPTO conference, 2014年

Mist CVD growth of α-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on α-Ga2O3/sapphire templetes
T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; R. Amiya; T. Onuma and T. Honda
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年11月14日, Southern Taiwan University of Science and Technology (STUST)

Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD
K. Tanuma; T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; T. Onuma and T. Honda
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年11月14日, Southern Taiwan University of Science and Technology (STUST)

Growth of InN and related alloys using DERI method toward fabrication of optoelectronics devices
T. Yamaguchi; K. Wang; T. Honda; E. Yoon; T. Araki and Y. Nanishi
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年11月13日, The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

Effects of (Al,Ga)Ox/GaN Interface States on GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes
S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年11月13日, The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending
R. Amiya; Y. Sugiura; D. Tajimi; T. Yamaguchi; T. Honda
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年11月13日, The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

RF-MBE Growth of GaN/Al Heterostructures on 4H-SiC
S. Ohsawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年11月13日, The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

Characterization of fabricated Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of UV transparent electrodes
T. Yasuno; R. Goto; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
The 20th International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium, 2013年11月12日, The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry

GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響
藤岡秀平,網谷良介,尾沼猛儀,山口智広,本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月17日, 応用物理学会

Use of alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 template in GaN film growth
T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Honda
2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年09月17日, Materials Research Society, Japanese Society of Applied Physics

4H-SiC上の疑似Al基板製作と疑似基板上へのGaN RF-MBE成長
大澤真弥,多次見大樹,山口智広,本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 応用物理学会

In-situ RF-MBEによるAlN/GaNヘテロ構造上へのAlOx薄膜成長
杉浦洋平; 東脇正高; 本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 応用物理学会

β-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関
尾沼猛儀,藤岡秀平,山口智広,東脇正高,佐々木公平,増井建和,本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 応用物理学会

表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響
網谷良介,多次見大樹,杉浦洋平,山口智広,本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 応用物理学会

ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長
多次見大樹; 奥秋良隆,畠山匠,金子健太郎,藤田静雄,尾沼猛儀,山口智広,本田徹
第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月16日, 応用物理学会

Fabrication of Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of transparent electrodes
T. Yasuno; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), 2013年09月10日, The 125th Committee on , Conversion between Light and Electricity, Japan Society for the Promotion of Science

Impact of the surface modification of the Ga- and N-face n-GaN Schottky diodes with low reverse-bias leakage current
T. Honda; T. Yamaguchi; N. Sakai; S. Fujioka; R. Amiya and Y. Sugiura
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年08月28日, Materials Research Society

Crystallized AlOx/AlN/GaN heterostructures grown by Plasma-assisted molecular beam epitaxy
Y. Sugiura; T. Honda and M. Higashiwaki
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年08月28日, Materials Research Society

RF-MBE growth and characterization of GaN films on α-Ga2O3/sapphire template
T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y.Sugiura and T. Honda
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年08月27日, Materials Research Society

RF-MBE growth of GaN films on nitridated α-Ga2O3 buffer layer
T. Yamaguchi; T. Hatakeyama; D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Onuma and T. Honda
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月14日, Polish Society for Crystal Growth (PTWK) German Association for Crystal Growth (DGKK) University of Warsaw (UW) Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences (IHPP PAS) Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences (IP PAS) Institute of Electronic Materials Technology (ITME)

Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 crystals
T. Onuma1; T. Yasuno; S. Takano; R. Goto; S. Fujioka; T. Hatakeyama; T. Oda; H. Hara; C. Mochizuki; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato; T. Honda
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年08月13日, Polish Society for Crystal Growth (PTWK) ,German Association for Crystal Growth (DGKK) ,University of Warsaw (UW) ,Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences (IHPP PAS) ,Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences (IP PAS) ,Institute of Electronic Materials Technology (ITME)

Influence of native surface oxide on GaN surface band bending
R. Amiya; Y. Sugiura; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月11日

Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes
S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月11日

RF-MBE growth of GaN films on α-Ga2O3/sapphire template
T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月11日

The GaN growth on pseudo aluminum templates by molecular beam epitaxy
S. Osawa; T. Hatakeyama; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月11日

Characterization of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月11日

Impact of ultra-thin InN layers in GaN matrix for light-emitting diodes with super weak waveguides
D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月10日

RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月10日

Chemical fabrication of transparent Cu metal thin film for infrared reflective thin film
H. Nagai; T. Okada; T. Honda and M. Sato
32th Electronic Materials Symposium, 2013年07月10日

RF-MBE法による疑似Al基板上へのGaN成長
多次見 大樹; 大澤 真弥; 山口 智広; 本田 徹
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月22日, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会

表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響
網谷 良介; 多次見 大樹; 杉浦 洋平; 山口 智広; 本田 徹
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月22日, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会

n-situ RF-MBE法による窒化物構造上AlOx薄膜の結晶成長
杉浦 洋平; 本田 徹; 東脇正高
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 2013年06月21日, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会

Compressively strained GaN growth on (0001)4H-SiC with Al buffer by MBE
T. Honda; T. Yamaguchi; D. Tajimi; S. Osawa; M. Hayashi
European Materials Research Society 2013 Spring Meeting (E-MRS 2013 Sprong Meeting), 2013年05月28日, European Materials Research Society

In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
(11)Y. Sugiura; T. Yamaguchi; T. Honda and M. Higashiwaki
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年05月20日

Effect of (GaN/AlN) ASF buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE
(12)T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; T. Igaki; Y. Sugiura and T. Honda
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年05月20日

Aluminum layers grown on (0001)4H-SiC for the GaN growth by RF-MBE
(13)S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年05月20日

Growth of ultra-thin InN layers in GaN matrix for super weak waveguides
(14)D. Tajimi; Y. Sugiura; T. Hatakeyama; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2013), 2013年05月14日, JSPS 162 commitee

Formation of aluminum template grown on (0001)4H-SiC for the GaN growth by RF-MBE
S. Osawa; D. Tajimi; T. Yamaguchi and T. Honda
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

Surface modification of GaN crystals and its effects on optical properties
S. Fujioka; R. Amiya; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

Fabrication of Ga-In-O films by molecular precursor method
T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

Growth of GaN on α-Ga2O3/sapphire template by RF-MBE
T. Hatakeyama; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura and T. Honda
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

Cathodoluminescence spectra of β-gallium oxide thin films fabricated by molecular precursor method
S. Takano; H. Nagai; H. Hara; C. Mochizuki; I. Takano; T. Onuma; T. Honda and M. Sato
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

Temperature dependent cathodoluminescent spectra of β-Ga2O3 crystals
T. Onuma; S. Fujioka; T. Yamaguchi; M. Higashiwaki; K. Sakai; T. Matsui and T. Honda
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年04月24日, ARC, Nagoya Univ.

10×10 Siマイクロカップ基板でのμ-LED集積化
名和 遼祐、相沢 空、尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 応用物理学会

Formation of aluminum template grown on (0001)4H-SiC for the GaN growth by RF-MBE
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Surface modification of GaN crystals and its effects on optical properties
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Fabrication of Ga-In-O films by molecular precursor method
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Growth of GaN on α-Ga2O3/sapphire template by RF-MBE
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Cathodoluminescence spectra of β-gallium oxide thin films fabricated by molecular precursor method
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Temperature dependent cathodoluminescent spectra of β-Ga2O3 crystals
Conference on LED and Its Industrial Application 2013 (LEDIA’13), 2013年

Growth of ultra-thin InN layers in GaN matrix for super weak waveguides
The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2013), 2013年

In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年

Effect of (GaN/AlN) ASF buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年

Aluminum layers grown on (0001)4H-SiC for the GaN growth by RF-MBE
The 40th Internaional Symposum on Compound Semiconductors (ISCS 2013), 2013年

Compressively strained GaN growth on (0001)4H-SiC with Al buffer by MBE
European Materials Research Society 2013 Spring Meeting (E-MRS 2013 Sprong Meeting), 2013年

Impact of ultra-thin InN layers in GaN matrix for light-emitting diodes with super weak waveguides
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

Chemical fabrication of transparent Cu metal thin film for infrared reflective thin film
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

Influence of native surface oxide on GaN surface band bending
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

RF-MBE growth of GaN films on α-Ga2O3/sapphire template
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

The GaN growth on pseudo aluminum templates by molecular beam epitaxy
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

Characterization of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
32th Electronic Materials Symposium, 2013年

Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 crystals
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年

RF-MBE growth of GaN films on nitridated α-Ga2O3 buffer layer
The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013年

RF-MBE growth and characterization of GaN films on α-Ga2O3/sapphire template
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年

Impact of the surface modification of the Ga- and N-face n-GaN Schottky diodes with low reverse-bias leakage current
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年

Crystallized AlOx/AlN/GaN heterostructures grown by Plasma-assisted molecular beam epitaxy
The 10th International Conference on Nitride Semiconductors, 2013年

Fabrication of Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of transparent electrodes
The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), 2013年

Use of alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 template in GaN film growth
2013 JSPS-MRS Joint Symposia, 2013年

Characterization of fabricated Ga-In-O films by molecular precursor method and their future application of UV transparent electrodes
The 20th International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium, 2013年

Growth of InN and related alloys using DERI method toward fabrication of optoelectronics devices
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年

Effects of (Al,Ga)Ox/GaN Interface States on GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年

Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年

RF-MBE Growth of GaN/Al Heterostructures on 4H-SiC
The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013), 2013年

Mist CVD growth of α-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on α-Ga2O3/sapphire templetes
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年

Ga2O3 and In2O3 growth by mist CVD
The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12), 2013年

GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定
杉浦洋平; 網谷良介; 多次見大樹; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス 11月研究会 (LQE), 2012年11月29日, 電子情報通信学会

Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals
T. Honda; T. Onuma; Y. Sugiura and T. Yamaguchi
Materials Research Society 2012 Fall Meeting (MRS 2012F), 2012年11月29日, Materials Research Society

Fabrication of Ga2O3 films by molecular precursor method
T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
Materials Research Society 2012 Fall Meeting (MRS 2012F), 2012年11月28日, Materials Research Society

Fabrication of GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes for Integrated RGB Pixels
T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Growth and Characterization of InN-based materials
T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda and Y. Nanishi
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Electron-beam Incident-angle-resolved Cathodoluminescence Studies on Bulk ZnO Crystals
T. Onuma; S. Fujioka; F. Tomori; T. Yamaguchi and T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Characterization of Fabricated Ga2O3 Thin Films on (0001) Sapphire Substrate by Molecular Precursor Method
(39)T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yamaguchi; M. Sato and T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Estimation of Surface States of Ga- and N-face GaN Measurement Near the Valence-band Maximum by X-ray Photoelectron Spectroscopy
Y. Sugiura; R. Amiya; D. Tajimi; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Introduction of Ultra-thin InN Layer in GaN-based Light-emitting Diodes for the Reduction of Crosstalk
D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Onuma and T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Measurements of InN Grown by RF-MBE
R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; Y. Sugiura; J. Sakaguchi; T. Araki; Y. Nanishi and T. Honda
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Structure and Optical Properties of Transparent Ga2O3-x Thin Films Fabricated by the Molecular Precursor Method
H. Nagai; S. Takano; H. Hara; C. Mochizuki; I. Takano; T. Onuma; T. Honda and M. Sato
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Fabrication of the Transparent Conducting ZnO Thin Film by the Molecular Precursor Method
H. Nagai; T. Shibukawa; S. Takano; T. Honda and M. Sato
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年10月30日, Kogakuin University

Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE
R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Honda; T. Araki and Y. Nanishi
The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2012), 2012年10月18日

Fabrication of RGB pixels using integrated GaN- based Schottky-type light-emitting diodes
T. Honda; T. Yamaguchi; N. Sakai; S. Fujioka; and Y. Sugiura
The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2012), 2012年10月15日

GaN growth on (111)Al by molecular beam epitaxy
T. Honda; D. Tajimi; N. Shinohara; Y. Sugiura; M. Hayashi and T. Yamaguchi
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 2012年09月28日

Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method
T. Yamaguchi; N. Uematsu; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y. Nanishi
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 2012年09月28日

酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性
尾沼猛儀,藤岡秀平,山口智広,東脇正高,佐々木公平,増井建和,本田 徹
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月13日, 応用物理学会

ZnO単結晶の電子線入射角度依存カソードルミネセンス測定
尾沼猛儀,山口智広,本田 徹
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月13日, 応用物理学会

集積化GaN系発光素子のための超薄膜InNを挿入した弱導波路発光層の検討
多次見大樹,林 才人,杉浦洋平,尾沼猛儀,本田 徹
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月12日, 応用物理学会

Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE
R. Amiya,T. Yamaguchi,D. Tajimi,Y. Sugiura,T. Araki,Y. Nanishi and T. Honda
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月11日, 応用物理学会

X-Ray Photoelectron Spectroscopy Measurements around the Valence-Band of Ga- and N-face (0001)GaN
Y. Sugiura; D. Tajimi; R. Amiya; T. Yamaguchi and T. Honda
39th International Symposium on Compound Semiconductors, 2012年08月27日

Toward strain control of GaN grown on Si by RF-MBE
T. Yamaguchi; D. Tajimi; T. Igaki; Y. Sugiura and T. Honda
9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年07月24日

In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures
M. Higashiwaki; T. Igaki; T. Yamaguchi; and T. Honda
4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4), 2012年07月17日

Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method
T. Yamaguchi; N. Uematsu; K. Wang; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y. Nanishi
31th Electronic Materials Symposium, 2012年07月12日

Angle-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films
R. Amiya; T. Yamaguchi; D. Tajimi; M. Hayashi; Y. Sugiura; T. Honda; T. Araki; and Y. Nanishi
31th Electronic Materials Symposium, 2012年07月12日

Impact of (GaN/AlN) alternating-source-feeding layer for the GaN growth on (111)Si substrates by RF-MBE
D. Tajimi; T. Igaki; Y. Sugiura; T. Yamaguchi and T. Honda
31th Electronic Materials Symposium, 2012年07月11日

Ozone treatment of oxide surface for the fabrication of MgZnO films by molecular precursor method
T. Yasuno; T. Oda; H. Nagai; H. Hara; Y. Sugiura; M. Sato; and T. Honda
31th Electronic Materials Symposium, 2012年07月11日

n-GaN上へのAlOx薄膜のin-situ RF-MBE成長
東脇正高; 井垣辰浩; 山口智広; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

AlおよびAlOx膜堆積が極性GaNのPL強度に与える影響
坂井直之; 尾沼猛儀; 山口敦史; 山口智広; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

Al緩衝層を用いた化合物原料MBE法による(0001)4H-SiC上GaN薄膜の製作
長瀬赳史; 篠原直也; 林才人; 杉浦洋平; 山口智広; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

RF-MBE法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜のx線回折測定
杉浦洋平; 井垣辰浩; 林才人; 多次見大樹; 山口智広; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

極性・非極性バルクZnO表面におけるCLスペクトルの比較
尾沼猛儀; 大林亨; 山口智広; 山口敦史; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

分子プレカーサｰ法によるZnO系透明電極製作におけるオゾン洗浄の効果
安野泰平; 小田拓人; 佐藤光史; 原広樹; 本田徹
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 応用物理学会

Impact of (GaN/AlN) alternating-source-feeding layer for the GaN growth on (111)Si substrates by RF-MBE
31th Electronic Materials Symposium, 2012年

Ozone treatment of oxide surface for the fabrication of MgZnO films by molecular precursor method
31th Electronic Materials Symposium, 2012年

Growth of InGaN film and InGaN/InGaN periodic structure using DERI method
31th Electronic Materials Symposium, 2012年

Angle-resolved XPS measurements of In-polar and N-polar InN films
31th Electronic Materials Symposium, 2012年

In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures
4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4), 2012年

Toward strain control of GaN grown on Si by RF-MBE
9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2012), 2012年

X-Ray Photoelectron Spectroscopy Measurements around the Valence-Band of Ga- and N-face (0001)GaN
39th International Symposium on Compound Semiconductors, 2012年

Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy of c-plane InN grown by RF-MBE
第73回応用物理学会学術講演会, 2012年

GaN growth on (111)Al by molecular beam epitaxy
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 2012年

Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using DERI method
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 2012年

Fabrication of RGB pixels using integrated GaN- based Schottky-type light-emitting diodes
The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2012), 2012年

Angled-resolved XPS measurements of InN films grown by RF-MBE
The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2012), 2012年

Fabrication of GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes for Integrated RGB Pixels
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Growth and Characterization of InN-based materials
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Electron-beam Incident-angle-resolved Cathodoluminescence Studies on Bulk ZnO Crystals
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Characterization of Fabricated Ga2O3 Thin Films on (0001) Sapphire Substrate by Molecular Precursor Method
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Estimation of Surface States of Ga- and N-face GaN Measurement Near the Valence-band Maximum by X-ray Photoelectron Spectroscopy
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Introduction of Ultra-thin InN Layer in GaN-based Light-emitting Diodes for the Reduction of Crosstalk
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Measurements of InN Grown by RF-MBE
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Structure and Optical Properties of Transparent Ga2O3-x Thin Films Fabricated by the Molecular Precursor Method
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Fabrication of the Transparent Conducting ZnO Thin Film by the Molecular Precursor Method
11th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-S), 2012年

Fabrication of Ga2O3 films by molecular precursor method
Materials Research Society 2012 Fall Meeting (MRS 2012F), 2012年

Band-bending around the Surface of Zn and O-polarity Hexagonal ZnO Crystals
Materials Research Society 2012 Fall Meeting (MRS 2012F), 2012年

(GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄膜成長
井垣辰浩; 林才人; 山口智広; 本田徹
応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会, 2011年12月, 応用物理学会結晶工学分科会

InNおよびGaN成長における原子脱離過程その場観察
山口智広; 荒木努; 本田徹; 名西憓之
応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会, 2011年12月, 応用物理学会結晶工学分科会

In-plane epitaxial relationship of (0001)sapphire grown by compound-source MBE
Y. Sugiura; T. Oda; T. Onuma; T. Yamaguchi and T. Honda
Materials Research Society 2011 Fall Meeting (MRS 2011F), 2011年12月, Materials Research Society

Low temperature growth of GaN on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
M. Hayashi; T. Goto; T. Yamaguchi; T. Igaki and T. Honda
Materials Research Society 2011 Fall Meeting (MRS 2011F), 2011年12月

XPS spectra of c-face GaN and ZnO crystals
T. Honda
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年11月

X-ray diffraction of ZnO layer grown by compound-source MBE
R. Amiya; Y. Sugiura; T. Yamaguchi and T. Honda
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年11月

Ozone treatment of the substrates for ZnO deposition by molecular precursor method
T. Oda; H. Hara; Y. Sugiura; T. Yasuno; T. Yamaguchi and T. Honda
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年11月

RF-MBE法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜成長
林才人; 井垣辰浩; 杉浦洋平; 後藤大雅; 山口智広; 本田徹
第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 応用物理学会

極性および非極性GaN表面における表面再結合過程
坂井直之; 井垣辰浩; 尾沼猛儀; 山口敦史; 山口智広; 本田徹
第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 応用物理学会

六方晶GaNとZnOにおける表面再結合の比較
尾沼猛儀; 坂井直之; 井垣辰浩; 山口智広; 山口敦史; 本田徹
第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 応用物理学会

化合物原料MBE法を用いたZnO薄膜の結晶成長とその評価
杉浦洋平; 小田拓人; 小畑聡; 芳原義大; 尾沼猛儀; 山口智広; 本田徹
第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月, 応用物理学会

Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces
T. Onuma; N. Sakai; T. Igaki; T. Yamaguchi; A. A. Yamaguchi and T. Honda
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年08月

Growths of InN/InGaN periodic structure and thick InGaN film using dropment elimination process by radical-beam irradiation
T. Yamaguchi; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y. Nanishi
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年08月

Built-in potential along the c-axis in MBE-grown GaN layers observed by angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy
T. Honda; T. Igaki; T. Yamaguchi; Y. Kumagai and A. Kokitu
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年08月

Low temperature growth of GaN on pseudo (111)Al substrates by RF-molecular beam epitaxy
M. Hayashi and T. Honda
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年08月

Surface Recombination in GaN crystals by surface modification
N.Sakai and T. Honda
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年08月

X-ray diffraction characterization of ZnO layer grown by compound-source molecular beam epitaxy
Y. Sugiura and T. Honda
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年08月

DERI法によるIn窒化物半導体の結晶成長
山口智広; 荒木努; 本田 徹; 名西憓之
日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第75回研究会, 東京, 2011年07月, 日本学術振興会(JSPS)

Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification
T. Honda; N. Sakai; S. Komiyama; M. Hayashi and T. Igaki
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-2011), 2011年07月

Recombination dynamics in polar and nonpolar GaN substrates
N. Sakai; T. Igaki; T. Onuma; A. A. Yamaguchi; T. Yamaguchi and T. Honda
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月

In situ monitoring techniques by DERI method
T. Yamaguchi; K.Wang; T. Araki; T. Honda; E. Yoon and Y.Nanishi
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月

Polarity control of MgZnO transparent electrodes by molesular precursor method
T. Oda; T. Kibu; H. Hara; Y. Sugiura; M. Sato and T. Honda
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年07月

GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
T. Honda; M. Hayashi; T. Goto and T. Igaki
Europe Materials Research Society 2011 Spring Meeting (E-MRS), 2011年05月, Europe Materials Research Society

Surface Recombination in polar and nonpolar GaN surfaces
N. Sakai; T. Onuma; A. A. Yamaguchi and T. Honda
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年05月

ZnO growth for transparent electrodes by compound-source MBE
Y. Sugiura; T. Oda; S. Obata; Y. Yoshihawa; T. Onuma and T. Honda
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年05月

Initial growth monitoring in GaN epitaxial growth on (GaN/AlN) buffer layer by RF-molecular beam epitaxy
M. Hayashi; T. Goto; T. Igaki; J. Sugawara; R.Yonezawa; Y. Sugiura and T. Honda
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年05月

RF-MBE法を用いた(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜成長
林 才人,後藤大雅,井垣辰浩,菅原順平,米澤亮輔,杉浦洋平,; 本田 徹
第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川, 26p-BZ-7, 2011年03月

化合物原料MBE法によるZnO薄膜の製作検討
杉浦洋平,小田拓人,小畑 聡,芳原義大,尾沼猛儀,本田 徹
第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川, 26p-BZ-7, 2011年03月

分子プレカーサー法により形成したp型酸化銅(I)透明薄膜の半導体特性
鈴木 達也・永井 裕己・原 広樹・望月 千尋・鷹野 一郎・本田 徹・佐藤 光史
日本化学会第91春季年会、神奈川大学横浜キャンパス, 横浜、神奈川, 4D7-12., 2011年03月

銀ナノ粒子-チタニアアロイ薄膜の導電性と光電流密度
DANIEL; Likius Shipwiisho・永井 裕己・青山 宗平・原 広樹・望月 千尋・鷹野 一朗・本田 徹・佐藤 光史
日本化学会第91春季年会、神奈川大学横浜キャンパス, 横浜、神奈川, 4D7-21., 2011年03月

Built-in potential in GaN crystals by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy
The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-38), San Diego, California, USA, Mo 1220., 2011年

Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrodes by molecular precursor method
The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-38), San Diego, California, USA, We 1200., 2011年

GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
Europe Materials Research Society 2011 Spring Meeting (E-MRS), 2011年

Surface Recombination in polar and nonpolar GaN surfaces
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年

ZnO growth for transparent electrodes by compound-source MBE
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年

Initial growth monitoring in GaN epitaxial growth on (GaN/AlN) buffer layer by RF-molecular beam epitaxy
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), 2011年

Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-2011), 2011年

Recombination dynamics in polar and nonpolar GaN substrates
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年

In situ monitoring techniques by DERI method
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年

Polarity control of MgZnO transparent electrodes by molesular precursor method
30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), 2011年

Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年

Growths of InN/InGaN periodic structure and thick InGaN film using dropment elimination process by radical-beam irradiation
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年

Built-in potential along the c-axis in MBE-grown GaN layers observed by angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy
The 28th North America Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2011), 2011年

Low temperature growth of GaN on pseudo (111)Al substrates by RF-molecular beam epitaxy
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年

Surface Recombination in GaN crystals by surface modification
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年

X-ray diffraction characterization of ZnO layer grown by compound-source molecular beam epitaxy
The 34th International Symposium on Optical Communications, 2011年

XPS spectra of c-face GaN and ZnO crystals
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年

X-ray diffraction of ZnO layer grown by compound-source MBE
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年

Ozone treatment of the substrates for ZnO deposition by molecular precursor method
The 10th International symposium on advanced Technology (ISAT-10), 2011年

In-plane epitaxial relationship of (0001)sapphire grown by compound-source MBE
Materials Research Society 2011 Fall Meeting (MRS 2011F), 2011年

Low temperature growth of GaN on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
Materials Research Society 2011 Fall Meeting (MRS 2011F), 2011年

Built-in potential in GaN crystals by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy
T. Honda; T. Igaki; Y. Kumagai and A. Kokitu
The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-38), San Diego, California, USA, Mo 1220., 2011年01月

Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrodes by molecular precursor method
T. Oda; T. Kidu; H. Hara; Y. Sugiura; M. Sato and T. Honda
The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-38), San Diego, California, USA, We 1200., 2011年01月

MBE法による交互供給バッファー層を用いたGaN薄膜の製作
後藤 大雅、林 才人、井垣 辰浩、菅原 順平、米澤 亮輔、本田 徹
応用物理学会結晶工学分科会2010年度年末講演会, 学習院大学, 東京, No. 3., 2010年12月17日

化合物原料MBE法によるGaN/(111)Siの高品質化の検討
長瀬 赳史,眼目 貴大,本田 徹
応用物理学会結晶工学分科会2010年度年末講演会, 学習院大学, 東京, No. 4., 2010年12月17日

化合物原料MBE法によるZnO薄膜の低温堆積検討
杉浦 洋平、小田 拓人、小畑 聡、芳原 義大、尾沼 猛儀、本田 徹
応用物理学会結晶工学分科会2010年度年末講演会, 学習院大学, 東京, No. 18., 2010年12月17日

RF-MBE法による擬似Al基板上へのGaN薄膜の低温成長
後藤 大雅,林 才人,井垣 辰浩,田口 悟,本田 徹
東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会, 東北大学片平さくらホール, 仙台, 宮城県., 2010年11月

RF励起窒素を用いた化合物原料MBE法によるGaN/(111)Siの製作検討
長瀬 赳史,眼目 貴大,本田 徹
東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会, 東北大学片平さくらホール, 仙台, 宮城県., 2010年11月

疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
本田 徹; 林 才人; 後藤 大雅; 井垣 辰浩
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ, レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)１１月研究会, 大阪大学中之島ホール, 大阪, 大阪府, 2010年11月

Fabrication of RGB pixels based on UV Schottky-type LEDs
T.Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, IL-9., 2010年11月

The Electrical and optical properties of p-type cuprous oxides transparent thin films by the molecular precursor method
T. Suzuki; H. Nagai; C. Mochizuki; H. Hara; I. Takano; T. Honda and M. Sato
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-18., 2010年11月

Fabrication of ZnO layers by compound source molecular beam epitaxy
Y. Sugiura; T. Oda; S. Obata; Y. Yoshihara and T. Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-25., 2010年11月

Polarity control of MgZnO thin films by molecular precursor method
T. Oda; T. Kizu; Y. Sugiura; H. Hara; M. Sato and T. Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-26., 2010年11月

GaN epitaxial growth on pseudo Al substrates by RF-MBE
M. Hayashi; T. Goto; T. Igaki; J. Sugawara; R. Yonezawa; S. Taguchi and T. Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-27., 2010年11月

Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals
N. Sakai; T. Onuma; T. Okuhata; A. A. Yamaguchi and T. Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-28., 2010年11月

Polarity control of (0001)GaN epitaxial layers grown by RF-MBE
T. Igaki; M. Hayashi; T. Goto; S. Taguchi and T. Honda
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-29., 2010年11月

分子プレカーサー法によるp型酸化銅(I)透明薄膜の形成
鈴木達也,永井裕己,望月千尋,原 広樹,鷹野一朗,本田 徹,佐藤光史
第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文京キャンパス, 長崎, 14p-NE-1., 2010年09月

分子プレカーサー法によるMgZnO薄膜の極性制御
小田拓人,木津拓人,原 広樹,杉浦洋平,佐藤光史,本田 徹
第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文京キャンパス, 長崎, 17a-NE-4., 2010年09月

RF-MBE法を用いた疑似Al基板上GaN成長
林 才人,後藤大雅,井垣辰浩,田口 悟,本田 徹
第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文京キャンパス, 長崎, 14a-C-7., 2010年09月

Surface recombination of hexagonal GaN crystals
N. Sakai; T. Onuma; T. Okuhata; A. A. Yamaguchi and T. Honda
The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Marriott Tampa Waterside Hotel & Marina, Tampa Bay, Florida, USA, GP 1.20., 2010年09月

MBE法による交互供給バッファ層を用いたGaN薄膜の製作検討
T. Goto and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, E-2., 2010年08月

化合物原料MBE法によるZnO薄膜の製作検討
Y. Sugiura and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, P1-22., 2010年08月

RF-MBE法による擬似Al基板上へのGaN成長
M. Hayashi and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, P2-15., 2010年08月

GaN結晶における面方位とフォトルミネッセンスの発光寿命の関係
N. Sakai and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, P3-4., 2010年08月

RF-MBE法によるGaN薄膜成長における極性制御の検討
T. Igaki and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, P3-12., 2010年08月

分子プレーカーサー法によるGa-doped MgZnO薄膜の配向性及び膜厚依存性の検討
T. Oda and T. Honda
The 33th International Symposium on Optical communications, Makuhari, Chiba, Japan, P2-29., 2010年08月

GaN growth on pseudo Al substrates by molecular beam epitaxy at low temperatures
T. Goto; M. Hayashi; T. Igaki; S. Taguchi and T. Honda
16th International Conference on molecular beam epitaxy (ICMBE 2010), bcc Belriner congress center, Belrin, Germany,, 2010年08月

XPS study on (0001) and (000-1)GaN layers on sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy
T. Honda; K. Noguchi; N. Sakai; S. Taguchi; T. Goto; T. Igaki and M. Hayashi
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides, Montpellier Convention Center, Montpellier, France, MoP-38., 2010年07月

III-N growth on pseudo Al substrates by MBE at low temperatures
M. Hayashi; T. Goto; T. Igaki; S.Taguchi and T. Honda
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, Th6-12., 2010年07月

Light propagation in GaN-based Schottky-type diodes using FDTD method
N. Sakai; T. Kobayashi and T. Honda
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, Th2-4., 2010年07月

Fabrication of c-axis oriented MgZnO films by molecular precursor method
T. Oda; T. Kizu; H. Hara; Y. Sugiyama; M. Sato and T. Honda
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, We2-6., 2010年07月

小型フラットディスプレイのための窒化ガリウム系集積化発光素子の製作
物質・材料研究機構光学センシング材料グループ研究会, 物質・材料研究機構, つくば, 茨城県, 2010年06月04日

Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrode by molecular precursor method
T. Oda; H. Hara; C. Mochizuki; M. Sato and T. Honda
8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), Peking University, Beijing, China, P16., 2010年05月

Surface Modification of (0001)GaN and its application to RGB pixels based on UV Schottky-type LEDs
T. Honda; N. Sakai and T. Nozaki
8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), Peking University, Beijing, China, L-3., 2010年05月

Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrode by molecular precursor method
8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), Peking University, Beijing, China, P16., 2010年

Surface Modification of (0001)GaN and its application to RGB pixels based on UV Schottky-type LEDs
8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010), Peking University, Beijing, China, L-3., 2010年

Polarity control of (0001)GaN epitaxial layers grown by RF-MBE
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, FrP-63., 2010年

XPS study on (0001) and (000-1)GaN layers on sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides, Montpellier Convention Center, Montpellier, France, MoP-38., 2010年

III-N growth on pseudo Al substrates by MBE at low temperatures
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, Th6-12., 2010年

Light propagation in GaN-based Schottky-type diodes using FDTD method
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, Th2-4., 2010年

Fabrication of c-axis oriented MgZnO films by molecular precursor method
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan, We2-6., 2010年

GaN growth on pseudo Al substrates by molecular beam epitaxy at low temperatures
16th International Conference on molecular beam epitaxy (ICMBE 2010), bcc Belriner congress center, Belrin, Germany,, 2010年

Surface recombination of hexagonal GaN crystals
The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Marriott Tampa Waterside Hotel & Marina, Tampa Bay, Florida, USA, GP 1.20., 2010年

Fabrication of RGB pixels based on UV Schottky-type LEDs
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, IL-9., 2010年

The Electrical and optical properties of p-type cuprous oxides transparent thin films by the molecular precursor method
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-18., 2010年

Fabrication of ZnO layers by compound source molecular beam epitaxy
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-25., 2010年

Polarity control of MgZnO thin films by molecular precursor method
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-26., 2010年

GaN epitaxial growth on pseudo Al substrates by RF-MBE
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-27., 2010年

Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-28., 2010年

Polarity control of (0001)GaN epitaxial layers grown by RF-MBE
The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-9), Tokyo, Japan, P-29., 2010年

Polarity control of (0001)GaN epitaxial layers grown by RF-MBE
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, FrP-63., 2010年

Fabrication of AlN films at low temperature by CS-MBE technique
K. Watanabe; K. Sugimoto; M. Arai; K. Takeda and T. Honda
34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto University, Kyoto, TuC-P23, 2007年10月

Fabrication of GaN-based UV TF-ELDs by CS-MBE technique and their application to RGB Light-emitting Pixels
M. Arai; K. Sugimoto; S. Egawa and T. Honda
7th International Conference on Nitride Semiconductors, MGM Grand Hotel, Las Vegas, NV, USA, TuP53, 2007年09月

Fabrication of GaN-based MOS LEDs for micro pixels in flat-panel displays
T. Honda; T. Kobayashi; S. Komiyama; Y. Mashiyama; M. Arai and K. Yoshioka
7th International Conference on Nitride Semiconductors, MGM Grand Hotel, Las Vegas, NV, USA, TuP52, 2007年09月

Introduction of preheated ammonia during GaN growth on Si by compound-source MBE at low temperature
T. Honda; M. Sawadaishi; H. Yamamoto; M. Arai; K. Yoshioka and T. Okuhata
15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, UT, USA, wg29, 2007年08月

Preheated Ammonia Supply during Compound-Source Molecular Beam Epitaxy of GaN
M. Sawadaishi; M. Sawada; K. Sugimoto; T. Baba and T. Honda
The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Jeonju, Korea, 11 － 14 March, 2007., 2007年03月

Fabrication of GaN-based MOS LEDs operating in UV spectral region
34th Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, Salt Lake City, Utah, U. S. A., 14 － 18 January, 2007, Mo1135, 2007年

Preheated Ammonia Supply during Compound-Source Molecular Beam Epitaxy of GaN
The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Jeonju, Korea, 11 － 14 March, 2007., 2007年

Introduction of preheated ammonia during GaN growth on Si by compound-source MBE at low temperature
15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, UT, USA, wg29, 2007年

Fabrication of GaN-based UV TF-ELDs by CS-MBE technique and their application to RGB Light-emitting Pixels
7th International Conference on Nitride Semiconductors, MGM Grand Hotel, Las Vegas, NV, USA, TuP53, 2007年

Fabrication of GaN-based MOS LEDs for micro pixels in flat-panel displays
7th International Conference on Nitride Semiconductors, MGM Grand Hotel, Las Vegas, NV, USA, TuP52, 2007年

Fabrication of AlN films at low temperature by CS-MBE technique
34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto University, Kyoto, TuC-P23, 2007年

Fabrication of GaN-based MOS LEDs operating in UV spectral region
T. Honda; T. Kobayashi; S. Komiyama; Y. Mashiyama
34th Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, Salt Lake City, Utah, U. S. A., 14 － 18 January, 2007, Mo1135, 2007年01月

Integrated light-emitting diodes grown by MOCVD for flat display panels
T. Honda; T. Kobayashi; S. Egawa; M. Sawada; K. Sugimoto; T. Baba and H. Kawanishi
13th International Conference on Metal-organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japan, 2006, 22 － 26 May, TuP.64, 2006年06月

Cathodoluminescence Spectra of Surface-oxidized GaN Crystallites
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (2006). We1140, 2006年

Integrated light-emitting diodes grown by MOCVD for flat display panels
13th International Conference on Metal-organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, Japan, 2006, 22 － 26 May, TuP.64, 2006年

Cathodoluminescence Spectra of Surface-oxidized GaN Crystallites
T. Honda; M. Akiyama; T. Baba and H. Kawanishi
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (2006). We1140, 2006年01月

減圧MO‐VPE法によるBGaNの結晶成長
栗本誠、山本淳、柴田雅央、高野隆好、本田徹、川西英雄
未来開拓「光デバイス新素材の探索」研究報告会, 1998年11月14日

BGaN系紫外レーザの基礎検討
本田徹、栗本誠、鍔元美恵子、久我裕一郎、川西英雄
電子通信情報学会技術報告, 1998年11月

減圧MO‐VPE法によるBGaNのH. T.-AlNを介した(0001)6H‐SiC上への成長
栗本誠、能地由紀子、鍔元美恵子、山本淳、高野隆好、本田徹、川西英雄
第59回応用物理学会学術講演会, 1998年09月

(0001)6H‐SiC基板上へのBxGa1‐xNの成長
山本淳、能地由紀子、栗本誠、鍔元美恵子、高野隆好、本田徹、川西英雄
第59回応用物理学会学術講演会, 1998年09月

(0001)6H‐SiC上へのGaNの直接成長
本田徹、山本陽一、栗本誠、川西英雄
第59回応用物理学会学術講演会, 1998年09月

GaN系面発光レーザ用京新規構造の製作
坂口孝浩、白澤智恵、持田宣晃、井上彰、岩田雅年、本田徹、小山二三夫、伊賀健一
第59回応用物理学会学術講演会, 1998年09月

GaN系紫外発光素子の基礎検討
本田徹、他
金属系材料研究開発センター 青色・紫外発光デバイス材料に関する調査研究部会（通産省部会）, 1998年03月

アンモニアを用いたMO‐MBE法による(0001)6H‐SiC基板上GaNの直接成長
山本陽一、本田徹、川西英雄
第45回応用物理学会関係連合講演会, 1998年03月

BGaN系紫外レーザの基礎検討
電子通信情報学会技術報告, 1998年

BAlGaN格子整合系4元混晶半導体の基礎検討
川西英雄、鍔元美恵子、本田徹、山本淳、栗本誠、柴田雅央、春山牧子、白井俊雄
日本学術振興会 第162委員会研究会, 1997年12月

有機金属気相成長法によるGaN/BAlNヘテロ構造の製作
本田徹、柴田雅央、栗本誠、山本淳、川西英雄
未来開拓「光デバイス新素材の探索」研究報告会, 1997年11月

BｘGa１－ｘNの有機金属気相成長における熱力学解析
久我裕一郎、鍔元美恵子、本田徹、川西英雄、纐纈明伯、関壽
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

(0001)6H-SiC上に格子整合したBGaNの光学利得の見積もり
本田徹、久我裕一郎、鍔元美恵子、川西英雄
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

(0001)6H-SiC上に格子整合したBx1Aly1Ga(1-x1-y1)N/Bx2Aly2Ga(1-x2-y2)N DH構造の基礎検討
鍔元美恵子、山本淳、久我裕一郎、柴田雅央、本田徹、川西英雄
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

AlN/GaN交互供給バッファ層による（0001）6H‐SiC上GaNのクラック抑制
栗本誠、柴田雅央、山本淳、鍔元美恵子、本田徹、川西英雄
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

（0001）6H‐SiC上に成長したDH構造におけるクラックの特徴
山本淳、栗本誠、柴田雅央、本田徹、川西英雄
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

有機金属気相成長法による（0001）6H‐SiC基板上に成長したGaN/B(AlN)ヘテロ構造
柴田雅央、久我裕一郎、鍔元美恵子、本田徹、川西英雄
第58回応用物理学会学術講演会, 1997年10月

ｐ型コンタクト抵抗のGaN面方位依存性
持田宣晃、本田徹、坂口孝浩、五月女耕二、白澤智恵、森美由紀、井上彰、小山二三夫、伊賀健一
第44回応用物理学会関連連合講演会, 1997年03月

MOVPE法によるGaN/AlGaN量子井戸構造の界面制御に関する検討
白澤智恵、本田徹、五月女耕二、森美由紀、持田宣晃、井上彰、坂口孝浩、 小山二三夫、伊賀健一
第44回応用物理学会関連連合講演会, 1997年03月

MOVPE選択成長法によるGaN微細構造の形成
井上彰、本田徹、坂口孝浩、五月女耕二、持田宣晃、白澤智恵、森美由紀、小山二三夫、伊賀健一
第44回応用物理学会関連連合講演会, 1997年03月

GaN系面発光レーザのためのドライエッチングによる微細構造形成
五月女耕二、本田徹、松谷晃宏、白澤智恵、持田宣晃、森美由紀、井上彰、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第44回応用物理学会関連連合講演会, 1997年03月

BAlGaN格子整合系4元混晶半導体の基礎検討
未来開拓「光デバイス新素材の探索」研究報告会, 1997年

ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎検討
本田徹、勝部敦史、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
1995年電子通信情報学会ソサエティ大会, 1996年09月

GaNエピタキシャル成長のためのSi基板上へのZnO形成
白澤智恵、本田徹、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月

サファイア基板上へのGaNのMOVPE成長におけるオゾン前処理
本田徹、坂口孝浩、井上彰、森美由紀、白澤智恵、五月女耕二、持田宣晃、小山二三夫、伊賀健一
第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月

3フローMOVPE法によるGaNの成長と評価
森美由紀、本田徹、持田宣晃、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月

光ウエットエッチング後のGaN膜のフォトルミネッセンス測定
五月女耕二、松谷晃宏、本田徹、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月

GaN/AlGaN量子井戸におけるピエゾ効果が発光に与える影響
本田徹、宮本智之、井上彰、森美由紀、白澤智恵、五月女耕二、持田宣晃、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月

Light Emitting Materials in Green/Blue/UV Spectral Region and Its Application for Surface Emitting Lasers
T. Honda; F. Koyama and K. Iga
NEDO Frontier Technology Lecture, 1996年09月

GaN系半導体レーザのドライエッチング反射鏡に関する検討
本田徹、勝部敦史、五月女耕二、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第56回応用物理学会学術講演会, 1996年08月

ECR-RIBEによるGaNのエッチング
松谷晃宏、本田徹、坂口孝浩、五月女耕二、小山二三夫、伊賀健一
第43回応用物理学会関係連合講演会, 1996年03月

電子ビーム蒸着によるGaN系面発光レーザ用誘電体多層膜反射鏡
坂口孝浩、本田徹、白澤智恵、小山二三夫、伊賀健一
第43回応用物理学会関係連合講演会, 1996年03月

GaN系面発光レーザの温度特性に関する検討
本田徹、坂口孝浩、五月女耕二、白澤智恵、森美由紀、小山二三夫、伊賀健一
第43回応用物理学会関係連合講演会, 1996年03月

Light Emitting Materials in Green/Blue/UV Spectral Region and Its Application for Surface Emitting Lasers
NEDO Frontier Technology Lecture, 1996年

GaN系青色・紫外面発光レーザの基礎検討
本田徹、坂口孝浩、勝部敦史、小山二三夫、伊賀健一
電子通信情報学会1995年春季大会, 1995年03月

量子井戸活性層を有するGaN系面発光レーザの検討
勝部敦史、本田徹、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第42回応用物理学会関係連合講演会, 1995年03月

バンド内緩和時間を考慮したGaNの線形利得の見積り
勝部敦史、本田徹、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年09月

In Situk光モニタを用いたII-VI族青色面発光レーザの反射鏡製作
本田徹、坂口孝浩、勝部敦史、小山二三夫、伊賀健一
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年09月

GaN系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎設計
坂口孝浩、本田徹、勝部敦史、小山二三夫、伊賀健一
電子通信情報学会1994年秋季大会, 1994年09月

Highly-Doped p-ZnSe Formation by Li3N Diffusion
S. W. Lim; T. Honda; F. Koyama and K. Iga
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年09月

Design of MQB for ZnCdSe/ZnSe Blue-Green Lasers
K. Bousbahi; T. Honda; F. Koyama and K. Iga
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年09月

青色面発光レーザの高反射率反射鏡の基礎検討
本田徹、井上浩介、梁嶋克典、吉野淳二、柊元宏、小山二三夫、伊賀健一
第41回応用物理学会関係連合講演会, 1994年03月

CuAlxGa1-x(SySe1-y)2積層構造のルミネッセンスとデバイス応用
本田徹、山本雅裕、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第41回応用物理学会関係連合講演会, 1994年03月

Highly-Doped p-ZnSe Formation by Li3N Diffusion
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年

Design of MQB for ZnCdSe/ZnSe Blue-Green Lasers
第55回応用物理学会学術講演会, 1994年

II-VI族化合物を用いる短波長面発光レーザの基礎設計
本田徹、梁嶋克典、吉野淳二、柊元宏、小山二三夫、伊賀健一
第54回応用物理学会学術講演会, 1993年09月

CuGaS2への不純物ドーピング(III)
鬼頭伸一郎、本田徹、秋田宏、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第40回応用物理学会関係連合講演会, 1993年03月

有機金属気相成長法による銅カルコパイライトのヘテロ積層構造
本田徹、秋田宏、鬼頭伸一郎、原和彦、吉野淳二、柊元宏
3元および多元化合物に関する研究会、岡山セラミックセンター, 1992年09月

ワイドギャップカルコパイライト化合物のヘテロ接合
秋田宏、本田徹、鬼頭伸一郎、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第53回応用物理学会学術講演会, 1992年09月

CuGaS2への不純物ドーピング(II)
本田徹、秋田宏、鬼頭伸一郎、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第53回応用物理学会学術講演会, 1992年09月

CuGaS2への不純物ドーピング(I)
秋田宏、本田徹、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第39回応用物理学会関係連合講演会, 1992年03月

有機金属気相成長法によるI-III-V2族化合物のエピタキシャル成長
本田徹、秋田宏、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第39回応用物理学会関係連合講演会, 1992年03月

CuGaS2/ CuAlS2/GaP(100)薄膜の励起スペクトル
本田徹、秋田宏、原和彦、吉野淳二、柊元宏
3元および多元化合物に関する研究会, 1991年11月

CuAlS2のPL評価
本田徹、秋田宏、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第52回応用物理学会学術講演会, 1991年09月

交互供給MOCVD法によるCuGaS2薄膜の成長(II)
乙間広己、本田徹、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第38回応用物理学会関係連合講演会, 1991年03月

CuAl(SxSe1-x)2のMOVPE成長
本田徹、乙間広己、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第38回応用物理学会関係連合講演会, 1991年03月

交互供給MOCVD法によるCuGaS2薄膜の成長
乙間広己、本田徹、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第51回応用物理学会学術講演会, 1990年09月

DTBSを用いたCuGa(SxSe1-x)2のMOVPE成長
本田徹、乙間広己、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第51回応用物理学会学術講演会, 1990年09月

MOVPE法によるカルコパイライト薄膜の成長と評価
本田徹、乙間広己、原和彦、吉野淳二、柊元宏
3元および多元化合物に関する研究会, 1990年07月

CuGaS2,CuGaSe2の減圧MOVPE成長
本田徹、乙間広己、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第37回応用物理学会関係連合講演会, 1990年03月

銅カルコパイライトのMOVPE成長における原料系の検討
本田徹、乙間広己、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第50回応用物理学会学術講演会, 1989年09月

新しいS原料を用いたCuGaS2のMOVPE成長
本田徹、篠沢太郎、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第36回応用物理学会関係連合講演会, 1989年04月

銅カルコパイライトのMOVPE成長
原和彦、篠沢太郎、本田徹、吉野淳二、柊元宏
日本学術振興会光電相互変換第125委員会128回研究会, 1989年01月

CuGaS2/ZnSのMOVPE成長
篠沢太郎、本田徹、原和彦、吉野淳二、柊元宏
第49回応用物理学会学術講演会, 1988年10月

1997年07月
電子材料シンポジウム ＥＭＳ賞
日本国

1996年11月
応用物理学会 講演奨励賞
日本国

1996年03月
電子通信情報学会 学術奨励賞
日本国